Контактное устройство преимущественно для контроля периферийных областей микросхем

 

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для подключения и коммутации отдельных криоэлектронных микросхем в процессе , например, их статических измерений. Цель изобретения - повышение производительности работы устройства. Устройство состоит из диэлектрических оснований 1 и 2 с отверстиями 3 и 4, набором контактных элементов 5 и проводящих проводников 6. Контактные элементы 5 выполнены П- и Z-образной формы. Их средняя часть жестко закреплена между диэлектрическими основаниями 1 и 2, а концы размещены в отверстиях 3 и 4. 6 ил. (О ГС сд оо 4 СО фиг. 2

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5ц 4 Н 05 К 1/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ!

pub. 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3811128/24-21 (22) 29.10.84 (46) 15.08.86. Бюл. № 30 (71) Ордена Ленина институт кибернетики им. В. М. Глушкова (72) И. Д. Войтович и В. П. колоб (53) 621.382.2 (088.8) (56) Патент США № 3905098, кл. 29 — 628, 16.09.75.

Moscowitz P. А. Electricol Perfomance

of High Density Pvobe Avray for Testing

Josephgon circuits chips. — 1ЕЕЕ Transactions on Magnetics, ч. MAG — 17, 1981, N 1, р. 761 — 763. (54) КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПЕ„„SU„„1251349 А1

РИФЕРИЙНЫХ ОБЛАСТЕЙ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для подключения и коммутации отдельных криоэлектронных микросхем в процессе, например, их статических измерений.

Цель изобретения — повышение производительности работы устройства. Устройство состоит из диэлектрических оснований 1 и 2 с отверстиями 3 и 4, набором контактных элементов 5 и проводящих проводников 6.

Контактные элементы 5 выполнены П- и

Z-образной формы. Их средняя часть жестко закреплена между диэлектрическими основаниями 1 и 2, а концы размещены в отверстиях 3 и 4. 6 ил.

1251349

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для подключения и коммутации отдельных криоэлектронных микросхем в процессе их статических, динамических, температурных и других измерений на стадии отбраковки и в процессе эксплуатации.

Цель изобретения — повышение производительности работы устройства при практических измерениях криоэлектронных микросхем.

На фиг. 1 показано контактное устройство, поперечный разрез; на фиг. 2 — расположение и подсоединение полного комплекта микросхем для контактного устройства (часть его) в изометрии; на фиг. 3, 4, 5— контактное устройство, поясняющее расположение и подсоединение полного комплекта микросхем для измерения в жидком гелии за один термоцикл; на фиг. 6 — подсоединение подводящих проводников к контактным элементам.

Контактное устройство состоит из двух диэлектрических оснований 1 и 2 с верхними

3 и нижними 4 отверстиями, набора контактных элементов 5 и подводящих проводников 6.

Набор П- и Z-образных контактных элементов 5 располагается между диэлектрическими основаниями 1 и 2 таким образом, что их средние части защемлены перемычками 7 между отверстиями 3 и 4 оснований, а концы каждого контактного элемента свободно проходят через отверстия 3 и 4 и могут свободно перемещаться в них по направлению, перпендикулярному к плоскости оснований.

Проводники 6 подсоединяются к тонкопленочным микрополосковым металлическим линиям, которые предварительно наносятся на одно из диэлектрических оснований, в данном случае верхнее 1. Линии наносятся таким образом, что захватывают и перемычку 7 между отверстиями 3. Поэтому при сборке устройства гальваническая связь получается от контактного элемента 5 через металлизируемую перемычку 7, микрополосковый тонкопленочный участок к проводнику 6. Все проводники проходят от контактного элемента через вырез в центре верхнего диэлектрического основания 1.

Образцы исследуемых микросхем 8 — 12 периферийной областью подводятся к устройству снизу (фиг. 3) и закрепляются таким образом, что их микроконтактные площадки соприкасаются с свободно перемещаемыми концами соответствующих контактных элементов 5. Микросхемы, расположенные на

10 подложках 13 — 16, периферийными областями накладываются по краям устройства сверху, как показано на фиг. 4.

Из фиг. 3 — 5 видно, что при работе с устройством его П-образные контактные элементы коммутируют и соответственно подводят токи одновременно к пяти проверяемым микросхемам 8 — 12, которые размещены снизу устройства, и микросхемам 13 — 16, расположенным сверху устройства. Металлическая линия подсоединена к проводникам 6.

Соответствующий набор Z-образных контактных элементов коммутирует электрические цепи микросхем, расположенных друг над другом по вертикали со всех четырех сторон устройства. Таким образом, общее число микросхем, проверяемых за один измерительный цикл (одно погружение в жидкий гелий), составляет девять штук.

Это повышает производительность измерений по сравнению с известными контактными устройствами.

Формула изобретения

Контактное устройство преимущественно для контроля периферийных областей микросхем, содержащее диэлектрические основания с размещенными между ними контактными элементами и токоотводы отличающееся тем, что, с целью повышения производительности в работе, контактные элементы выполнены в виде П-образных и Z-образных скоб, средняя часть каждой из которых жестко закреплена между диэлектрическими основаниями, свободные концы их размещены в отверстиях, выполненных в диэлектрических основаниях, а токоотводы укреплены в средней части контактных элементов.

1251349 авиа У авиа 5

Составитель В. Максячкин

Редактор Н. Слободяник Техред И. Верес Корректор В. Синицкая

Заказ 4427/59 Тираж 765 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4