Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„Я0„„44129 (5}} 4 С 04 В 35 0
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АBTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3816586/29-33 (22) 27. 11.84 . (46) 15.07.86. Бюл. № 26 (72) И.Г. Бертош, Л.А. Голубцова, З.M. Горонович, Л.А. Соловьева, Ф.М. Суслина, Н.A. Андреева, В.И. Жуковский, Б.А. Ратенберг и Т.А. Балакишиева (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельства СССР № 998432, кл. С 04 В 35/00, 1980.
Авторское свидетельство СССР № 810643, кл . С 04 В 35/00, 1979. (54)(57) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО
МАТЕРИАЛА, включающая BaTiO,, CaZrO,, Nb20 и МпСО,, о т л и ч а ю щ а яс я тем, чта, с целью повышения стабильности значений емкости в интервале температур от — 60 до +125 С и о повышения удельного сопротивления керамики, она дополнительно содержит
Ib O,, Эу,О и Рг Оц при следующем соотношении компонентов, мас. Ж:
8aTiO 95ь 15 97э 25
CaZr0 0,75-0,85
ИЬ2 05 1,3-2,0
МпС03 О, 1-0,3
2 Э
О, 1-0,3
Dy,O, О, 1-0,8 °
Рг О 0,2-0,8
12441
29 интервале рабочих до +125 С „, не. ,,-a аС
Ниже приведены емсй шихты, мас.7.:
Состав
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к технологии керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.
Цель изобретения повышенИе — стабильности значений емкости в интеро вале температур от — 60 до +125 С и повышение удельного сопротивления 10 керамики.
Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом. Предварительно известным в керами- 15 ческом производстве образом изготавливают BaTiO которые синтезируют
3 при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /г. Затем полученные в отдельности BaTiO, 20 и CaZrO смешивают в требуемом соз сР отношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образом смеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О,, МпСО,, ОУ О,, PRO„ и
Ib 0,, смешивают и измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г.
Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика конденсаторов, за- ЗО готовки которых обжигают при: 13401390 С в течение 2 ч. При этом сего нетокерамический материал имеет диэлектрическую проницаемость Я = -29303100, диэлектрические потери tg®«« к10 = 0,6-0,9 и изменение емкости в температур от -60 более +157. составы предлагаСостав Состав
2 3
96,2 97,25
0,8 - 0,75
BaTiO
Са7. гО, иь,оТЬ,О
Пу,о, 95, 15
0,85
1,3
1,65
2,0
0,1
0,2
0,3
0,8 0,45
Рг<0«0 э 8
MnCO . 0,1 0,2 0 3
Свойства сегнетокерамического конденсаторного материала из предлагаемой шихты подтверждаются резуль татами испытаний и приведены в таблице.
Составы
Электрические свойства
1 -2. Л С 1е
, 1. С о О,,„, 0,9 + 15 1)8 07+1545 0,6 «+ 14 7,8 1 3100 2 3000 3 2950 Составитель B. Соколова Техред Л.Олейник Корректор А. Тяско Редактор К. Волощук Заказ 3769/25 Тираж 640 BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4