Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

 

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного дополнительного слоя d₁ меньше толщины второго дополнительного слоя d₂ в число раз, определяемое из соотношения

а разность ширины запрещенной зоны Δ_i области излучательной рекомбинации и каждого из дополнительных слоев выбрана из соотношения

где P_i - концентрация основных носителей дополнительного слоя (i=1,2);

τ_i - время жизни неосновных носителей дополнительного слоя;

E_gi - ширина запрещенной зоны дополнительного слоя;

d_i - толщина дополнительного слоя;

P, τ, d - соответствующие параметры области излучательной рекомбинации;

L - диффузионная длина неосновных носителей в этой области;

К - постоянная Больцмана;

Т - температура структуры, K;

S_i - скорость поверхностной рекомбинации на гетерограницах дополнительного слоя.