Полупроводниковый прибор

 

Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для боковых конусных поверхностей структур, диаметр которых уменьшается в направлении от этого элемента.



 

Похожие патенты:

Тиристор // 1088676

Тиристор // 1026610
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов с p-n-переходами и может быть использовано для изготовления тиристорных структур

Тиристор // 908198
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов, в частности к тиристорам с высокой di/dt стойкостью и нагрузочной способностью

Изобретение относится к двунаправленным переключателям на основе многослойных структур с p-n-переходами и однополярным управлением

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Тиристор // 2173917
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров

 

Наверх