Пьезоэлектрический керамический материал
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, включающий ,fTi40 j , отличающийся тем, что, с целью увеличения пьезоэлектрического модуля и улучшения его стабильности в температурном интервале до 500С, он дополнительно содержит PbNbjyCrojOj при следующем соотношении компонентов, мол.%: Nao,jBi,5Ti40is 90,0-92,5 7,5-10,0 РЬНЬо,5СГо,50з (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU „„1154247
4(511 С 04 В 35/46
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Na,qBiq Т „01 90,0-92,5
РЬНЬ,> gCro s 03 7,5-10,0
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3693922/29-33 (22) 20.01.84 (46) 07.05.85. Бип. Р 17 (72) E.Ã. Фес енко, А.Я.Данцигер, О. Н. Разумовская, Н.В.Дергунова, А. E. Панич, А. Н. Клевцов, В.П. Завьялов и В,Е.Бурланков (71) Ростовский ордена Трудового
Красного Знамени государственный университет им.М.А.Суслова (53) 666.655(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР
У 831760, кл. С 04 В 35/00," 1979.
2 ° Ривкин В.И. и Росляков Н.И. Исследование температурных характеристик пьезокерамики на основе сегнетоэлектриков с высокой температурой
Кюри. — Тезисы докладов UI межотраслевой конференции, Донецк, сентябрь, 1978, с. 9.
3. Патент Великобритании
Ф 1227623, кл. С 1 J, 1976. (54) (57) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, включакщий
Naz 1154247 Na p, В1 Т1 0 „» PbNbp, Сг,> О„ 90,0-92,5 7,5-10,0 Соста d . 10 КЛ/Н 7,5 92,5 10,0 90,0 Изобретение относится к пьезокерамическим материалам и может быть использовано для создания высокочастотных преобразователей, работающих в условиях повышенной температуры, в частности, для дефектоскопов с рабочими температурами. до 500 С. Известны пьезокерамические материалы на основе слоистого титаната висмута и натрия-висмута, используемые в пьезопреобразователях с рабочей температурой 500 С (1 j и (2). Однако указанные материалы имеют недостаточно высокие значения пьезомодуля d =(10-20)- 10 Кл/Н и сравнительно невысокую его стабильность (уход пьезомодуля d =15-20%) — до о 500 С, поэтому они не могут эффективно применяться в датчиках дефектоскопов. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является пьезокерамический материал на основе слоистого титаната натрия — висмуо 5 В1 Ф 5Т1 0„5 Е 3 3. Однако известный материал .имеет невысокое значение пьезомодуля d -= =10 ° 10 " Кл/Н и сравнительно невысокую температурную стабильность (уход пьезомодуля d g"-20%) до 500 С. Целью изобретения является увеличение пьезоэлектрического модуля и улучшение его стабильности в температурном интервале до 500 С. Поставленная цель достигается тем, что пьезоэлектрический керамический материал, включающий На В1 »Тiq О », дополнительно содержит PbNbp5Cr«Oq при следукзцем соотношении компонентов, мол.%: Синтез составов осуществляется по обычной керамической технологии в защитной атмосфере Pb0 в две стадии. Компоненты состава, мол.% В1 Т1 0 PbNb » Сг@ О Температура иервогс синтеза T =850" С, температура второго синтеза Т =900" С продолжительность синтеза 10 ч. Спекание образцов производят методом го5 рячего прессования по следующему режиму: температура 1065-1125 С, давление 19,6 MIIa время выдержки 40 мин. Поляризацию образцов проводят в полисилоксановой жидкости ПЭС-5 при 180 С в течение 45 мин в поле напряженностью.6,0-7,0 NB М " с последующим охлаждением под полем до 90 С. Измерение электрофизических парамеров проводят через 24 ч после поля15 ризации в соответствии с ГОСТ 1237080. Электрофизические характеристики исследованных составов приведены в табл. 1. По сочетанию параметров составы предлагаемой системы превосходят известный и базовый пьезоматериал ТНаВ-1 (1, используемый в пьезопреобразователях при рабочей температуре 500 С (табл.2). По сравнению с известным материалом значение пьезомодуля d возрастает в 2,0-2,2 раза, а стабильность его улучшается в 1,5-3 раза. Расширение интервала концентраций 30 PbNbo>Cro Оз ведет к заметному снижению величины пьезомодуля d», например, у составов 3-9 (табл. 1), в которых содержание Nap, Bi Ti О, и PbNbp < Cr р О BblxopHT за предлагаемые 35 пределы. Сочетание высоких значений температуры Кюри (Т ) и пьезомодуля d q с его хорошей температурной стабильнос40 тью и низкими значениями диэлектрической проницаемости E,,т /E, позволяет использовать предлагаемый материал в широком температурном интервале (-200)-(500) С в датчиках дефектоско45 пов для контроля качества сварки швов иэделий атомного машиностроения. Таблица 1 Электрофизические параметры 157 0,22 0,037 1660 550 ?0 154 0,40 0,040 2600 550 22 154247 Продолжение табл.l Соста ss/ o а 0 11,0 89,0 12,5 87,5 15,0 85,0 20,0 80,0 2,5 97,5 95,0 5 0 6,0 94,0 Т а блица 2 Базовый материал ТНа В-1 (2) Известный материал Предлагаемая система xNapsBi< s Ti 0„sy PbNbo Cr o,s 0 »ig0q у Т10 Е Nа,o х Ла д В1 - Т +01 Состав, вес.% Состав, мол.X Состав, моЛ.X Х = 92,5-90,0 У = 7,5-10,0 Х = 75,78 Х = 100X У = 23,10 Z= l,12 дузэ 10 э Кл!Н 20-22.14 Уход d ys, %. (до 500 С) 7-14 20 3з Fî 154 157 130 150 ВНИИПИ Заказ 2620/20 Тирам 605 Подписное Филиал ЛПП "Патент", г.Умгород, ул.Проектная, Компоненты состава, мол.X В1 Т1i0, PbNbos Сг О Электрофпэические параметры т tg d 10- К Q Т, dps-10 С К /Н 153 0,58 0,030 2500 )550 16 150 0,75 0,020 2600 )550 8 160 1,44 0,027 2640 )550 8 154 2,41 0,037 1860 )550 9 168 0,25 0,025 1540 )550 11 152 0,24 0,034 1580 )550 12 154 0,23 0,035 1600 >550 15