Фототермопластический материал
Изобретение относится к области микрофильмирования и голограф1Ш и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувствительности .при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,0i2 - 0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов , мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8; S 1-4. 1 табл. (Л
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (5Н 4. G 03 (5/022 5/08
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4245900/23-12 (22) 18.05.87 (46) 15.12.88. Бюл. М 46 (71) Всесоюзный государственный научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промышленности (72) Д.Г.Табатадзе, А.В.Павлов, С,А.Недужий и М.М.Бадьева (53) 772.93 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
 896591, кл. G 03 С 5/08, 1980.
Патент ФРГ Ф 1817226, кл, G 03 G 5/08, 1975. (54) ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к области микрофильмирования и голографии и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувствнтельности,при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,02—
0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов, мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8;
S 1-4. 1 табл.
f444698
Изобретение относится к фототермопластическим материалам и может быть использовано в области микросуммирования и голографии для иэго5 товления электрофотографических материалов для регистрации, хранения, и воспроизведения информации.
Цель изобретения - улучшение качества материала за счет повышения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.
Пример f (известный). Фототермопластический материал готовят нанесением деформируемого слоя иэ канифоли на полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем иэ Ni толщиной 2 мкм, на деформируемый слой термическим испарением в ваку- 20 уме наносят слой аморфного селена толщиной 0,10 мкм.
Пример 2,(известный). Фототермопластический материал готовят аналогично примеру f, за исключением 25 того, что в качестве деформируемого слоя используют композицию И N-дифенилгидразон и-днметиламинобензальдегида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90. 30
Пример 3. Фототермопластичес. кий материал готовят нанесением композиции NiN-дифенилгидраэон и-диметиламинобензальдеГида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении
10:90 из раствора на металлиэированную никелем полиэтилентерефталатную подложку. Толщина полимерной компо» эиции составляет 2 мкм.
На полимерный деформируемый слой сверху термическим испарением в
40 вакууме наносят слой аморфного селена толщиной 0,02 мкм,а затем слой композиции селен-мышьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов мас.Х: Se 88; As 2; Те 8; S 2, толщиной 0,08 мкм.
Hp и м е р 4. Фототермопластический материал готовят аналогично при- меру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- 50 мышьяк-теллур-сера имеет состав
88-6-4-2 мас. соответственно.
Пример 5. Фототермопластический материал готовят аналогично при меру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен" мышьяк-. теллур-сера имеет состав
88-4-6-2 мас.X соответственно.
Пример 6.Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав
88-8-2-2 мас.l соответственно, Пример 7. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, sa исключением того, что фотопроводниковая композиция селен-мьипьяк теллур-сера имеет состав 86-4-6-4 мас.Ж соответственно.
Пример 8. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав
89-4-6-1 мас.Х соответственно.
Hp и м е р 9. Фототермопластический материал готовят аналогично при меру 3, за .исключением того, что фотопроводниковая композиция селен" мышьяк-теллур-сера имеет состав
86-6-6-2 мас.Х соответственно.
Пример t0. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, эа исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав
82-8-8-2 мас. соответственно.
Пример 11. Фототермопластический материал готовят аналогичнопримеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав 3-2-2-2 мас.Х соответственно.
Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, sa исключением того, что толщина селенового слоя составляет
0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мьипьяк-теллур сера
0,06 мкм. !
П р и м е p 13. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, эа исключением того, что толщина селенового слоя составляет
0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера
0,04 мкм.
Пример 14. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, чт толщина селенового;слоя составляет
0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мьппьяк-теллур-сера
0,08 мкм. ак ред.3 отен.
Чувст тельтопроводннковый слой Толщина фотопроводникового слоя, яки оотomeноная эффективость, ие ность (лк. с
II сл. иг»-ал/ ум
I сл.. II сл
250 0,04
0,10
2 (известный) 20 20
20 20
20 20
20 20
0,10
0,02 0,08
0,02 0,08
0,4
250
ГИдраэ он
Гидраэон
3,0
250
250 3 ° 0 н
0,02 0,08
3,0
250
20 20
250
3,0
0,02 0 08
0,02 0 08
0,02 0,08
20 20
20 18
3,0
250
2,5.220
17 17
15 16
20 18
20 20
20 18
0,02 0,08 200
2 ° 0
150 1,5
0,02 0,08
0,02 0,08
0 04 0,06
1,0
250 п
2,0
250
0,06 0,04 250
\ ° 0
Se БеввАвв Te S з
Пример 15. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того,что толщина селенового слоя составляет
0.02 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера
0,10 мкм.
Пример 16. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру Зв sa исключением того, что фотопроводниковая композиция имеет следукиций состав: селен- мышьяк-теллур, при соотношении 90-4-6 мас.7 соответственно.
Результаты испытаний материала по примерам 1-16 приведены в таблице.
Из таблицы видно, что фоточувствительность предлагаемого фототермопластического материала (примеры 313) по сравнению с известным в 2,57,5 раз выше при сохранении высоких значений дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.
1 (иэвестжФ) Канифоль Se
Se $е Asa Tes S a
Вевв Авв Те48в
Se ЗеввАв Te Se Беев Авв Te>S< Se Зев Ав Тев Вв Se Seв1АавТевS Se Sess Ass Te S> Se Seì Asâ Tes Ss Se Яе,, Ав Те Вв Se ввАвв Те Вв 444698 Формула изобретения Фототермопластический материал 5 состоящий из полиэтилентерефталатной подложки с проводящим слоем и нанесенных на нее последовательно полимерного деформируемого слоя и фотопроводникового слоя из аморф1Q ного селена, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью улучшения -качества материала за счет повышения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соот18 ношения сигнал/шум, материал дополнительно содержит слой из сплава селен-мьппьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов, мас.7,: Селен 82-93 Иышьяк 2-8 Теллур 2-8 Сера 1-4 толщиной 0,04-0,08 мкм, расположен ный поверх селенового слоя толщиной 0,02-0,06 мкм. 1444698 Продолжение таблицы! ед. ЭФ тем., Опроводниковый Пример 0,06 0,08 250 3,0 0,02 О, 10 250 3i 0,02 0,08 120 0,8 ° 1 ° 1 16 Se Бе АвеТее . П р я м е ч а н и е. Толщина полпервого слоя 2,0 мкм. Дифракционная эффективность определялась при f ь 100 мм Электрофотографическая чувствительность при Е 1,4 лк. Составитель М.Воеводина Текред М.Ходанич Корректор М.Васильева Редактор А.0rap Тираж 442 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 6503/44 Произведственно-полиграфическое предприятие, r.1 ужгород, ул. Проектная, 4 Полимерный деформиру мьй слой БеввАа, Teå Ба а Бе БеааАаеТеь Бг Чувств ТельНОСТЬ> (лк.с) 
