Детекторная секция

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Обеспечивается постоянство-коэф. преобразования в диапазоне частот и температур. Устр-во состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводниками (П) 1,2, резисторов () 3,7, СВЧ конденсатора (СВЧК), выполненного в виде Диэлектр,. шайбы 4 с наружной и внутренней обкладками 5,6 и сквозным осевым отверстием; обкладка 6 СВЧК соединена с П 2 и отстоит.от торца П 1 на расстоянии на порядок меньше длины волны; полупроводникового СВЧ диода 8, расположенного на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧК. Р 3,7 расположены параллельно П 1 и соединены одними своими выводами с. торцом Л t, др. вывод Р 7 соединен с обкладкой СВЧК, а Р 3 расположен коаксиально с СВЧК, при этом др. вывод Р 7 соединен с выводом диода 8 С) стороны обкладки 5 СВЧК, к которой подключен 2-й вывод диода 8. Мощность СВЧ сигнала, распространяющегося в отрезке коаксиальной линии, поглощается в Р 7. Вьщеляющееся на Р 7 напряжение через РЗ поступает на диод 8 и детектируется. ВЧ составляющая продетектированного сигнала замьжается на П 2 отрезка коаксиальной линии через СВЧК. 1 ил. S X. i (Л IS9

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 С 01 R 21/12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3725112/24-09 .(22) 09.04.84 (46) 30.06.86. Бюл. М - 24 (72) И.И.Трегер, Ю.А.Безруков и В.А.Волков (53) 621.317.37(088.8) (56) Билько М.И. и др. Измерение мощности на СВЧ. M. Сов. радио, 1976, с. 71.

Силаев M.À. и Комов А.Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М,: Радио и связь, 1984, с. 34.

d (54) ДЕТЕКТОРНАЯ СЕКЦИЯ (57) Изобретение относится к технике

СВЧ. Обеспечивается постоянство коэф. преобразования в диапазоне частот и температур. Устр-во состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводниками (П) 1,2, резисторов (Р) 3,7, СВЧ конденсатора (СВЧК), выполненного в виде диэлектр,, SU„, 1241066 А 1 шайбы 4 с наружной и внутренней обкладками 5,6 и сквозным осевым отверстием; обкладка 6 СВЧК соединена с П 2 и отстоит.от торца П 1 на расстоянии на порядок меньше длины волны; полупроводникового СВЧ диода 8, расположенного на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧК. Р 3,7 расположены параллельно П 1 и соединены одними своими выводами с.торцом II др. вывод P 7 соединен с обкладкой СВЧК, а Р 3 расположен коаксиально с СВЧК, при" этом др. вывод Р 7 соединен с выводом диода 8 ср стороны обкладки 5

СВЧК, к которой подключен 2-й вывод диода 8. Мощность СВЧ сигнала, рас- . Q пространяющегося в отрезке коаксиаль. ной линии, поглощается в P 7. Выделяющееся на Р 7 напряжение через РЗ поступает на диод.8 и детектируется.

ВЧ составляющая продетектированного сигнала замыкается на П 2 отрезка коаксиальной линии через СВЧК. 1 ил. . ®

ll 124106

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано для контроля параметров СВЧ-сигнала-, например мощности или огибающей радиоимпульс ов .

Целью изобретения является обеспечение постоянства коэффициента преобразования в диапазоне частот и температур.

На чертеже изображена конструкция, 10 детекторной секции.

Детекторная секция состоит из отрезка коаксиальной линии с. внутренним ж внешним проводниками 1 и 2,,первого резистора 3, СВЧ-конденсатора, выполненного в виде диэлектрической шайбы 4 с наружной и внутренней об- кладками 5 и 6 и сквозным осевым отверстием, Внутренняя обкладка 6

СВЧ-конденсатора соединена с внешним проводником 2 и отстоит от торца внутреннего проводника 1 на расстоянии, по крайней мере на порядок меньше длины волны. Детекторная секция. содержит также второй резистор 7, . полупроводниковый СВЧ-диод 8, расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора. Первый и второй резисторы 3 и 7 расположены параллельно внутреннему проводнику 1 отрезка коаксиальной линии и соединены одними своими выводами с торцом внутреннего проводника 1, другой вывод второго резистора 7 соединен с внутренней обкладкой 6 СВЧконденсатора, а первый резистор 3 расположен коаксиально с СВЧ-конденсатором, при этом другой вывод первого резистора 7 соединен с первым выводом полупроводникового СВЧ-диода 8 со стороны наружной обкладки 5 СВЧ40 конденсатора, к которой подключен второй вывод полупроводникового СВЧдиода 8.

