(H01S3/18)
H01S3/18 (рубрика аннулирована. содержание перенесено в H01S5/32)(23)
Изобретение относится к лазерной технике, в частности к полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком лазерным электронно-лучевым трубкам (ЭЛТ). .
Изобретение относится к экранирующим полупроводниковым лазерам с электронной накачкой - лазерным электронно-лучевым приборам, которые применяются, в частности, в системах отображения информации и медицинской технике.
Изобретение относится к лазерным сканерам и может быть использовано в системах отображения на экранах коллективного пользования знаковой и графической информации в реальном масштабе времени, в составе технологического обслуживания в системах автоматизированного проектирования и изготовления двухмерных и трехмерных изделий, или в качестве диагностического и лечебного средства в составе медицинского оборудования, а также в сканирующих оптических микроскопах.
Изобретение относится к технологии изготовления лазерных электронно-лучевых трубок (ЛЭЛТ), в частности к способам изготовления активных элементов, или лазерных мишеней трубок. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к источникам когерентного оптического излучения и может найти применение в волоконно-оптических линиях связи и при решении задач охраны окружающей среды.
Изобретение относится к лазерной технике, в частности к технологии изготовления лазеров, и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения.
Изобретение относится к электронной технике, а именно, к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности (106 Вт/см2 и с ограниченной по размерам излучающей площадкой.
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например , в устройствах измерительной техники и автоматики. .
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении генераторов импульсов стимулированного излучения со стабильной амплитудой . .
Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. .
Изобретение относится к импульсной техн ике и может быть использовано , например, в системах оптической локации. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в технике связи и спектроскопии. .
Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. .
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам, и может быть использовано при изготовлении устройств оптической связи, оптоэлектроники, для изучения быстропротекающих процессов. .
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптических волоконных линий связи, оптоэлектронных устройств обработки информации и т.