Способ изготовления инверсионных фотопреобразователей

Авторы патента:

H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)

(19)RU(11)1222152(13)C(51) МПК ⁶ _H01L31/18Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 27.03.1993 по 26.03.1994

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРСИОННЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является повышение эффективности фотопреобразователя за счет увеличения средней величины встроенного заряда. П р и м е р. На тыльную сторону подложки из кремния КСД-3 с удельным сопротивлением 1-2 Омсм и диффузионной длиной неосновных носителей заряда 100-150 мкм на установке вакуумного напыления наносится алюминиевый контакт. В диффузионной печи в потоке кислорода при температуре 550^оС в течение 10 мин выра-щивается туннельно-тонкий оксидный слой. Затем в вакуумной установке при давлении 10^-5 Торр через маску, соответствующую контактной гребенке с шагом 750 мкм при ширине контактной линии 150 мкм, напыляются поочередно титан, алюминий, никель. После этого рабочая камера откачивается до давления 5 10^-6 Торр, а потом заполняется парами аммиака до давления 2 10^-4 Торр. Производится напыление диэлектрической пленки толщиной 900-1000 при температуре подложки 30^оС. В результате слоевое сопротивление инверсионного фотопреобразователя составляет 3 0,2 кОм/ , а эффективность солнечного элемента увеличивается на 10%.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРСИОННЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключающийся в очистке кремниевой пластины, нанесении тыльного контакта при одновременном выращивании туннельно-тонкого диэлектрика, формировании контактной гребенки и нанесении диэлектрической пленки со встроенным зарядом, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности фотопреобразователя за счет увеличения средней величины встроенного заряда, диэлектрическую пленку создают путем термического напыления моноокиси кремния в атмосфере аммиака при давлении 1

10^-⁴ - 3

10^-⁴ Торр, при температуре подложки 0 - 170^oС.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 27.03.1994

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2002

Извещение опубликовано: 27.12.2002

Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия // 915684

Способ получения фоточувствительных пленок сульфида кадмия // 890907

Устройство для изготовления полупроводниковых приборов // 864384

Способ изготовления полупроводниковых пленок на основе а @ = s @ - @ // 704396

Способ изготовления солнечной батареи // 688054

Патент 427400 // 427400

Преобразователь излучения // 418821

Способ получения фоточувствительпых слоев // 370278

Суспензия для изготовления покрытий // 361486

Способ изготовления кремниевых солнечных элементов // 2114491

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления солнечных элементов (СЭ)

Способ стабилизации чувствительности импульсного генератора и устройство для его реализации // 2119213

Изобретение относится к приборам, состоящим из нескольких полупроводниковых компонентов, чувствительных к различным видам фотонного излучения, от оптического до гамма-излучения, преобразующих энергию этих излучений в электрическую энергию

Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент // 2122259

Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, а также солнечному элементу, изготовленному этим способом

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя // 2127009

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя из монокристаллического кремния // 2127471

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя // 2127472

Способ изготовления полупроводникового лавинного фотодиода // 2127473

Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор // 2129744

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество

Солнечный фотоэлектрический модуль с концентратором и способ его изготовления // 2130669

Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами солнечного излучения для получения тепла и электричества

Способ изготовления солнечного фотоэлектрического модуля // 2130670