Способ изготовления пленочных резисторов

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике при изготовлении прецизионных резисторов, в тонкопленочных гибридных интегральных схемах. Известен способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя, проводящего слоя металла, формирование рисунка резисторов и стабилизирующий отжиг. Недостаток известного способа состоит в большом разбросе температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и низкой временной стабильности резисторов. Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления пленочных резисторов, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов и стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки. Недостатки этого способа заключаются в большом разбросе ТКС (310-4 град-1) и низкой временной стабильности (0,5%). Цель изобретения уменьшение разброса значения температурного коэффициента сопротивления и повышение временной стабильности характеристик. Это достигается тем, что в известном способе изготовления пленочных резисторов, включающем последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15-30 мас. и алюминия 70-85 мас. П р и м е р. На подложку из ситалла СТ50-1-1 напыляют резистивный слой, а затем в едином технологическом цикле наносят на установке УВН-75 П1 подслой ванадия, слой меди и защитную пленку ванадиевоалюминиевого сплава методом электронно-лучевого испарения металлов из молибденовых тиглей. Режимы нанесения приведены в табл.1. Ванадий и алюминий испаряют одновременно, при этом процесс напыления начинают после разогрева испарителей в течение 60-70 с. Рисунок резисторов и коммутационных дорожек формируют методом фотолитографии, включающей операции нанесения фоторезиста ФП-383, экпонирования рисунка, проявления в растворе тринатрийфосфата, задубливания, травления многослойной структуры в смеси кислот (Н3РО4, НNО3 и Н2О). Операцию стабилизирующего отжига подложек со схемами проводят в муфельной печи при оптимальных температурах 320оС (сплав РС 3710) и 420оС (сплав К50С) с последующим селективным травлением пленки из ванадиево-алюминиевого сплава сначала в 3-5%-ном горячем растворе NаОН и затем в перекиси водорода. Настоящим способом были изготовлены резисторные микросборки четырех типов по 100 штук каждого типа. Результаты испытаний приведены в табл.2 и 3. Изобретение позволяет уменьшить разброс ТКС, повысить временную стабильность пленочных резисторов, увеличить выход годных и снизить стоимость резисторных микросборок.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству мощных высоковольтных резисторов электроэнергетического назначения, применяемых в качестве токоограничивающих, шунтирующих, разрядных элементов электрических схем для рассеяния электрической энергии в аварийных и коммутационных режимах

Изобретение относится к устройствам для намотки проволочных резисторов

Изобретение относится к производству радиотехнических изделий

Изобретение относится к области производства радиодеталей, и является дополнительным к авторскому свидетельству СССР № 1091233

Изобретение относится к радиоэлектронной промьшшенности и может быть использовано при лужении полупроводниковых приборов
Изобретение относится к технике изготовления резисторов, в частности прецизионных резисторов для электроизмерительных приборов

Изобретение относится к области микроэлектроники

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Изобретение относится к электротехнике, в частности к электропроводным материалам, и может быть использовано для изготовления нелинейных регисторов, применяемых, например, в устройствах, предназначенных для защиты от перенапряжений

Изобретение относится к средствам нагрева и может быть использовано в промышленности и в быту

Изобретение относится к области электротехники, а именно к переменным резисторам
Наверх