Силовой быстровосстанавливающийся диод
1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями: 
где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; 
- концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров; C1, C2 - коэффициенты захвата рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров.
2. Диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения токораспределения по площади диода, области с меньшим содержанием рекомбинационных центров равномерно распределяют по площади структуры, при этом диаметр d области и толщина W n-слоя структуры, границы которой совмещены с областью с большим содержанием рекомбинационных центров, определены соотношением d > 4W.
