Транзисторный инвертор

 

Транзисторный инвертор относится к источникам вторичного электропитания . Цель изобретения - повьшение КПД и надежности путем уменьшения динамических потерь в силовых транзисторах . Устройство содержит усилитель мощности на транзисторах (т) 9, 10 и трансформаторе (Тр) 11 со средней точкой. Базы Т 9, Т 10 подключены через резисторы 5, 6 к эмиттерам дополнительных транзисторов (ДТ) 15, 16 и выбраны той же проводимости, . что Т 9 и Т 10. Базовые обмотки 2,3 подключены через силовые переходы ДТ 15, 16 к первой паре диодов (ППД) 7, 8, а управляющие переходы -.параллельно резисторам 5, 6 соответственно . Вторые пары диодов (ВПД) 17, 18 шунтируют переходы ДТ 15, 16 в обратном направлении. Введение ППД 7, 8 и ВПД 17, 18 позволяет повысить КПД инвертора. При запирании Т 9 некоторое время остается открытым, запирающим током открывается ДТ 15, а отпирающее напряжение на базе Т 10 шунтируется через диод 7 и открытый ДТ 15 на обмотку 2. Т 10 заперт до тех пор, пока не закончится процесс запирания Т 9, благодаря чему обеспечивается автоматическая задержка отпирания противоположного транзистора. 1 ил. а $ сл // 12 ISD to 4 00 4;:

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК д11 ф Н 02 М 7/5395! ьн

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И ABTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1=ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 375!389/24-07 (22) 11.06,84 (46) 15.04.86. Бюл. Ф 14 (72) А.И.Иванов-Цыганов, Б.И.Рудяков, Л.Б.Кузьминов и В.И.Хандогин (53) 621.314 ° 58(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

9 924811, кл. Н 02 М 7/537, 1980.

Авторское свидетельство СССР

М 1059645, кл. Н 02 M 7/537, 1980. (54} ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР (57) Транзисторный инвертор относится к источникам вторичного электропитания. Цель изобретения — повышение

КПД и надежности путем уменьшения динамических потерь в силовых транзисторах. Устройство содержит усилитель мощности на транзисторах (Т) 9, 10 и трансформаторе (Тр) 11 со средней точкой. Базы Т 9, Т 10 подключены через резисторы 5, 6 к эмиттерам

ÄÄSUÄÄ 1224934 А дополнительных транзисторов (ДТ) 15, 16 и выбраны той же проводимости, что Т 9 и Т 10. Базовые обмотки 2,3 подключены через силовые переходы

ДТ 15, 16 к первой паре диодов (ППД)

7, 8, а управляющие переходы вЂ,параллельно резисторам 5, 6 соответственно. Вторые пары диодов (ВПД) 17, 18 шунтируют переходы ДТ 15,- 16 в обратном направлении. Введение ППД 7, 8 и ВПД 17, 18 позволяет повысить КПД инвертора. При эапирании Т 9 некоторое время остается открытым, запирающим током открывается ДТ 15, а отпирающее напряжение на базе Т 10 шунтируется через диод 7 и открытый ДТ 15 на обмотку 2. Т 10 заперт до тех пор, фр пока не закончится процесс запирания Т 9, благодаря чему обеспечивает- С ся автоматическая задержка отпирания противоположного транзистора. 1 ил. Я

ВНИИПИ Заказ 1960/55 Тираж 63;

Подписное

Произв.-палигр. пр-тие„ г. Ужгород, ул, Проектная, Изобретение относится к электротехнике и может быть использсвана в системах вторичного электрдпитания и электропривода для преобразования постоянного тока в переменный, Цель изобретения — повышение КПД и надежности путем уменьшения динамических потерь в силовых транзистарах, На чертеже показана схема транэис1торного инвертора.

Устройство содержит задающий гене-ратор 1, вторичные обмотки 2 и 3 выходного трансформатора 4 которого соединены через резисторы 5 и 6 с первой парой вспомогательных диодов

7, 8 и с управляющими переходами силовых транзисторов 9 и 10. Коллекто— ры силовых транзисторов через выходной трансформатор 11 соединены с нагрузкой 12, Параллельно коллекторноэмиттерным переходам транзисторов 9 и 10 подключены блокирующие диады 13 и 14. Обмотки 2 и 3 подключены через силовые переходы дополнительных транзисторов 15 и 16 к диодам 7 и 8, а управлякяцие переходы транзисторов подключены параллельно резисторам 5 и 6 соответственно. Диады 17 и 18 второй пары шунтируют в обратном направлении силовые перехадь. транзисторов 15 и 16, Транзисторный инвертор работает следующим образом, Предположим, что в установившемся режиме для .полярности напряжения обмоток 2 и 3, указанной беэ скобок, транзистор 9 открыт, а транзистор !О закрыт. При этом транзисторы 15 и

16 закрыты.

При полярности управляющего напряжения на обмотках 2 и 3 указанной в скобках на чертеже, запирающее напряжение с обмотки 2 подается через резистор 5 на базу транзистора 9, который некоторое время открыт, вследствие рассасывания избыточньг носителей в его базе. Запиракщим током открывается транзистор 15 и атпирающее напряжение на базе транзистора 10 шунтируется через диод 7 и открытый транзистор !5 на обмотку 2.

24934 2

Транзистор 10 заперт да тех пор, пока не закончится процесс рассасывания избыточного заряда в базовой области транзистора 9. Когда базовый переход транзистора 9 окажется абратносмещенным, запирающий ток через резистор 5 прекратится, транзистор

15 закроется и транзистор 1О открывается напряжением, подаваемым с обмотки 3.

То же самое повторится, когда буДет происходить рассасывание избыточных носителей в базовой области транзистора 10, г.е. будет обеспечиваться автоматическая задержка оТ крывания транзистора 9.

Использование предлагаемого транзисторнагс инвертара позволяет уменьшить динамические потери и повысить тем самым КПД и нацежнасть па отно шению к ггрататипу.

Ф о р и у л а и з а б р е т е н и я

Транзисторный инвертор, содержащий двухтактный усилитель мощности, эмнттеры силовых транзисторов которого объединены и подключены к атво30 ду ат средней та ки вторичной обмотки выходного трансформатора задающего генератора, а базы силовых тран=.истарав через резисторы подключены к крайним вьпзадам этой обмотки, и даголнитепьные транзисторы, о т л и а ющи и с я тем, чта, с целью гавышения КПД и надежности путем уменьшения динамических отерь мащности в силовых транзисторах, в него еведень! две пары диОдОВ каждьФ до

40 полнитc.ëúíûé транзистор выбран с проводимостью то î же типа, чта и сило=-ай транзистор, и подключен эмиттерам к крайнему выводу указанной обмотки дачно -o плеча схемы, базой — к

Газе силавага транзистора этого же гглеча схемы, а коллектором через диод первзй пары — к базе силового транзистора другого <,. еча схемы, причем Встречна--параллельно каждому да50 галннтельному транзистору включен ,LNo j В Г )poH паpb) °