Способ определения структурной упорядоченности кристаллов мусковита

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРНОЙ УПОРЯДОЧЕННОСТИ КРИСТАЛЛОВ МУСКОВИТА, включающий облучение кристалла потоком электромагнитного излучения, измерение интенсивности отраженного от кристалла излучения и определение структурной упорядоченности кристалла по результатам измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности определения, кристалл облучают эллиптически поляризованным излучением, измеряют интенсивности отраженного от кристалла излучения при волновых числах, равных 1040 и 1070 см и определяют структурную упорядоченность кристалла р по соотношению Р, (Л с где . ринтенсивность отраженного от кристалла излучения при волновых числах, равных 1040 и 1070 см соответственно . CD vl со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН уц4 G 01 N 21/47

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ "ч.

Е

pv

Зд ственно. (21) 3695316/24-25 (22) 20.12.83 (46) 15.09.85. Бюл. Р 34 (72) С.В.Кузнецов и В.В.Ципцов (71) Петрозаводский государственный университет им. О,В.Куусинена и Институт геологии Карельского филиала АН СССР (53) 535.24(088.8) (56) Волков К.И. и др. Свойства, добыча и переработка слюды. Иркутск:

Восточно-Сибирское изд-во, 1971, с. 38.

Baronnet А,01ves J. The geometry, of micas around Kink band bounderiesò

Е.А. crystallographic model Tectonphysics, 1983, v. 91, N 3-4, . р. 359-373. (54)(57) СПОСОБ ОПРЕДКЛЕНИЯ СТРУКТУРНОИ УПОРЯДОЧЕННОСТИ КРИСТАЛЛОВ

МУСКОВИТА, включающий облучение кристалла потоком электромагнитного

„„SU„„1179173 А излучения, измерение интенсивности отраженного от кристалла излучения и определение структурной упорядоченности кристалла по результатам измерений, отличающийся тем, что, с целью повьппения надежности определения, кристалл облучают эллиптически поляризованным излучением, измеряют интенсивности отраженного от кристалла излучения при волновых числах, равных 1040 и 1070 см ", и определяют структурную упорядоченность кристалла Р по соотношению где — интенсивность отраженного

А,к от кристалла излучения при волновых числах, равных

1040 и 1070 см соответ1179173

Составитель Г.Коломейцев

Редактор Т.Веселова Техред Ж.Кастелевич Корректор М Демчик

Заказ 5654/42 Тираж 897 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к исследованию кристаллов и может быть использовано для определения структурной упорядоченности кристаллов мускозита.

Целью изобретения является повышение надежности определения структурной упорядоченности.

Способ основан на новой экспериментально установленной связи между изменением интенсивности полосы отражения, отвечающей антисимметричному колебанию атомов типа Е по отношению к интенсивности полосы отражения, отвечающей симметричному колебанию атомов в алюмосиликатных тетраэдрах решетки мусковита и положением плоскости оптических осей доменов относительно кристаллографических осей мусковита 0 и S . .Чем меньше интенсивность полосы, отвечающей колебанию типа Е, тем больше значение угла поворота оптических осей относительно кристаллографической оси 6

Способ осуществляется на серийных спектрометрах или спектрофотометрах, например на ИКС-21 или ИКС-22, с приставками для измерения зеркального отражения, например ИП0-22.

Для осуществления способа ориентируют образец мусковита плоскостью третьего пинакоида так, чтобы угол падения пучка излучения составлял не более 10 к нормали плоскости третьего пинакоида. Облучают кристалл мусковита эллиптически поляри1О зованным излучением. Измеряют величину интенсивности отраженного излучения для полосы, отвечающей антисимметричному колебанию атомов в алюмосиликатном слое типа E с волновым числом 1040 см, и для полосы, отве чающей симметричному колебанию типа

А с волновым числом 1070 см . При измерении отражения нет необходимости вращать кристалл мусковита отно2б сительно электрического вектора Е инфракрасного излучения, так как при использовании эллиптически поляризованного излучения интенсивности полос типа Е и типа A не меняются при повод роте кристалла. Затем определяют структурную упорядоченность кристалла по отношению измеренных интенсивностей.