Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках

Авторы патента:

Бугаев В.И.

Веденеев А.С.

Ждан А.Г.

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

COKH СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РГСПУВЛИК (s»s Н 01 L21/66

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3825029/25 (22) 12.12.84 (46) 15.10.93. Бюл. Ьр 37-38 (71) Институт радиотехники и электроники

AH СССР (72) В.И.Бугаев, А,С.Веденеев и А.",.Æäàí (5á) Блад П., Сртон Дж,В, Методы измерения электрических свойств полупроводников. вЂ” Зарубежнав Радиоэлектроника, 1981, К . f, с. 3 вЂ” 50, Авторское са..датель "тво СССM. 707455 кл. 6 01 «27/00, 1 980, (5Я57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕННАЯ

СТЕПЕНИ КОМПЕНСАЦИИ ПРИМЕСЕЙ 8

PQjgggPQQQP 1 /) Д с, ру аувер рле дуемый и зталонный образцы, к холлам.:ким контактам которых подключены усилители

ЭДС XolM3, а к тОкОВым KQHTBKTBM эталон" ного образца подключен источник тока, о т л ича Го щеесв тем, что, с цельюупроицения и повышений оперативности и точности измерениЙ, в него дополнительно введен ди еренциальный операционный усилитель к инвертирующему и неин!.-ертирую це- у с: од"; кл,.орог", о од .;,с ю з г : г * ° усилителей ЗЛС Холла, а выходдиФа>воен.::,:1вЂ” альнаго операционного усилител:4 соединен .. пеодь м TQ;оьы Ф к:."..г актом исса; уердого с :РРЗВЛ }f, тз ОРОСИ;. :" "КОВО :, КО та ктУ КЩ QPQ Q подклгочен измерчтель «ока.

Редактор

Заказ 3383

Техред M.Моргентал Корректор 0. Густ и

Тираж Подписное

НПО "Поиск" Роспатента

113035. Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г. Ужгород. ул.Гагарина. 10i

Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках

Изобретение относится к технике измерения на СВЧ

Способ отбраковки ненадежных кмоп ис // 1239658

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник // 1238630

Способ комплектования в пары изделий,преимущественно фотоэлектрических пар "излучатель-приемник // 1234792

Изобретение относится к области приборостроения и позволяет уменьшить разброс контролируемого параметра у комплектуемых п.ар и сократить число некомплектных изделий в способе комплектования в пары изделий

Зондовая головка // 1224858

Способ измерения глубины нарушенного слоя на полупроводниковых монокристаллах // 1222147

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано для определения глубины трещиноватого слоя на монокристаллах полупроводниковых материалов, преимущественно кремния, германия, арсенида галлия, после грубой механической обработки (резки, шлифовки)

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур // 1222145

Способ измерения скорости поверхностной генерации- рекомбинации // 1213510

Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов // 1204039

Способ измерения толщины слоев в процессе их осаждения // 1202461

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приборов

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349