Элемент памяти
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика , отличающийся тем, что, с целью снижения энергопотребления, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью , больщей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика щины записи.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„1129653 А з(я) G 11 С 11 14
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
Э:
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
И" !.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ",,!
Н А ВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 (21) 3544179/24-24 (22) 24.01.83 (46) 15.12.84. Бюл. № 46 (72) В. П. Клин, Б. П. Нам, В. Т. Павлов, А. Г. Соловьев, С. И. Тюменцева и Н. А. Фомкин (53) 681.327 (088.8) (56) 1. Управляемый транспарант на ортоферрите для записи галлограмм. — «Приборы и техника эксперимента», 1975, ¹ 3, с. 210.
2. «Квантовая электроника», 1977, т. 4, № 9, с. 1933-1953 (прототип). (54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью снижения энергопотребления, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью, большей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика шины записи.
1129653
Редактор М. Келемеш Текред И. Верес Корректор A. Обручар
Заказ 8975/41 Тираж 574 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4!5
Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к вычислительной технике с оптической обработкой информации, а именно к устройствам ввода, обработки и запоминания информации.
Известен способ создания элементов памяти, по которому к пластине ортоферрита, обработанной с помощью спецшлифовки под нагрузкой в магнитном поле, прикладывают стеклянную пластину с нанесенными на нее взаимно ортогональными токопроводящими шинами (1) .
Элементы памяти, созданные таким способом, имеют большую энергию переключения.
Известны также элементы памяти, созданные на высококоэрцитивной пластине граната системой взаимно ортогональных токопроводящих шин (2).
Однако переключение такого элемента памяти требует также больших энергетических затрат (ток переключения 0,6 А на ячейку).
Цель изобретения — снижение энергоемкости переключения элементов памяти.
Поставленная цель достигается тем, что в элементе памяти, содержащем прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью, большей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика шины записи.
На чертеже показан предлагаемый элемент памяти.
Элемент включает подложку 1, слой 2 магнитного диэлектрика, шины 3 записи и изолирующий слой 4. Для создания областей с высокой коэрцитивностью используют локальное ионное легирование. На висмутсодержащий гранатовый слой с низкой коэрцитивностью наносят двуокись кремния, с помощью фотолитографии вскрывают об15 ласти, которые должны подвергаться ионному легированию. После проведения имплантации структура состоит из элементов памяти с низкой коэрцитивностью (0,1-0,5 Э), разделенных группой пересекающихся полос с высокой коэрцитивностью (50-100 Э). Переключение осуществляется воздейс вием на элемент памяти тока подающегося системой ортогональных шин, компланарно нанесенных на высококоэрцитивные полосы. Наличие вокруг элемента памяти доменов разных знаков, являющихся зародышами для переключения низкокоэрцитивного элемента, реализует переключение элемента через менее энергоемкий механизм — движением доменной стенки. Это позволяет значительно снизить энергию, расходуемую на переключение элемента, в сравнении с прототипом.
