Способ изготовления омических контактов
Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.
Похожие патенты:
Установка ионного легирования // 1144560
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области производства интегральных схем (ИС)
Способ изготовления интегральных схем // 1098456
Способ создания легированных областей полупроводниковых приборов и интегральных микросхем // 1083842
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689
Способ ионного легирования твердых тел // 2193080
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников
Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий
Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств