Способ определения энергетического положения точки lic - дна долины l нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки

 

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с известной теоретической зависимостью, основанной на модели Кейна, и по точке разветвления экспериментальной и теоретической кривых из условия Δ^*= I_теор(N_{e разв}) определяют энергетическое положение [ε[Lic)] дна Lic долины L нижней зоны проводимости по формуле ε(Lic) = Δ^*+ε(Гic), где ε(Lic) и ε(Гic) - энергии минимума Lic и абсолютного минимума Гic нижней зоны проводимости, соответственно отсчитанные от вершины валентной зоны; N_{е разв} - абсцисса точки разветвления экспериментальной и теоретической кривых зависимости эффективной массы электронов m_е/m_о от их концентрации N_{е разв}; I_теор - величина уровня Ферми при N_е = N_{е разв}, найденная расчетным путем; m_о - масса свободного электрона; Δ^* - энергетический зазор между верхней и нижней долинами нижней зоны проводимости.