Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

 

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОРИГИНАЛА ОПТИЧЕСКСЙ СИГНАЛОГРАЮШ путем вакуумного нанесения на дисковую основу полупроводникового халькогенидного слоя, на который воздействуют лазерным лучом с последующим травлением , отличающийся тем, что, с целью повьшения снектраль ной чувствительности в видимой области и в области высших чдртот и селективности травления, перед нанесением пoлyпpoвo шикoвoгo халькогенидного слоя на дисковую основу в вакууме напыляют металлическую пленку , а при воздействии лазерным лучом осуществляют взаимную фотостимулированную диффузию на границе раздела металлической пленки и полупроводникового халькогенидного слоя.

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЕМЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (,ц а l I В 7/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

t% ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И (ЛНРЫТЮ (21) 3675205/24-lO, (22) 19 ° ю2,83 (46) 30.64.85.Бюл. У 16 (72) Ю. К.Бакулин, И.Т,Костьппин, С.А.Костюкевич и П.K.Øåïåëÿâûé (53) 68) 84.00).2(088.8) (56) l. Патент ФРГ Ф 2603888, кл. G 13 В 7/26, опублик. 02.09. 76.

2. Патент Японии М- 56-33779, кл. (l1 В 7/26, онублик. 06.08.81 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ИЭГОТОВЛЕНИЯ ОРИЖНАЛА ОПТИЧКСКОЙ СИГНАЛОГРАИИЫ путем вакуумного нанесения на дисковую основу полупроводникового халькогенидного слоя, на который воздействуют лазерным лучом с последующим травлением, о т л и ч а ю щ и it с я тем, что, с целью повышения спектраль ной чувствительности в видимой области и в области высших частот и селективности травления, перед нанесением полупроводникового халькогенидного слоя на дисковую основу в вакууме напыляют металлическую пленку, а при воздействии лазерным лучом осуществляют взаимную фотостимулированную диффузию на границе раздела металлической пленки и полупроводникового халькогенидного слоя.

54 тот и селективности травления. пленку, напыленную н

Поставленная цель достигается нову После этого на тем, что согласно способу изготов- ковый халькогенидный ления оригинала оптической сигнало- «О ствуют лазерным лучо граммы путем вакуумного нанесения при этом взаимную фо на дисковую основу полупроводнико- ную диффузию на гран вого халькогенидного слоя, на кото- таллической пленкой рый воздействуют лазерным лучом с ковым халькогенидным последующим травлением, перед на- «» чивающую образование несением полупроводникового халькоге- ния, обладающего ины нидного слоя на дисковую основу в свойствами чем его c вакууме напыляют металлическую плен- ле воздействия лазер ку, а при воздействии лазерным лу- водят травление, обе чом осуществляют взаимную фотости- y) мирование p bефа B мулированную диффузию на границе или впадин глубиной, раздела металлической пленки и полу- длины волнывоспронзв проводникового халькогенидного слоя. Использование изо

Предложенный способ за счет rg- ляет в значительной го, что перед нанесением полупровод- чувствительность и р никового халькогенидного слоя на дис- собность.

ЯПККПЦ Заказ 2510/41 Тираж 584 Подписное àà ППП "Патент, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

1 1!533

Изобретение относится к накопле- нию информации, а именно к способам изготовления оригинала оптической сигналограммы.

Известен способ изготовления оригинала оптической сигналограммы путем формирования рельефа на поверхности рабочего слоя и нанесения на него металлической пленки, позволяющий обеспечить относительную прос- 10 тоту процесса изготовления оригинала оптической сигналограммы Pl 1.

Недостаток известного способа— значительная длительность процесса изготовления оригинала оптической 1» сигналограммы.

Известен также способ изготовления оригинала оптической сигналограммы путем вакуумного нанесения на дис" ковую основу полупроводникового 29 халькогенидного слоя, на который воздействуют лазерным лучом с последующим травлением. Этот способ позволяет обеспечить малую длительность процесса изготовления оригинала опти- 2» ческой сигналограммы 2 1, Данный способ обеспечивает высокую чувствительность в видимой области и в области высших частот и высокую селективность травления засве- щ ченных и незасвеченных участков, подтрав которых снижает отношение сигнала к помехе при воспроизведении.

Цель изобретения — повышение спектральной чувствительности в видимой области и в области высших часковую основу в вакууме напыляют металлическую пленку, а также за счет того, что при воздействии лазерным лучом осуществляют взаимную фотостимулированную диффузию на границе раздела металлического слоя и полупроводникового халькогенидного слоя, позволяет в значительной степени повысить спектральную чувствительность в видимой области и в области высших частот с одновременным повышением селективности к травителям при формировании рельефа, обусловленной отличием химических свойств образованного интерметаллического соединения .

На чертеже показано устройство для осуществления предложенного способа изготовления оригинала оптической сигналограммы.

Устройство содержит формирователь 1 лазерного луча, установленный с возможностью воздействия на полупроводниковый халькогенидный слой 2 оригинала 3 оптической сигналограммы, сопряженный через металлическую пленку 4 с дисковой основой 5.

Изготовление оригинала оптической снгналограммы происходит следующим образом.

На дисковую основу в вакууме напыляют металлическую пленку, например, алюминиевую или серебрянную. Затем производят вакуумное нанесение полупроводникового халькогенидного слоя на металлическую а дисковую осполупроводнислой воздейм, осуществляя тостимулированице между меи полупроводнислоем, обеспенового .соединеми химическими оставляющие. Посным лучом проиэспечивающее форвиде выпуклостей равной четверти одящего излучения. бретения поэвостепени повысить азрешающую спо