Датчик параметров полупроводниковых материалов
ДАТЧИК ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ,содержащий цилиндрический резонатор, на одной из торцовых стенок которого закреплен индуктивный стержень, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного стержнй, элементы свя1273 3 1I к длох( t nduKOWU зи цилиндрического резонатора с СВЧ-генератором и индикатором и источник оптического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерен1-ш времени жизни неосновных носителей заряда, источник оптического излучения выполнен в виде светоизпучающей полупроводниковой плоской структуры, которая размещена на внешней поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием и соединена с введенным источником питания, при этом в светоизлучающей полупроводниковой плоской CTpyKTyjie выполнено отверстие, соосное с измерительным отверстием, а его диаметр (Л равен диаметру измерительного отверстия , x& jtaxa Г7771. 0 30 II CiMi ш|11| .
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (!9) (((»
4р»> С 01 N 22/00
Ф
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
К 0локд
Инуумикуи
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3657138/24-09 (22) 26.10.83 (46) 07.04.85. Бюл. Ф 13 (72) Ю.В. Медведев, A.È. Нечаев, А.А, Вилисов и Г.Н. Захарова (53) 621.317(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство CCCI
Р 496515, кл. G 01 R 31/26, 1973.
2. Авторское свидетельство СССР
-В 896524, кл. G 01 N 22/00, 1979 (прототип). (54) (57) ДАТЧИК ПАРАМЕТРОВ ПО.ПУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий цилиндрический резонатор, на одной из торцовых стенок которого закреп:,»ен индуктивный стержень, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного стержня, элементы свя— зи цилиндрического резонатора с
СВЧ-генера-ором и индикатором и источник оптического излучения, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерений времени жизни неосновных носителей заряда, источник оптического излучения выполнен в виде светоизчучающей полупроводниковой плоской структуры, которая размещена на внешней поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием и соединена с введенным источником питания, при этом в светоизлучающей полупроводниковой плоской структуре выполнено отверстие, соосное с измерительным отверстием, а его диаметр равен диаметру измерительного отверстия.
3 1((9 3 с(Я г
<с г г:: г г
1 (1 < r (r
С:.г
Иао брет(- нис От)!Осится к т(« ике ис)мо()ен?(й на (.,Ь> r>C. I?r HO) 0 O0ïðÎÒÈÂ
Л 01! ИН . НРЕ М ЕHИ )К)13! IH ((О СИТЕ)(Е(т 3 аР Н
Д(г!1!B (. >! -10 Х<)ДHL»I С:Ы )Ь(.!1 13 I>i 1!PD
; но;; T =;;; (Олуп «Овинников,.))(принo>
B " D.B ., ,; 3-;;: < -,, 1) 5(1). 1?(К ti >Р» тс ТРО)3 I)(>)IV— . роl;>;и (.к ы. ::.- а Гери!1 "он, сод(!ржа-,<(>т?1 ., II Т
Гtj н О к !» г 1 г.: 17 О (i 3 с(к P с,! J 1 (H B (! .ê (> (! т 11 О?1 (г: (I !p f t: pH (<
С ГP;-(: . ?r " !» 01(: (0)! "«г 0 <. Т! r(> . Г(т. (РН
1; Л: . >(". с: ."::, Р;,>гг(". О(11>Ä т(г, f< 0 f, « г
,. г! с,) (с; t г . < I 1! i . (t i :<,1 -I(< р<> г(1; D il t " <> г г, 11, t > tl;! (. 1 Р: 1 й. 1 <» 3 (:,< .,с< г тг, !г,С, ; т(" 1(т>),!r! l, ) ., (: (г (» » Х;rrlrt((!..<>tt j p
