Термокомпенсированное резонансное устройство

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и м.б. использовано при создании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэл. резонаторы. Повышается температурная стабильность частоты. Устр-во содержит корпус 1, в к-ром размещены диэл. основание 2, диэл. резонатор (ДР) 3, установленный на нем, и термокомпенсирующий эл-т, выУ//Л % ) УУ X X X y V/N/V ГУ X X ТУУ у у X У - т1 - У- - У- - т Х 1 полненный в виде пластины (П) 4 из биметалла, расположенной над ДР параллельно диэл. основанию 2 и закрепленной одним концом на корпусе 1. На диэл. основании 2 м.б. размещены ВЧ- эл-ты в интегральном исполнении, напр, полосковый проводник 5. При отриц. температурном коэф. частоты (ТКЧ) П 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве П 4 приближается к поверхности ДР 3, увеличивая его резонансную частоту на величину, равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты ДР 3, вызванного его ТКЧ. При положит. ТКЧ диэл. резонатора 3 П 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется из материала с малым коэф. линейного расширения. 1 ил. i (Л ТУУ у у 1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

gg 4 Н 01 Р 7/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 3Я

4» с©

С5 СЮ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

1 (21) 3653800/24-09 (22) 17.10.83 (46) 07.08.86, Бюл. № 29 (72) О.И.Васильев и В.И.Толкачев (53) 621.372.852(088,8) (56) Патент Франции N - 2115402, кл. Н 01 P 7/00, 1,972.

Патент США N 4019161, кл. Н 01 Р 7/04, 1977. (54) ТЕРМОКОМЧЕНСИРОВАННОЕ РЕЗОНАНСНОЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к радиоэлектронике и м.б. использовано при создании активных и пассивных селективных схем CB I с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэл. резонаторы. Повышается температурная стабильность частоты.

Устр-во содержит корпус 1, в к-ром размещены диэл, основание 2, диэл. резонатор (ДР) 3, установленный на нем, и термокомпенсирующий эл-т, вы„„SU„„1249633 -А . полненный в виде пластины (П) 4 из биметалла, расположенной над ДР параллельно диэл. основанию 2 и закрепленной одним концом на корпусе 1. На диэл. основании 2 м.б. размещены ВЧэл-ты в интегральном исполнении, напр. полосковый проводник 5. При отриц. температурном коэф. частоты (ТКЧ) П 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве П 4 приближается к поверхности ДР 3, увеличивая его резонансную частоту на величину, равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты ДР 3, вызванного его

ТКЧ. При положит. ТКЧ диэл. резонатора 3 П 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется иэ материала с малым коэф. линейного расширения. 1 ил.

1249633

Формула изобретения

Со став итель Н. Ткачев а

Редактор Н. Тупица Техред Л. Олейник. Корректор И. Эрдейи

Заказ 4335/55 Тираж 597 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 ° Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэлектрические резонаторы, Цель изобретения — повьппение температурной стабильности частоты.

На чертеже приведено термокомпенсированное резонансное устройство. Ip

Териокомпенсированное резонансное устройство содержит корпус 1, в котором размещены диэлектрическое основание 2, диэлектрический резонатор 3, установленный на нем, и термокомпен- 15 сирующий элемент, выполненный в виде пластины 4 из биметалла, расположен.ной над диэлектрическим резонатором

3 параллельно диэлектрическому основанию 2 и закрепленной одним концом на корпусе 1. На диэлектрическом основании 2 могут быть размещены высокочастотные элементы в интегральном исполнении, например полосовый проводник 5. 25

Териокомпенсированное резонансное устройство работает следующим образом.

В зависимости от температурного коэффициента частоты (ТКЧ) диэлектри- gp ческого резонатора 3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему или наоборот. При отрицательном ТКЧ пластина 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве пластина

4 приближается к поверхности диэлектрического резонатора 3, увеличивая .его резонансную частоту на величину, равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты диэлектрического резонатора.3, вызванного его. ТКЧ. При положительном ТКЧ диэлектрического резонатора

3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него, компенсируя увеличения резонансной частоты самого диэлектрического резонатора 3.

Выбор марки биметалла по величине удельного изгиба, его толщины, длины, ориентации активного слоя и расстояния до диэлектрического резонатора 3 позволяет скомпенсировать

ТКЧ диэлектрического резонатора с любыи разбросои параметров его материала. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется из материала с малым коэффициентом линейного расши рения.

Термокомпенсированное резонансное усгройство, содержащее корпус,в котором размещены диэлектрическое основание, диэлектрический резонатор, установленный на неи, и термокомпенсирующий элемент, установленный над диэлектрическим резонатором, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения температурной стабильности частоты, термокомпенсирующий элемент выполнен в виде пластины из биметалла, расположенной параллельно диэлектрическому основанию и закрепленной одним концом на корпусе.