Детекторная секция работает следую щим образом.

Мощность СВЧ-сигнала, распространяющегося в отрезке коаксиальной линии, поглощается во. втором резисторе 7 ° Выделяющееся на втором резисторе 7 СВЧ-напряжение через первый ре.зистор 3, проходящий через осевое отверстие СВЧ-конденсатора, поступает на полупроводниковый СВЧ-диод 8, расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора, и детектируется. Высокочастотная состав. ляющая продетектированного сигнала замыкается на внешний .проводник 2

6 2 отрезка коаксиальной линии через СВЧконденсатор.

Коэффициент преобразования детекторной секции выражается отношением величины выходного продетектированного полупроводниковым СВЧ-диодом 8 сигнала и входной СВЧ-мощности. Величина коэффициента преобразования детекторной секции с вторым резистором 7 определяется согласованием волнового сопротивления отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резистора 7 и входным сопротивлением отрезка . линии передачи, где расположен полупроводниковый СВЧ-диод 8 (этим определяется постоянство величины преобразования входной СВЧ мощности в нанряжение. СВЧ на втором резисторе 7); постоянством коэффициента передачи СВЧ-напряжения от согласованного второго резистора 7 до детектирующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8 (постоянство этого коэффициента опре. деляется реактивностями полупроводникового СВЧ-диода 8, в частности его емкостью, электрической длиной участков до детектирующего перехода полупроводников СВЧ-диода 8) и величиной напряжения, наведенного полем отрезка коаксиальной линии на полупроводниковом СВЧ-. диоде 8.

Изменение емкости полупроводникового СВЧ-диода 8 в диапазоне температур и изменение частоты входного сигнала влияет на каждый из укаэан- . ных факторов.

Изобретение обеспечивает повышение постоянства коэффициента преоб. разования в диапазоне частот и температур. Вынесение СВЧ-полупроводникового диода 8 из отрезка коаксиальной линии и соединение его. с вторым резистором 7 через первый резистор 3 на малой электрической длине устраняет наведение полем отрезка коаксиальной линии напряжения на полупроводниковом СВЧ-диоде 8, уменьшает реактивную составляющую входного- сопротивления цепи полупроводникового

СВЧ-диода 8, увеличивает постоянство коэффициента передачи СВЧ-напряжения от согласованного второго резистора. 7 до детектирующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8. Подключение к торцу внутреннего проводника 1 отрезка коаксиальной линии второго и первого резисторов 7 и 3, расположенных параллельно друг другу в зо20

Формула изобретения

Составитель Е.Адамова

Редактор А.Лежнина Техред Л.Олейник. Корректор А,ÇHwoKo«>

Заказ 3478/35 Тираж 728 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-. полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

3 12410 не, ограниченной периметром указанного торца и на кратчайшем по сравнению с длиной волны расстоянии (на малой электрической длине) соответственно первого от внутренней обкладки конденсатора, и второго — от вынесенного полупроводникового СВЧ-диода 8, улучшгет согласование волнового сопротивления отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резистора 7 и входного сопротивления цепи полупроводникового СВЧ-диода 8.

Указанные результаты обеспечива- 15 ются в диапазоне частот входного сигнала и при изменении емкости .полупроводникового СВЧ-диода 8 в широком диапазоне температур.

Детекторная секция, содержащая отрезок коаксиальной линии, торец внутреннего проводника которой соединен с первым выводом первого резистора, СВЧ-конденсатор, во внутренней обкладке которого выполнено

66 4 сквозное осевое отверстие, полупроводниковый СВЧ-диод, причем один вывод полупроводникового СВЧ-диода подключен к наружной обкладке СВЧконденсатора, а другой — к второму выводу первого резистора, при этом первый резистор расположен параллельно внутреннему проводнику, а внутренняя обкладка СВЧ-конденсатора соеди нена с внешним проводником, расстояние между торцом внутреннего проводника и внутренней обкладкой СВЧ-конденсатора по крайней мере на поря док.меньше длины волны, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью обеспечения постоянства коэффициента преобразования в диапазоне частот и температур, в наружной обкладке СВЧконденсатора выполнено сквозное осевое отверстие, полупроводниковый

СВЧ-диод расположен на внешней стороне наружной обкладки СВЧ конденсатора, а первый резистор расположен коаксиально с СВЧ-конденсатором, введен второй резистор, расположенный между торцом внутреннего проводника и внутренней обкладкой СВЧ-конденсатора.