>т) . < (. : 1 . . :: t !t L 151 < ;1! :If
ji !»15 jÈ,i> 1 г< ("« с*"г— т ); Г; »,j г iri((j гт t: ° i « t . ftt,:,i г); ,>(»г 1 I t !:! I !<(; . :t ". t: г. .,: It t >П-.: < тт.; г., (! I i l (ООН. -l)!!", ., .;";,tt: ..Т", .ТV< ;( к,:3 . ti, 5! О 3 3! <(1!.:: t ".tr ll, :j К!М 1(от<>HI!HJC > 1 ПИТДНИя (С (ОИЗХ" Ч 3?.)<3<С И IIO f) ПРО>3С>Д ИКОВОИ плос Yo:"I структуре;. В)пол pHD отверстие. Гc)o«HC>e с иамсрительным отнерсТИ(3М а Е(0, 1?!а(с(ЕТР Ра13ЕН ЛпаМЕТРУ H ) MP Р?(ТЕ:1ЬНО г О OT?3(! )(.ТИЯ, >. т(ЕРтС>ГЕ ПРИВЕДЕНа КОНСтРУКПИЯ Да-..H?I<(а ПаРаМЕт )ОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВых "(»iòåðèH>HîB. ,1;> f t1H!C CO!(Е»КH1 () 5(ив г;РЦ<т((jCfi?I PPB 0Ht1ÒÎÐ 1 Нс> ОДНОП ИЗ 01 1, 013ЫХ СТ-.HOК !«DTOPOJ 0 3с<1«Р -Ji.iñf1 И iЛУI;THB JIt.f?(стержень :, а на, (ру((,>1 вь!Нолне-!!о 1>амс р»p)(f -!ое атверс, ие 3 „B ко— "<) рс>е (< и<) (H с (т бо- !(rf i?l i(<«liB)r Ит; IV к— Кlili !<>Г«т< ?>1;f(B,:!Ë!O. !01:Тт: ((1>--: (;35! -3Ц;(И<гни (РИ«с КО; (» РОЗ(!H;> Tот>са 1 сгг- с r ,,(, < > — < г НОP!1 . )Р(Х,! <7 H H-:, т?(К(1"! О -.ОМ НЕ:.: I«>B301:,j > !(Г<> !>!ИК < .ITj! КО— ) <>: i:t:У t. l!1 j >:!L: .тг(г(»(с(11,<(< 13 ->;1;(г.—. C!lf (I H1«ll <3 35!г Plt (,ii."!!bf?I О ВОРС ! 1 C:О<, И!I; Н« (1313=53(HH!"" it 1 > с < >< 1 > ! т (т 1 . 51 „ ; !) 1 3 Т t > i В < > <. . .., К V l) t: т<:Г .. .,;.(с, Г>; T >,:. г) (— < «Г 1 Г 1 3"(1 " (f j, I 5, 1 (. rj t>;(- t1> р>> 1(-г 1 j ((»t! . Г "3(>" и 3 1 :",(!1::> :Г! ()13<1 <1 !г .- ° <>р 1 | (.:(ст 5(с )т 1< i jr r> гж (it!; г>1 t !<Ия О (. 331-1--1 ЕН<- (а Ор 5> !10 -;— ;г r —.; .1()!,()„д Ог у т((г>гг.)ОН)(5! г — т(»г ((:тп>т .(< Г>1 i; I Оi;> ", .! 1;i -.;l!1(I а>аа;.:" .>î>3 ,tтг»rtf ) .,, >i;, . t\ 3«i, ° I(j Гr!<) 1;„110<3:гlн>тОж, (г(<«с! (? .",>. у<ОТ, .(. 15(ЧГ 1 О B ф(<КГ "ip()B»r Н .гт 3, г» 1 с)(»ос>(.Х Ч <Г) ОТ ()!I<)г 1 г . г; « . 1;) - " . 1 j !, 3<, i т т О гг 3 B< T Я т l! ;1 t ИЯ ?r B— г ст)<. (. ; Г,; > :r 1) HO) (, и.) >г!»>Х» »Л с. . - К ГОР=> Н "rj" г(а(ЛТ ; ((.ТВИН >3<)»(,.ч Г . (;>:: и;. (,: н .", I ò, сит< Я качибр<«:30«!1(г> 1 j:Bt!;t!C:,1<) !COТОр, у 3 lа fh >r; . !1(! ° «,,-, <- JriT(,»tаа ?С B —:n а )па 1;, «131" pr i it " Н" IИТ 51 К D I Г.rBТ ; а tr(I>)i т (г 1 (31)> < >л;-!<;. ((> ;, (г> < а (-< t (г с г "" Г К: Рг»3» OM . . I rtlf <3(! t >Н !I» lt(>5(.JBP— 1149148 Составитель P. Кузнецова Редактор О. Юрковецкая Техред С.Легеза Корректор И. Муска Заказ 1871/29 Тираж 897 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 живания с помощью элемента 4 связи заданной при калибровке амплитуды сигнала без исследуемого образца 12. Для измерения времени жизни неосновных носителей заряда светоизлучающая плоская полупроводниковая структура 7 запитывается от генератора импульсов прямоугольной формы. Появившийся на выходе сигнал-отклик, пропорциональный току фотопроводи- to 4 мости исследуемого образца 12, регистгируется на экране осциллографа, и время жизни неосновных носителей заряда рассчитывается по времени спада этого сигнала в е раэ. Измерение времени жизни для неосновных носителей заряда для каждого полупроводникового исследуемого образца 12 осуществляется с высокой точностью (до 107).
