Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

 



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком лазерным электронно-лучевым трубкам (ЭЛТ)

Изобретение относится к лазерным сканерам и может быть использовано в системах отображения на экранах коллективного пользования знаковой и графической информации в реальном масштабе времени, в составе технологического обслуживания в системах автоматизированного проектирования и изготовления двухмерных и трехмерных изделий, или в качестве диагностического и лечебного средства в составе медицинского оборудования, а также в сканирующих оптических микроскопах

Изобретение относится к экранирующим полупроводниковым лазерам с электронной накачкой - лазерным электронно-лучевым приборам, которые применяются, в частности, в системах отображения информации и медицинской технике

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к технологии изготовления лазеров, и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к источникам когерентного оптического излучения и может найти применение в волоконно-оптических линиях связи и при решении задач охраны окружающей среды

Изобретение относится к технологии изготовления лазерных электронно-лучевых трубок (ЛЭЛТ), в частности к способам изготовления активных элементов, или лазерных мишеней трубок

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптических волоконных линий связи, оптоэлектронных устройств обработки информации и т

Лазер // 1356927
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам, и может быть использовано при изготовлении устройств оптической связи, оптоэлектроники, для изучения быстропротекающих процессов

 

Наверх