Формирователь биполярных импульсов

 

СОО3 СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„.12Î3691 (1) 4 Н 03 К 5/01

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ !

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ю/с

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3584527/24-21 (22) 27.04.83 (46) 07.01.86. Бюл. №- 1 (71) Украинский заочный политехнический институт им. И.Ç.Соколова (72) Ш.X.ÁàäàëèøåB и А.P.Êîðñóíîâ (53) 62 1. 374(088 .8) (56) Микроэлектронные цифроаналоговые преобразователи информации./Под ред. В.Б.Смолова, Л.: Энергия, 1976, с. 50, рис. 2-28б.

Авторское свидетельство СССР № 809527, кл. Н 03 К 5/01, 1979. (54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ БИПОЛЯРНЫХ

ИМПУЛЬСОВ, содержащий инвертор, входной транзистор прямой проводимости, база которого подключена к входу инвертора, эмиттер через первый резистор подключен к его выходу, а коллектор через второй резистор— к шине отрицательного питающего напряжения, выходной транзистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, выходной транзистор выполнен в виде полевого транзистора с двумя изолированными затворами и каналом и,— типа, первый затвор которого подключен к выходу инвертора, второй — к коллектору входного транзистора, исток через диод соединен с шиной отрицательного питающего напряжения, а сток через резистор — с шиной положительного питающего напряжения.

Составитель I.ÓlàñHoâà ехРеп ., 1 QIIHK Корректор Г.Решетник

Редактор Н.Пушненкова

Заказ 84 29/бО 1ира;г. Q 7 1 Подписное

РНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений к открытий

113035, Мсс<ва, Ж-35 Раушская наб., д. 4 /5 филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использо,a-Но в устройствах управления переключающими элементами.

Целью изобретения является повы шение бЬ стрсдействия.

Ьа чертеже представлена электрическая схема формирователя бгп1олярных импульсов. формирователь биполярных импуль-"

"oH "одержит инвевтор 1,, первый резистор 7., бкпогярный транзистор 3 прямой ггооводимости второк резистор :,, полевой транзистор 5 с двумя изолированными затворами и канало в-типа, третий резистор б. диоц 7, При кали-лп- "a входе инвертора 1,. являющегося одновоеменно входом форми ователя„ напряжения нулевого уровня на выходе кнвертсра 1 находит ся положительное напряженке, соо-.— ветствующее напряжению логической еди цы,, которое через резистор 2 поступает на эмиттер биполярного транзистора 3. При этом транзистор

3 открыт и в цепи его коллектора протекарт ток, величина которогс ограничивается сопротивлением резистора 4. Напряжение между вторым за"".вором полево-о транзистора 5 и его истоком сказывается 11опожительным,. благодаря чему транзистор открыт., Для ограничения тока стока в его цепи включен резистор 6. На стоке ПОпевсгО транзистОра 5р кОторый является выходом формирователя,, присутствует отрицательное напряже-нке., соответствующее напряжению на шине отрицательного питающего напряжения: llpH наличии на входе HH вертора напряжения,, .Остветствующего уровню логической единицы, 1

91 з оиполярный транзистор 3 запирается.

Напряженке между затвором полевого транзистора 5 и его истоком благодаря диоду 7,, включенному в цепь истока, оказыв;:.ется отрицательным.

Полевой транзистор 5 также запирается и на ето стоке появляется попожктельное напряжение, соответстзуюшсе напряжению на шине положительного источника напряжения.

При переходе входного напряжения формировател.я с одного логического уровня на другой на базе биголярного транз IOTopa 3 происходит одновременное изменение управляющих потенцка11ов в противоположные стороны,. что эквивалентно увеличению с:=.орости изменения потенциала на втором затворе полевого транзистора

5,. Скорость изменения потенциала первого затвора этого транзистора соответствует скорости переключения инвертора. 1 ак как фазы сигналов на пppBOM и втОрОМ з 1TBopBx пс IeBQI О транзистора îдинаковы, скорость изменения уровня напряжения на .сто :е полевого транзистора возрастает

Использование двухзатворного поле. вого транзистора позволяет сократить время переключения с низкого уровн;-: напряжения на высокий уровень на 20%„ а время переключения с выСОКОгс УРОВНЯ НаПРЯжЕНИЯ На НИЗКИЙ уровень — на 75% по сравнению с базовым устройством, применяемым на прецприятиях радиотехнической промышленности. Включение диода в цепь истока полевого транзистора позволяет получить на выходе формирсвателя биполярные импульсы одинаковой амплитуды,