Устройство с входной @ -образной вольт-амперной характеристикой

 

СС!ОЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (д1) 4 Н 03 F 3/16

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3592105/24-21 (22) 06. 05. 83. (46) 15,09,86, Бюл. NF 34 (72) И, И. Обод (53) 621.373(088.8) (56) Обод И, И. и Кутовой И. В. Ге,нератор импульсов на полевом и бипо лярном транзисторах. Приборы и техника эксперимента. У 2, 1982, с.93.

Авторское свидетельство СССР

У 881975, кл, H 03 F 3/)6, 1979, (54) УСТРОЙСТВО С ВХОДНОЙ S-ОБРАЗНОЙ

ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ (57) Изобретение относится к области радиотехники и импульсной техники., Может быть использовано в качестве активного элемента в усилителях, генераторах гармонических колебаний, „„SU„„!257806 А 1 активных фильтрах, стабилизаторах напряжения. Цель изобретения " расширение диапазона отрицательных сопротивлений достигается за счет увеличения коэффициента усиления в цепи обратной связи. Для этого в устройство дополнительно введен резистор, включенный между шиной питания и коллектором второго биполярно!о транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором первого биполярного транзистора, а база соединена с затвором полевого транзистора. Начало формирования участка отрицательного дифференциального сопротивления устройства зависит от коэффициентов усиления транзисторов 2 и 3 и крутизны характеристики транзистора ° 1 ил.

1257806

1О !

30 изобретения

Составитель Г. Брынский

Редактор И. Сегляник Техред И.Верес Корректор Л. Патай

Заказ 5039/56 Тираж 816 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 но-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, Изобретение относится к радиотех- нике и импульсной технике и может быть использовано в качестве активного элемента в усилителях, генераторах гармонических колебаний, активных фильтрах, стабилизаторах напряжения.

Цель изобретения — расширение диапазона отрицательных сопротивлений за счет увеличения коэффициента усиления в цепи обратной связи.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит полевой транзистор 1, первый и второй биполярные транзисторы 2 и. 3, основной 4 и дополнительный 5 резисторы, входную шину 6, причем эмиттер первого биполярного транзистора 2 соединен с общей шиной,. а база со стоком полевого транзистора 1, исток которого соединен с входной шиной 6, а затвор через резистор 4 соединен с шиной питания, второй биполярный транзистор 3 эмиттером соединен с коллектором первого транзистора 2, коллектором — через резистор 5 с шиной питания, а база соединена с затвором полевого транзистора 1.

Устройство работает следующим образом.

При включении напряжения питания и отсутствия напряжения на входной шине 6 транзистор 2 закрыт. Транзистор 3 работает в режиме эмиттерного повторителя и напряжение на его базе и эмиттере практически равны и равны напряжения питания E.. Таким образом напряжение на затворе полевого транзистора 1 равно ориентировочно напряжению питания и следовательно канал полевого транзистора 1 перекрыт полностью объемным зарядом. В результате этого сопротивление канала максимально.

По мере возрастания напряжения на входной шине 6 в определенный момент (когда напряжение между затвором и истоком равно напряжению отсечки) транзистор 1 начинает открываться, т.е. сопротивление канала уменьшается, что приводит к появлению тока базы транзистора 2, Ток базы усиливается транзистором 2 в результате чего напряжение на коллекторе транзистора 2 уменьшается. Уменьшается и напряжение на эмиттере транзистора 3, что ведет к протеканию тока через переход база — эмиттер транзистора 3 и уменьшению напряжения на базе транзистора 3 и следовательно, на затворе транзистора 1, что ведет к еще большему открыванию канала полевого транзистора 1 и увеличению тока базы транзистора 2 и т.д.

Развивается лавинообразный процесс отпирания транзисторов 1 — 3 и на вольт-амперной характеристике цепи шина 6 — общая шина появляется участок отрицательного дифференциального сопротивле «ия, При уменьшении напряжения на шине 6 устройство возвращается в исходное состояние.

Таким образом, начало формирования участка отрицательного дифференциального сопротивления устройства зависит от коэффициентов усиления транзисторов 2 и 3 и крутизны характеристики полевого транзистора 1.

Формула

Устройство с входной S-образной вольт-амперной характеристикой, содержащее полевой транзистор, первый биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база — со стоком полевого транзистора, исток которого соединен с входной шиной, а затвор через резистор соединен с шиной питания, второй бипоI лярный транзистор, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью расширения диапазона отрицательных сопротивлений, в него дополнительно введен резистор, включенный между шиной питания и коллектором второго бипо лярного транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором первого биполярного транзистора, а база — с затвором полевого транзистора.