Устройство для получения отрицательных сопротивлений

 

! н, (71) Заявнтель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ

C0IIP0THBËÅНИЙ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например, в переключающих и адаптивных пороговых устройствах.

По основному авт. св. Ф 425304 известно устройство для получения отри цательных сопротивлений, содержащее биполярный и полевой транзисторы и первый и второй резисторы, база биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, соедине16 на с истоком полевого транзистора, сток которого через первый резистор подключен к входной шине, а затвор соединен с коллектором биполярного транзистора, который через второй

1S резистор подключен к шине источника питания Я .

К недостаткам известного устройства следует отнести ограниченные функциональные воэможности. Это свя30 зано с тем, что в известном устройстве напряжение включения (напряжение, соответствующее началу участка с отрицательным сопротивелнием/ определяется напряжением на шине источника питания. Поэтому изменение напряжения включения возможно лишь посредством изменения напряжения на шине источника питания, что не всегда допустимо.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей устройства.

Для достижения этой цели в устройство для получения отрицательных сопротивлений по авт. св. 9 425304, содержащее биполярный и полевой транзисторы и первый и второй резисторы, база биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, соединена с истоком полевого транзистора, сток которого через первый резистор подключен.к входной шине, а затвор соединен с коллектором биполярного транзистора, который через второй резистор подключен к шине источника питания, введены дополнительные биполярный и полевой транзисторы, причем исток и сток дополнительного полевого транзистора, затвор которого подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора, соединены соответственно с истоком и стоком полевого транзистора, а коллектор дополнительного биполярного транзистора, база которого соединена с шиной управления, подключен к коллектору биполярного транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства, Устройство содержит биполярный

1 и дополнительный биполярный 2 транзисторы, полевой 3 и дополнитель. ный полевой 4 транзисторы, первый 5 и второй 6 резисторы, Обьединенные стоки полевых транзисторов3 и 4 через резистор 5 подключены к входной шине 7. Объединенные коллекторы биполярных транзисторов 1 и 2 через резистор 6 подключены к шине питания

8. База транзисторов 2 соединена с шиной управления 9.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии напряжение на шине 7 таково, что транзисторы 3 и 4 заперты. Вследствие этого заперт и транзистор 1. Напряжение на затворе транзистора 3 равно напряжению на шине 8 источника питания. Напряжение на затворе транзистора 4 несколько меньше и определяется управляющим напряжением на шине 9. По мере возрастания напряжения на шине 7, в определенный момент (когда напряжение между затвором и стоком равно напряжению отсечки} транзистор 4 начинает отпираться. Это ведет к отпиранию транзистора 1. Напряжение на коллек1975 торе этого транзистора, к которому подключен затвор транзистора 3 начи«нает падать, транзистор 3 отпирается, что ведет к дальнейшему отпирании транзистора 1. Развивается лавинообразный процесс отпирания транзисторов 1,3,4 и на вольтамперной характеристике цепи шина 7-общая шина появляется участок с отрицательным диф"

10 ференциальным сопротивлением.

При уменьшении напряжения на шине 7 устройство возвращается в исхсдч ное состояние.

Положительный эффект данного тех15 нического решения обусловлен тем, что в устройстве существует возможность электронного управления напряжением включения. Это существенно расширяет функциональные возможности устройства.

Формула изобретения

Устройство для получения отрицательных сопротивлений по авт. св °

11- 425304, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможнсстей, в него введены дополнительные биполярный и полевой транзисторы, причем исток и

30 сток,цспслнительнсrо полевоro транзистора, затвор которого подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора, соединены соответственно с истоком и стоком полевого транзистора, а коллектор дополнитель35 ного биполярного транзистора, база которого соединена с шиной управления, подключен к коллектору биполярного транзистора.

Источники информации

ДД принятые во внимание при экспертизе

1. Анторсксе свидетельство СССР

К- 425304, кл. Н 03 F 3/1б 29.0б.74.

ВНИИПО Заказ 9997/85

Тираж 991 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород,ул.Проектная,4