Электрофотографический материал

 

Изобретение позволяет повысить качество электрофотографического материаала за счет снижения дефектов изображения при электростатическом контрасте 600-800 В. Электрофотографический материал включает электропроводящую подложку и нанесенный на нее фоточувствительный полупроводниковый слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника на основе сплава селен-теллур-фосфор при следующем соотнощении компонентов. ат.%: селен 70,0-90,0-, теллур 5,0-20,0; фосфор 05-10,0. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. to to со со to

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1223192 (SD 4 G 03 G 5 08 сс 1

Ф еФ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3817795/28-12 (22) 28.11.84 (46) 07.04.86. Бюл. № 13 (71) Специальное конструкторское бюро оргтехники, Вильнюсский ордена Трудового

Красного Знамени и ордена Дружбы народов государственный университет им. В. Капсукаса и ЛГУ им. А. А. Жданова (72) А. С. Лукацкая, П.- Ф. Рутковский, Э. А. Монтримас, А. А. Образцов, 3. У. Борисова и Б. Е. Касаткин (53) 772.93 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 461404, кл. G 03 G 5/02, 1975.

Авторское свидетельство СССР № 1183938, кл. G 03 G 5/08, 23.08.83. (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИ11 МАТАРИАЛ (57) Изобретение позволяет повысить качество электрофотографического материаала за счет снижения дефектов изображения при электростатическом контрасте

600 — 800 В. Электрофотографический материал включает электропроводящую подложку и нанесенный на нее фоточувствительный полупроводниковый слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника на основе сплава селен — теллур — фосфор при следующем соотношении компонентов, ат. о : селен 70,0 — 90,0; теллур 5,0 — 20,0; фосфор 05 — 10,0. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

1223192

ЭлектроМатериал

Пример статический контраст, В

600

Предлагаемый

1-2

2 — 4

Известный

700

Отсутствуют Отсутствуют Отсутствуют

Предл аг аемый

2-4

3-6

Известный

800

Предлагаемый

3-5

Известный

Формула изобретения

Селен

Теллур

Фосфор

Тираж 436 Подписное

Ужгород, ул. Проектная, 4

70,0 — 90,00

5,00 — 20,00

0,5 — 10,00

Изобретение относится к электрофотографии, конкретно к электрофотографическому материалу, предназначенному для использования в копировально-множительных аппаратах и других регистрирующих оптическое изображение устройствах.

Цель изобретения — повышение качества материала за счет снижения дефектов изображения при электростатическом контрасте 600 — 800 В.

Пример 1. (известный). Для получения 10 электрофотографического материала на электропроводящую подложку наносят последовательно два фоточувствительных слоя на основе аморфного селена и халькогенидного стеклообразного полупроводника из сплава селен — теллур — форсфор, состава в пределах, ат.%: селен 65,0 — 90,0; теллур 5,0—

25,01 фосфор 0,1 — 10,0.

Как видно из таблицы, предложенный электрофотографический материал по сравнению с известным выявляет значительное преимущество по качеству из-за полного 45 отсутствия дефектов изображения.

Состав фоточувствительного полупроводникового слоя в пределах предложенного соотношения не влияет на дефектность изображения.

1. Электрофотографический материал, включающий электропроводящую подложку и фоточувствительный полупроводниковый слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника на основе сплава сеВНИИПИ Заказ i 712/50

Филиал ППП «Патент>, г.

Создают электростатический контраст

600 †8 В.

Пример 2. Для получения электрофотографического материала непосредственно на электропроводящую подложку наносят фоточувствительный полупроводниковый слой из сплава селен — теллур — фосфор, причем область оптимальных составов слоя выбирают из следующего соотношения компонентов, ат.%: селен 70,0 — 90,0; теллур

5,0 — 20,0; фосфор 0,5 — 10,0.

Заряжают слой до потенциалов, близких к предельному потенциалу слоя, создавая электростатический контраст 600 — 800 В.

Результаты испытаний качества электрофотографического материала представлены в таблице.

Дефекты изображения размерами, щт./дм

Более От От

1,0" 1,0 мм 0,5х0,5 мм 0,3к0,3 мм до до

1,0к1,0 мм 0,5"0,5 мм

Отсутству- Отсутствуют Отсутствуют ют

Отсутствуют Отсутствуют лен — теллур — фосфор, отличающийся тем, что, с целью повышения качества материала за счет снижения дефектов изображения при электростатическом контрасте 600—

800 В, фоточувствительный полупроводниковый слой нанесен непосредственно на подложку.

2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что фоточувствительный полупроводниковый слой содержит селен, теллур и фосфор при следующем соотношении компонентов, ат %: