Антиотражательный интерференционный светофильтр

 

АНТИОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЬЙ СВЕТОФИЛЬТР, состоящий из последовательно расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления «2+ iVg и диэлектрического покрытия , вьшолненного из слоев с чередующимися п, и п показателями преломлениями фазоаътми толии1нами, равными ()где ttg и kg - вещественная и ,мни-мая части комплексного показателя преломления металлического слоя. vn - целое число, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения контрастности в отраженном .свете, диэлектрическое покрытие выполнено cи t eтpичньD I относительно его среднего слоя, при этом фазовые толщины кр-гйних по отношению к металлическому ;елою и воздуху слоев равны ( +S , а показатели преломления слоев и величина S связаны соотношениями . s .. ... n n пг 4trtf« . где ns(ne-ibl | , , пЦ . ,--arcl, n - Пс фазовая добавка крайних слоев диэлектрического покрытия; 2N+1 - число диэлектрических слоев.

СОЮЗ СОВЕТОВА;Х

@ д

РЕСПУБЛИК ае св

3GD G 02 В 5/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕ ГЕПЬСТБУ

ГОСЬДАРЬТВЕННЫй НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3586429/24-10 (22) 21. 02. 83 (46) 23.! 1.84. Бюл. Р 43 (72) А.Ф.Больщанин и Э.С.Путилин (71) Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени институт точной механики и оптики (53) 535.345.67(088.8) (56) 1. Фурман Ш.A. Оптика тонко-. слойных покрытий. Л., "Машиностроение", 1977, с. 72-75.

2. Журнал прикладной спектроскопии, 1969, т. I. I, вып. 4 (прототип). (54) (57 ) AHTEIOTPANATEJIbHbIA ИНТЕРФЕРЕHI5IOEIHbIIf СВЕТОФИЛЬТР, состоящий из последовательно расположеннык на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления

n + А6 и диэлектрического покрытия, вйполненного из слоев с чередующимися и, и и показателями преломления и. фазовыми толщинами, равными (2щ+1ф где nS и kG — веществен ая и, ни- мая части комплексного показателя преломления металлического слоя, «и — целое число, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью увеличения контрастности н отраженном .свете, диэлектрическое покрытие выполнено симметричным относительно

его среднего слоя, при этом фазовые толщины кр::йних по отношению к металлическому Слою и воздуху слоев равны (2m.-1).-" + о, а показатели преломления слоев и величина S связаны соотношениями о — фазовая добавка крайнйх слоев диэлектрического покрытия;

2N+1 — число диэлектрических слоев.

1125589

> 136, О6-(> и

n -» число (2(.

Изобретение относится к интерференционным светофильтрам и может быть использовано при лазерной диагностика плазмы, излучении рассеяния света и для повышения эффек1 тивности фотокатодов.

Известны многослойные интерференционные светофильтры, имеющие небольшой коэффициент отражения в узкой области спектра и высокую отражатель 0 ную способность в остальном спектральном интервале, например светофильтры типа Фабри-tIepo. Подобные cz>етофильтры характеризуются контрастностью в отражении 15 мсц

С = — --, где

0,»;„, 1,„ — отражательная способно ть по краям полосы с малым отражением, отражательная способность в 2п минимуме (1) .

Недостатками фильтров Фабри-Неро являются небольшая контрастность (С=

12) и значительное число слоев (15 и больше), что увеличивает трудоем- 25 кость изготовления и снижает механическую прочность. Небольшая кон.трастность в отражении в данном случае обусловлена различием в коэффициентах отражения на границах: днэлект- о рическая система — воздух и диэлектрическая система — стекло.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является антиотрджательный интерференционный све- » тофильтр, состоящий из последовательно расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления П + 1ь и диэлек9 трического покрытия, выполненного из слоев с че редующимися A и п показателями преломления и фазовыми толщинами, равнины (2yn+) ), где g e kэ — вещественная и мнимая части комплекспого показателя преломле- 5 ния металлического слоя, Vn — целое

Недостатком известного антиотражательного светофильтра является низ".->б кая контрастность з отражении света

{С=10), по< кольку конструкция фильт-ра обеспечивает лишь выполнение условия ненулевого интерференционного минимума, а коэффициенты отражения на границах: диэлектрическая система— металл и диэлектрическая снстема— .воздух .не согласованы.

Цель изобретения — повышение контрастности в отраженном свете.

Поставленная цель достигается тем, что в антиотражательном интерференционном светофильтре, состоящем из последовательно расположенных на подложке непрозрачного металлического слоя с показателем преломления п +

« в и диэлектрического покрытия, выполненного из слоев с чередующимися и П показателями преломления и„ фазовыми толщинами, равными (2п>-, -1)+<, где п и k — вещественная и мнимая части комплексного показателя преломления металлического слоя,нецелое число, диэлектрическое покрытие выполнено симметричным относительно его среднего слоя, при этом фазовые толщины крайних по отношению к металлическому слою и воздуху слоев равны (2ш+1)-" + 6, а показатели преломления слоев и величина 3 связа- ны соотноше;;.иями (11М

COS = 4 — gj>>Q g

3 — фазовая добавка крайних слоев диэлектрического покрытия;

2И+1 — число диэлектрических слоев.

На фнг, 1 представлена схема предложенного фильтра; на фиг. 2 спектральная зависимость его коэффициента отражения.

Антиотражательный интерференционный светофильтр состоит из подложки 1, прозрачного металлического слоя 2 и диэлектрического покрытия

3. Слои ч выполнены с фазовой толщинои, paH noH (2ш-.1)> "Ь

На фиг. 2 показана спектральная зависимость коэффициента отражения

R фильтра, состоящего из стеклянной пбдлажки, непрозрачного слоя алю- миния и семислойного диэлектрическог покрытия, выполненного из чередующихся слоев сульфида цинка и криоли-, та. В данном случае о =-0,23. Контрастность фильтра в отраженном свете С>10 .

1р сист ем.

1125589 4

Использование предлагаемого фильтра позволит увеличить чувствительность регистрирующей аппаратуры, в частности при лазерных термоядеро 5 ных исследованиях, изучении процессов светорассеяния. Конструкция такого светофильтра не предполагает изменения существующей технологии изготовления тонкопленочных

7РО 3(нн) ЯО

Фиг. 2

Заказ 8536/35 Тираж 496 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул.Проектная,4

Составитель В.Яковлев

Редактор P.цицина Техред А.Бабинец Корректор С.Шекмар