Способ изготовления тензопреобразователя

 

Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить метрологические характеристики тензопреобразователей. Изготавливают тензорезисторы (Т) 3 на диэлектрической подложке 2, которую прикрепляют затем к поверхности мембраны 1. Созда- .ют в мембране 1 нарастающую деформацию от нуля путем зтвеличения давления в подмембранной полости до появления трещин 4 в подложке 2 под ТЗ, после чего деформацию уменьшают до нуля. Для управления процессом образования трещин 4 на подложке 2 в непосредственной близости от ТЗ выполняют риски 5. Момент образования трещин определяют, например, по скачкообразному изменению сопротивления ТЗ на величину, пpeвьшIaюD yю амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого ТЗ. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. с ( (Л to со О5 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

П11 4 С 01 Ь 9/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н ABTGPCH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3642771/24-10 (22) 14. 09. 83 (46) 23.05. 86. Бюл. N - 19 (71) Государственный ордена Трудового

Красного Знамени научно-исследовательский институт-теплоэнергетического приборостроения (72) В.П.Бушланов, В.И.Евдокимов, Е.Б.Котляревская и В.В.Хасиков (53) 531.787(088.8) (56) Полупроводниковые тензодатчики/

Под ред. M.Äèíà. М.-Л.: 1965, с. 115.

Приборостроение и автоматический контроль. Сборник. Вып. 1, ред.

В.В.Казакевич. — M.: Машиностроение, 1978, с. 194-195. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (57) Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить мет„„SU„„1232968 А 1 роло гиче с ки е харак те рис тики те из опреобразователей. Изготавливают тензорезисторы (Т) 3 на диэлектрической подложке 2, которую прикрепляют затем к поверхности мембраны 1. Созда,ют в мембране 1 нарастающую деформацию от нуля путем увеличения давления в подмембранной полости до появления трещин 4 в подложке 2 под

ТЗ, после чего деформацию уменьшают до нуля. Для управления процессом образования трещин 4 на подложке 2 в непосредственной близости от ТЗ выполняют риски 5. Момент образования трещин определяют, например, по скачкообразному изменению сопротивления ТЗ на величину, превышающую амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого ТЗ. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

2968

ВНИИПИ Заказ 2758/41 Тираж 778

Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 у 123

Изобретение относится к приборостроению, а точнее к способам изготовления тензопреобразователей.

Целью изобретения является повышение метрологических характеристик тензопреобразователя.

На чертеже схематично показан тензопреобразователь.

Тензопреобразователь содержит мембрану 1, на которой закреплена диэлектрическая подложка 2 с тензорезисторами 3. На подложке 2 образованы трещины 4, направление которых задано рисками 5. Трещины 4 пересекают тензорезисторы 3„ по крайней мере, в одной точке 6 по максимальной тензочувствительности.

Способ осуществляется следующим образом.

Изготавливают тензорезисторы 3 на диэлектрической подложке 2 по известной технологии, например, путем изготовления эпитаксиальных кремниевых тензорезисторов на сапфировой подложке по интегральной полупроводниковой технологии. Далее прикрепляют подложку 2 к поверхности мембраны

1, например, пайкой.

Затем в мембране I создается нарастающая деформация от нуля. Получить требуемый процесс деформации в мембране 1 можно, например, подачей жидкости или газа под давлением в подмембранную полость, образованную мембраной 1 и кольцом 7. Давление в подмембранной полости увеличивают до образования трещин 4 в подложке 2 под тензорезисторами 3, что можно определить, например, визуально или по скачкообразному изменению сопротивления тензорезисторов 3.

Изменения сопротивления тензорезистора можно контролировать с помощью самопишущего омметра, подключенного к соответствующему тензорезистору 3.

Для того, чтобы надежно отличить скачкообразное изменение сопротивления тензорезистора от импульсного,, в момент предполагаемого скачка нарастание деформации прекращают и выдерживают период, необходимый для установления значения сопротивления тензорезистора. Если установившееся значение сопротивления не равно величине Р в момент, предшествующий

5 опознаваемому скачку, то скачкообразный характер изменяется и сопротивление должно считаться подтвержденным. Для управления процессом образования трещины 4 на подложке 2 выпо,:няют риски 5, например, алмазным резцом. Риски 5 выполняют в непосредственной близости от тензорезистора 3 в направлении, пересеканицем тензорезистор по крайней мере в одной точке их максимальной тензочувствительности. Трещина 4 выполняет роль концентратора и уменьшает жесткость упругоro элемента.

Таким образом, использование этого спос.оба позволяет повысить метрологические характеристики преобразователя, например, чувствительности.

Формула изобретения

1.Способ изготовлениятензопреобра- . эователя, включающий изготовление тензорезисторов на диэлектрической подложке и закрепление ее на поверхЗО ности упругого элемента, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повы4Ф шения метрологических характеристик тензопреобразователя, в упругом элементе создают нарастающую деформацию от нуля до растрескивания диэлектрика по крайней мере под одним из тензорезисторов, после чего деформацию уменьшают до нуля.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю4О шийся тем, что перед деформацией упругого элемента около тенэорезистора на подложке выполняют риску в направлении, пересекающем активную часть тензорезистора.

45 3. Способпопп. 1и2, отлич а ю шийся тем, что о растрескивании дилектрика судят по скачкообразному изменению сопротивления тензорезистора на величину, превы5р шающую амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого тенэорезистора.