Однотактный преобразователь постоянного напряжения в постоянное

 

1. ОДНОТАКТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ , содержащий силовой и управляющий транзисторы, дроссель, силовая обмотка которого включена в . 13 .... йи/. jg , .-1. выходную цепь силового транзистора, а дополнительная обмотка включена между базой силового и эмиттером управлякицего транзисторов, отличающийся тем, что,.с целью повышения КПД и надежности, он снабжен первым диодом, включенным между эмиттером управляющего и эмиттером силового транзисторов в проводящем направлении. 2. Преобразователь по п.1, от личающийся тем, что, с целью снижения мощности управления, он снабжен вторым диодом, включенным между базой управляющего и базой силового транзисторов в проводящем направлении. (Л

„„SU „„1148078

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

4 (g) ) Н 02 М 3/335

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г I ч

L J

«.Л

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГТИЙ (21) 3655845/24-.07 (22) 24.10.83 (46) 30.03.85. Бюл. У 12 (72) М.А. Седых и Т.Г. Засорина (53) 621.314.58(088.8) (56) 1. Моин В.С., Лаптев И.Н. Стабилизированные транзисторные преобразователи.-М., "Энергия", 1972, с. 182-183.

2. Авторское свидетельство СССР

В 352266, кл. С 05 F 1/56, 1970. (54)(57) 1. ОДНОТАКТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ, содержащий силовой и управляющий транзисторы, дроссель, силовая обмотка которого включена в выходную цепь силового транзистора а дополнительная обмотка включена между базой силового и эмиттером управляющего транзисторов, о т л и— ч а ю шийся тем, что,.с целью повышения КПД и надежности, он снабжен первым диодом, включенньм между эмиттером управляющего и эмиттером силового транзисторов в проводящем направлении.

2. Преобразователь по п.1, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью сйижения моптности управления, он снабжен вторым диодом, включенным между базой управляющего и базой силового транзисторов в проводящем направлении.

1 1140078 1

Цель изобретения — повышение КПД и надежности за счет уменьшения рассеиваемой мощности при закрывании транзисторов и исключения возможности их самооткрывания путем введения активного запирания и запирающего потенциала на базах транзисторов в закрытом состоянии, Указанная цель достигается тем, что однотактный преобразователь постоянного напряжения в постоянное, содержащий силовой и управляющий 40 транзисторы, дроссель,силовая обмотка которого включена в выходную цепь силового транзистора, а дополнительная обмотка включена между базой силового и эмиттером управляющего транзисторов, снабжен первым диодом, включенным между эмиттером управляющего и эмиттером силового транзисторов в проводящем направлении.

С целью снижения мощности управле- 50 иия преобразователь постоянного напряжения в постоянное может быть снабжен вторым диодом, включенным между базой управляющего и базой силового транзисторов в проводящем направлении.

На чертеже изображена схема однотактного преобразователя.

Изобретение относится .к преобразовательной технике, в частности к регулируемым преобразователям и импульсным стабилизаторам напряжения. 5

Известны регулируемые однотактные преобразователи, содержащие транзистор, дроссель, диод и конденсатор фильтра нагрузки «13, Недостаток указанных устройств — 10 ! относительно большая мощность устройства для их управления, Наиболее близким к изобретению является однотактный преобразователь постоянного напряжения в посто- 15 янное, содержащий силовой и управляющий транзисторы, дроссель, силол1ая обмотка которого включена в выходную цепь силового транзистора, дополнительная обмотка включена между базой силового и эмиттером управляющего транзисторов (2 3.

Данный преобразователь не имеет активного запирания и запирающего потенциала на базах транзисторов в закрытом состоянии и в результате имеет невысокие КПД и надежность, Устройство содержит силовой транзистор 1, управляющий транзистор 2, дроссель 3 с дополнительной обмоткой 4, включенной между базой силового 1 и эмиттером управляющего

2 транзисторов, выпрямительный диод

5, конденсатор фильтра 6, включенный параллельно нагрузке 7, первый диод 8, 8, включенный между эмиттерами транзисторов I, 2 и второй диод 9,включенный между базами транзисторов 1,2.

При подаче управляющего напряжения на вход устройства в положительной полярности относительно базы транзистора 2 открываются транзисторы 2 и 1 и через дроссель 3 протекает ток, который наводит ЭДС в дополнительной обмотке 4.

Положительный потенциал обмотки .

4 прикладывается в базе силового транзистора 1, а отрицательный — к эмиттеру управляющего транзистора 2.

Напряжением обмотки 4 запираются диоды 8 и 9. Силовой транзистор 1 открывается до минимальной величины остаточного напряжения на переходе эмиттер — коллектор за счет положительного смещения перехода база— коллектор от обмотки 4. В интервале открытого состояния транзисторов нагрузка преобразователя 7 и конденсатора 6 отключены диодом 5 и ток через дроссель линейно возрастает от некоторого начального до максимального значения на конце интервала, При снятии открывающего напряжения с входа преобразователя закрывается транзистор 2. После этого начинается запирание транзистора 1, что вызывает уменыйение тока через дроссель 3 и мгновенное изменение ЗДС на обмотке 4. При этом положительный потенциал этого источника прикладывается к эмиттеру транзистора 2 и через диод 8 к эмиттеру транзистора 1, а отрицательный потенциал — к базе транзистора 1 и через диод 9 к базе транзистора 2. В результате происходит активное запирание транзисторов 1 и 2, снижающее динамические потери.

Далее дроссель 3 разряжается на конденсатор фильтра 6 и нагрузку 7.

В течение времени разряда дросселя

3 на базах транзисторов l и 2 поддерживается запирающее напряжение, предотвращающее самопроизвольное включение транзисторов 1, 2.

1148078

Составитель А. Селезнев

Техред М. Надь Корректор Л. Пилипенко

Редактор М. Келемеш

Заказ 1601/42 Тираж 646 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,-4

Техническое преимущество предлагаемого преобразователя по сравнению с базовым объектом — прототипом заключается в уменьшении рассеиваемой мощности при закрываниях транзисторов и в исключении условий их самооткрывания, в результате повышаются К1Щ и надежность.