Усилитель мощности

 

Изобретение относится к радиои обеспечивает уменьшение нелинейных искажений при изменении .сопротивления нагрузки. Усилитель мощности содержит входной фазоинверсный каскад I с разделенной нагрузкой (РН) 2,3, цепь смещения 4, выходной двухтактный каскад (ВДК), цепь отрицательной обратной связи 17. ВДК содержит транзисторы (Т) 5,7 и 6,8 образующие два плеча, компенсирующие прямосмещенные диоды 9,10, резисторы 11,12, дополнительные транзисторы 13,14, токозадающие резисторы 15,16. Т 5,7 и 6,8 включены по схеме с общим эмиттером. Базы Т 5,6 подключены к соответствующим РН 2,3, О (Л ю to ел о

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5D 4 Н 03 F 3/20, 3/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

jl3,", .,13

ЬНЬЛ ЫТ:. (21) 3829449/24-09 .(22) !9.12.84 (46) 23.03.86.Вюл. Ф li (72) В.П.Акопов, В.С.Басиан и В.А.Валиев (53) 621.375.026 (088.8) (56) Walter Bien. Anatomic eines ,aktiven Vierveg — Zautsprechers

"Funkshau") 1980, N 8, с.113, рис.б, Авторское свидетельство .СССР

Ф 1053270, кл. Н 03 F 3/20, Н 03 F 3/26, 05.01.82, (54) УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (57) Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает уменьшенйе

„.Я0„„1220105 A нелинейных искажений при изменении .сопротивления нагрузки. Усилитель мощности содержит входной фазоинверс— ный каскад 1 с разделенной нагрузкой (РН) 2,3, цепь смещения 4, выходной двухтактный каскад (ВДК), цепь отрицательной обратной связи 17. ВДК содержит транзисторы (Т) 5,7 и 6,8 образующие два плеча, компенсирующие прямосмещенные диоды 9,10, резисторы 11,12, дополнительные транзисторы 13,14, токозадающие резисторы

15,16. Т 5,7 и 6,8 включены по схеме с общим эмиттером. Базы Т 5,6 подключены к соответствующим PH 2,3.

Напряжение с точки объединения коллекторов Т 7,8 поступает в нагрузку и через цепь отрицательной обратной связи 17 подается на неинвертирующий вход входного фазоинверсного каскада.

Т 5,8 имеют одинаковую структуру» отличную от структуры Т 6,7. При прохождении положительной полуволны проводимость PH 2 увеличивается, а

PH 3 — уменьшается. При этом увеличивается эмиттерный, и следовательно, 105 коллекторный ток дополнительного Т 13, что компенсирует уменьшение напряжения на базо-эмиттерном переходе Т 6.

При прохождении отрицательной полуволны увеличивается коллекторный ток дополнительного Т 14. Любое отклонение сопротивления нагрузки приводит к изменению коллекторных токов дополнительных Т 13, 14. Это в свою очередь,поддерживает T 5,6 и T 7,8 в первоначальном проводящем состоянии.1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в высококачественной аппаратуре воспроизве,дения звука, Цель изобретения — уменьшение нели нейных искажений при изменении сопротивления нагрузки..

На чертеже представлена принципи" альная электрическая схема усилителя мощности. 10

Усилитель мощности содержит вход. ной фаэоинверсный каскад 1 с разделенной нагрузкой 2,3, цепь 4 смещения, выходной двухтактный каскад, выполненный на первых транзисторах

5,6, вторых транзисторах 7,8, ком" пенсирующих прямосмещенных диодах .9,10, резисторах 11,12, дополнительных транзисторах 13,14, токозадающих резисторах -15,16, цепь отрицательной обратной связи (ООС)17.

Усилитель мощности работает следующим образом.

При отсутствии сигнала падение напряжения на цепи 4 смещения eosдает начальное смещение на базах первых транзисторов 5 и 6, коллекторный ток которых, в свою очередь, поддерживает вторые транзисторы 7 и 8 в начальном .проводящем состоя- 30 нии.

При прохождении положительной полуволны. сигнала проводимость транзистора разделенной нагрузки 2 увеличивается, а транзистора разделенной нагрузки 3 уменьшается.

