Биполярный планарный мощный свч-транзистор

Авторы патента:

H01L29/73 - биполярные плоскостные транзисторы

(19)RU(11)1256616(13)C(51) МПК ⁵ _H01L29/73Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов. Цель изобретения - улучшение энергетических характеристик. На чертеже схематично изображен предлагаемый транзистор. Транзистор состоит из базовой 1 и эмиттерной 2 металлизаций, контактных окон 3 к базовой области, контактных окон 4 к эмиттерной области, ячеек 5, пар 6 ячеек. Расстояние между ячейками в предлагаемом транзисторе составляет 1,4 мкм, расстояние между соседними парами в горизонтальном ряду 2,8 мкм, базовая и эмиттерные металлизации выполнены толщиной 1,5 мкм. Выходная импульсная мощность предлагаемого транзистора 80 Вт, что на 25% превышает мощность известного транзистора. (56) Патент США N 3434019, кл. 357-36, 1969. Патент Великобритании N 1112094, кл. Н 1 К, 1968.

Формула изобретения

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами ячеек.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002

Извещение опубликовано: 20.04.2002

Похожие патенты:

Биполярный транзистор // 1091783

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании биполярных транзисторов

Биполярный транзистор // 1005607

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, имеющим, по крайней мере, два p-n-перехода

Интегральный биполярный транзистор // 865081

Полупроводниковый прибор // 789019

Мощный свч-транзистор // 2226307

Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов

Биполярный транзистор с изолированным электродом затвора // 2246778

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии

Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов

Устройство аккумулирования электрического заряда на основе электронного насоса, структуры полупроводник - металл - полупроводник // 2292608

Полупроводниковый прибор с изолированным затвором // 2407107

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам

Мощный свч-транзистор (варианты) // 2054756

Изобретение относится к полупроводниковой электронике

Транзистор // 2062531

Мощный биполярный транзистор // 2065643

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы

Мощный свч-транзистор // 2089014

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов

Полупроводниковый прибор // 2045111

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов