Контактное устройство для подключения микросхем, преимущественно с планарными выводами

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„SU,, 1206980 (51) 4 Н 05 К 7/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

9 1;...„

OIlNCAHHE NSOE PETEHHR /"

4.

=ц3 у

Фиг, / (21) 3709846/24-21 (22) 15 ° 03.84 (46) 23.01.86. Бюл. № 3 (72) А.В.Ледовской (53) 621.382.2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 466632, кл. Н 05 К 13/08, l9?5.

Авторское свидетельство СССР № 3 15320, кл. Н 05 К 7/ 12, 1969. (54)(57) КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ

ПОДКЛЮЧЕНИЯ МИКРОСХЕМ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО С ПЛАНАРНЫМИ ВЫВОДАМИ, содержащее изоляционный корпус, направляющую для ориентации микросхемы, установленную с возможностью возвратно-поступательного перемещения в вертикальном направлении, группу контактных элементов по числу выводов микросхемы, рабочие части контактных элементов обращены в сторону направляющей для ориентации микросхемы, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности в работе и упрощения конструкции, контактные элементы установлены между выводами подключаемой микросхемы, а рабочая часть каждого из них выполнена в виде четырехгранной пирамиды из диэлектрического материала, одна из боковых сторон которой, обращенная в сторону соответствующего вывода подключаемой микросхемы, снабжена электропроводящим слоем.

«». фи 2

ВНИИПИ Заказ 8737/60 Тираж 767 Подписное

Филиал ППП Патент, г . Ужгород, ул. Проектная, 1 12069

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в контрольно-измерительном оборудовании для подключения контролируемых интегральных микросхем, преимущественно с планарными выводами.

Целью изобретения является повышение надежности в работе и упрощение конструкции.

На Лиг. 1 схематично изображено 10 контактное устройство, на фиг. 2 то же, вид сверху, на фиг. 3 — контактный элемент (увеличено).

КонтактноФ устройство содержит изолирующий корпус 1, в котором 15 закреплены направляющие 2, установ— ленные в полостях цилиндрических пружин 3 сжатия, предназначенных для подпружинивания диэлектрического основания 4 с углублением для размещения подключаемой интегральной микросхемы 5, На штырях 6, установленных в корпусе 1, закреплены контактные элементы 7 (по числу зыводов подключаемой микросхемы). Пос- 2g редством винтов предусмотрена возможность регулирования высоты контактных элементов 7 относительно корпуса 1.

Рабочая часть контактного элемента 7 выполнена в виде четырехгранной пирамиды (фиг. 3). Одна боковая поверхность пирамиды выполнена изолирующей, другая — проводящей. Контактныи элемент 7 выполнен из ди35 электрического материала, проводящая поверхность получена напылением металла на диэлектрик.

Проводящие и изолирующие поверх

40 ности в контактных группах череду80 2 ются. Размеры основания четырехграннсй пирамиды определяются размерами выводов контролируемой микросхемы, двина 1, осноззания — длиной выводов, а ширина S — межвыводным paccòîÿíèем. Вершины пирамид размещены под серединами межвыводных зазоров у основания микросхемы.

Контактное устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии основание 4 приподнято за счет упругой деформации пружин 3. Контролируемую микросхему 5 помещают в углубление основания 4, прикладывают усилие Р, под цейс.твием которого основание

4 вместе с контролируемой микросхемой 5 перемещается вниз. При этом контактные элементы 7 входят в зазоры между выводами микросхемы 5, При дальнейшем перемещении пластины 4 осуществляется постепенное вхождение выводов контролируемой микросхемы 5 по всей их длине, в результате искривленные и наложенные друг на друга выводы распределяются и стро о ориентируются в контактном устройстве. Осуществляется надежное контактирование выводов с параллельными выводам проводящими поверхностями контактных элементов 7.

Произ.. .опят измерение электрических параметров микросхемы 5 (средства из мерения не показаны). По окончании процесса измерепия осуществляют выгрузку контролируемой микросхемы

5 из контактного устройства путем снятия перемещающего усилия Р. в резугп тате чего контактное устройстг;o снова возвращается в исходнос состояние.