Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

 

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного дополнительного слоя d1 меньше толщины второго дополнительного слоя d2 в число раз, определяемое из соотношения

а разность ширины запрещенной зоны i области излучательной рекомбинации и каждого из дополнительных слоев выбрана из соотношения

где Pi - концентрация основных носителей дополнительного слоя (i=1,2);

i - время жизни неосновных носителей дополнительного слоя;

Egi - ширина запрещенной зоны дополнительного слоя;

di - толщина дополнительного слоя;

P, , d - соответствующие параметры области излучательной рекомбинации;

L - диффузионная длина неосновных носителей в этой области;

К - постоянная Больцмана;

Т - температура структуры, K;

Si - скорость поверхностной рекомбинации на гетерограницах дополнительного слоя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком лазерным электронно-лучевым трубкам (ЭЛТ)

Изобретение относится к лазерным сканерам и может быть использовано в системах отображения на экранах коллективного пользования знаковой и графической информации в реальном масштабе времени, в составе технологического обслуживания в системах автоматизированного проектирования и изготовления двухмерных и трехмерных изделий, или в качестве диагностического и лечебного средства в составе медицинского оборудования, а также в сканирующих оптических микроскопах

Изобретение относится к экранирующим полупроводниковым лазерам с электронной накачкой - лазерным электронно-лучевым приборам, которые применяются, в частности, в системах отображения информации и медицинской технике

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к технологии изготовления лазеров, и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к источникам когерентного оптического излучения и может найти применение в волоконно-оптических линиях связи и при решении задач охраны окружающей среды

Изобретение относится к технологии изготовления лазерных электронно-лучевых трубок (ЛЭЛТ), в частности к способам изготовления активных элементов, или лазерных мишеней трубок

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптических волоконных линий связи, оптоэлектронных устройств обработки информации и т

Лазер // 1356927
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам, и может быть использовано при изготовлении устройств оптической связи, оптоэлектроники, для изучения быстропротекающих процессов

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

Наверх