Напряжение на база-эмиттерном переходе первого транзистора 5 возрастает и увеличивает TQK коллектора этого транзистора, что приводит к увеличению напряжения на базо-эмиттерном переходе и соответственно коллекторного тока второго транзистора 7. При этом, так как цепь 4 смещения, баэо-эмиттерный переход первого транзистора S, первых резисторов 11 и !2, базо-эмиттерный переход первого транзистора 6 составляют замкнутый контур, должно уменьшиться напряжение на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6.

Однако увеличение коллекторного тока первого транзистора 5 приводит к увеличению падения напряжения на прямосмещенном компенсирующем диоде 9, на базо-эмиттерном переходе второго транзистора 7, на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 и на токозадающем резисторе 15. Токозадающий резистор

15 и баэо-эмиттерный переход дополнительного транзистора 13 образует цепь, включенную параллельно цепи, состоящей из компенсирующего прямосмещенного диода 9 и базо-эмиттерного перехода второго транзистора 7, поэтому напряжение на токозадающем резисторе 15 изменяется прямо пропорционально изменению напряжения на баэо-эмиттерном переходе второго транзистора 7, так как изменение напряжения на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 компенсируется изменением напряжения на компенсирующем прямосмещенном диоде 9. Так как характер изменения напряжения на базо-эмиттерных перехо1220105

20

45!

Составитель И.Водяхина

Редактор H.Ãóíüêo Техред Н.Бонкало Корректор Г.Решетник

Заказ 1331/59 Тираж 816 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул. Проектная, 4 дах биполярных транзисторов одинаков, то увеличение напряжения на базо-эмит

1 терном переходе второго транзистора 7 приводит к увеличению напряжения на базо — эмиттерном переходе первого транзистора 5. Увеличение напряжения на токозадающем резисторе

15 увеличивает эмиттерный и, соответственно коллекторный ток дополнительного транзистора 13, который повышает потенциал в точке соединения эмиттера первого транзистора 6 с резистором 12, прямо пропорционально увеличению напряжения на базоэмиттерном переходе первого транзистора 5. Таким образом, достигается компенсация уменьшения напряжения на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6, коллекторный ток которого определяет проводимость второго транзистора 8.

Аналогично при прохождении отрицательной полуволны сигнала увеличивается коллекторный ток дополнительного транзистора 14, что, соответственно, компенсирует уменьшение напряжения на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6 на первоначальном уровне.

Так как коллекторный ток дополнительных транзисторов 13 и 14 зависит от напряжения на базо-эмиттерных переходах вторых транзисторов 7 и 8, а они, в свою очередь, определяют ток в нагрузке, то, очевидно, любое отклонение сопротивления нагрузки от номинального значения приводит к соответствующему изменению коллекторных токов дополнительных транзисторов 13 и 14, которые, в свою очередь, 40 поддерживают первые транзисторы 5 и 6 и вторые транзисторы 7 и 8 в первоначальном проводящем состоянии при соответствующих полуволнах сигналов.

Таким образом, в усилителе мощности при прохождении сигнала все транзисторы работают в линейной области выходной характеристики независимо от сопротивления нагрузки.

Формула изобретения

Усилитель мощности, содержащий последовательно соединенные входной фазоинверсный каскад с разделенной нагрузкой и выходной двухтактный каскад, каждое плечо которого выполнено на первом и втором транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером, имеющие разную структуру, при этом базы первых транзисторов подключены к соответствующим разделенным нагрузкам входного фазоинверсного каскада и соединены между собой через цепь смещения, в каждом плече. выходного двухтактного каскада коллектор второго транзистора через резистор соединен с эмиттером первого транзистора, при этом коллекторы вторых транзисторов объединены и через цепь отрицательной обратной связи подключены к неинвертирующему входу входного фазоинверсного каскада, причем первый транзистор одного плеча и второй транзистор другого плеча имеют одинаковую структуру, отличающийся тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений при изменении сопротивления нагрузки, в каждое плечо выходного двухтактного каскада введены дополнительный транзистор, структура которого соответствует структуре второго транзистора. токозадающий резистор, компенсирующий прямосмещенный диод, причем в каждом плече выходного двухтактного каскада база второго транзистора через компенсирующий прямосмещенный диод соединена с коллектором первого транзистора и базой дополнительно1

ro транзистора, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с соответствующей шиной источника питания, а коллектор — с эмиттером первого транзистора другого плеча.