Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов

Авторы патента:

H01L21/782 - для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента (H01L 21/82 имеет преимущество)

.Я 126195

Ь,ласс 21, 1 !си

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

С. А. Дохман, Г. Г. Лебяжьев, Б.. Д, Пово.ноцкий, Г. В. Лагуткин, С. M Васильев, С. И. Альтман и Д. Н. Мичурин

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЪНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ

Заявлено l3 мая !959 г. за ¹ 627759/24 в 1(омитет по делами изобретений и открытий при Совстс Л!ппистров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 4 за !960 и.

Настоящее изобретение относится к способам изготовления селеновых выпрямительных элементов в единых картах из одного для группы элементов селенового листа, разрезаемого на отдельные элементы непосредственно перед сортировкой готовых изделий.

Предлагаемый способ отличается оТ известных тем, что на сслено- вый лист предварительно наносят сетку нз изолирующего !атериала, например лака, расположенную по линиям последующего разреза листа и исключающую закорачивание элементов в процессе нх разрезки и эксплуатации.

Это позволяет упростить технологический процесс путем исключения необходимости применения трафарета при нанесении верхнего электрода.

На чертеже изображена принципиальная схема изготовления селеIl0BbIx выпряхгительных элементов ilo предлагаемому способу.

На селеновый лист перед нанесением верхнего электрода наносится координатная, например, лаковая сетка 1, расположенная по линиям последующего разреза листа на отдельные элементы. Толщина наносимого слоя лака должна быть такой, чтобы в процессе разреза листа он предотвращал возможность непосредственного соприкосновения верхнего электрода с основой и обеспечивал достаточную э !ектрическую прочность элементов в эксплуатации. Практически достаточно выполнять такой слой толщиной около 0,1 мм. Элементы имеют отверстия 2, в местах расположения которых одновременно с нанесением координатной сетки

1 на элементы наносят слой изоляционного материала. Это необходимо для того, чтобы исключить возможность закорачивания селеновых элементов в процессе прокола отверстий. Для обеспечения точного совпаPfo 126195 дения линий разреза листа на элементы с координатной сеткой по краям его делаются фиксирующие гнезда 8 или отверстия.

Предмет изобретения

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов в единых картах из одного для группы элементов селенового листа, разрезаемого на отдельные элементы непосредственно перед сортировкой готовых элементов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса путем исключения необходимости применения трафарета при нанесении верхнего электрода, на указанный лист предварительно наносят сетку из изолирующего материала, например лака, расположенную по линиям последующего разреза листа и исключающую закорачивание элементов в процессе их разрезки и эксплуатации., Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор В. М. Парнес ip. 97

Информационно издательский отдел. Подп. к печ. 15.111-60 r. ,Объем 0,17 п. л. Зак. 2484 Тираж 1170 Цена 25 коп. Ти;гография Комигета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петрсвка, 14.

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов

Способ формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей // 2509391

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины. Защитное покрытие наносят толщиной, обеспечивающей поглощение лазерного излучения с плотностью энергии меньшей порога плавления в материале защитного покрытия и препятствование его воздействия на полупроводниковый материал. Скрайбирование, формирующее грань, осуществляют с использованием многопроходного режима. В каждом проходе приборной пластины скорость ее движения выбирают из условия отсутствия на поверхности больших зон расплава материала за счет перекрытия световых пятен от импульсного излучения, а также отсутствия уменьшения ширины канавки за счет осаждения расплава. При скрайбировании формируют канавку симметричной V-образной формы, направляя излучение по нормали к поверхности приборной пластины и получая канавку со стенками, образующими с поверхностью приборной пластины тупой угол α, или асимметричной V-образной формы, путем отклонения оптической оси лазерной системы, генерирующей требуемое излучение для скрайбирования, от нормали к поверхности приборной пластины в поперечном направлении формируемой канавки, получая канавку со стенкой со стороны чипа, образующей с поверхностью приборной пластины угол менее величины α и не более 180°-α. В результате достигается повышение эффективности преобразования изображений в мозаичном фотоприемном модуле и расширение области его применения. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании // 2597210

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.