Способ определения коэффициента поглощения твердых слабопоглощающих слаборассеивающих материалов с малой диффузной составляющей коэффициента отражения

 

Изобретение относится к технической физике. Способ позволяет повысить точность определения коэффициента поглощения твердых слабопоглощающих слаборассеивающих материалов и измерять указанный коэффициент. при.отсутствии информации о коэффициенте отражения исследуемых материалов . С помощью двух интегрирующих сфер и эталона с известным коэффициентом отражения определяют коэффициент поглощения образца с учетом отраженной и рассеянной энергии по формуле, приведенной в изобретении. 1 ил. § СЛ

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

РЕСПУБЛИК аю «и

А1 (бц 4 С 01 N 21/59

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ. ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3902978/31-25 (22) 04.04.85 (46) 30.01.87. Бюл. Ф 4 (71) Институт высоких температур АН СССР (72) В.А.Петров, С.В.Степанов и С.С.Моисеев ,(53) 535.242(088.8) (56) Стекло кварцевое оптическое.

ГОСТ 15130-79.

Иванов А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск: Наука и техника, 1969, с. 454-457 (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА .ПОГЛОЩЕНИЯ ТВЕРДЫХ СЛАБОПОГЛОЩАЮЩИХ

СЛАБОРАССЕИВАЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ С МАЛОЙ

ДИФФУЗНОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ КОЭФФИЦИЕНТА

ОТРАЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к технической физике. Способ позволяет повысить точность определения коэффициента поглощения твердых слабопоглощающих слаборассеивающих материалов и измерять указанный коэффициент прн. отсутствии информации о коэффициенте отражения исследуемых материалов. С помощью двух интегрирующих сфер и эталона с известным коэффициентом отражения определяют коэффициент поглощения образца с учетом а

Cl отраженной и рассеянной энергии по формуле, приведенной в изобретении.

1 ил.

С:

1286966

Изобретение относится к техни еской физике и связано с исследовани ем оптических свойств твердых полупрозрачных материалов.

Цель изобретения " увеличение точ- 5 ности. определения коэффициента поглощения твердых слабопоглощающих слаборассеивающих материалов, имеющих зеркально-диффузный характер отражения границ, эа счет учета влия- 10 ния поверхностного рассеяния и возможности определения коэффициента поглощения материалов с неизвестным коэффициентом отражения.

На чертеже схематически изображено устройство для осуществления предлагаемого способа.

Устройство содержит источник 1 коллимированного излучения, модулятор 2, приводимый во вращение двигателем 3, диафрагму 4, интегрирующую сферу 5; в которой располагают образец 6, эталон 7 (на чертеже это поверхность сферы), приемник 8 излу чения и защищающий его от засветки после первого отражения от поверхности сферы экран 9. Перемещающий

1держатель 10 позволяет вводить и выводить образец 6 и эталон 7 из эоны действия излучения. Сфера 11, расположенная на некотором расстоянии от первой и имеющая только одно входное отверстие, соосное с входным и выходным отверстиями первой сферы

5, с приемником 12 излучения служит 35 для определения пропускательной способности образца. Узкополосный усилитель 13 и цифровой прибор 14 служат для измерения и регистрации сигналов с приемников 8 и 12.

Способ осуществляют следующим образом.

Через входное отверстие первой интегрирующей сферы 5 на установлен- 45 ный в ее центре эталон 7 с коэффициентом отражения R, направляют излучение так, чтобы отраженный луч

- попадал на стенку сферы; Измеряют сигнал А, пропорпиональный энергии, отраженной от эталона. Эталон выводят из зоны действия луча. На место эталона под малым углом к лучу вводят образец 6 так, чтобы зеркально отраженное излучение попадало на стен-55 ку сферы. Измеряют сигнал А, пропорциональный освещенности в первой сфере при взаимодействии луча с образцом.

Во второй интегрирующей сфере 11 измеряют сигнал А, пропорциональНБ|й энергии излучения, прошедшего сквозь образец. Образец выводят из эоны действия луча. Затем измеряют сигнал А во второй интегрирующей сфере, про-. порциональный освещенности, созданной полым падающим излучением. Определяют коэффициент поглощения по формуле

1-P-G

К =

А, /A„

Az/А4 Кзт, толщина образца, коэффициент отражения эталона. где P =

Н—

Rэт

Формула изобретения лощения материалов с неизвестным коэффициентом отражения, дополнительно измеряют сигнал — А2, пропорциональный сумме объемного и поверхностного рассеяний, а также зеркального отражения образца, при минимальном повороте образца по отношению к падаю— щему лучу током, что все лучи, зеркально отраженные образцом, попадают на стенку сферы, а коэффициент поглощения определяют по формуле

1-Р-G

Н где P = А,/А., С = R„A,/А4 пропускательная способность образца отношение энергии рассеянной и отраженСпособ определения коэффициента поглощения твердых слабопоглощающих слаборассеивающих материалов с малой диффузной составляющей коэффициента отражения, заключающийся в том, что направляют луч света на образец, рас-.. положенный в центре интегрирующей сферы, измеряют сигнал А, пропорциональный пропущенной образцом энергии, выводят образец из хода луча и измеряют сигналы, пропорциональные падающей энергии А и энергии А, отраженной от установленного на место образца эталона с коэффициентом отражения

К и рассчитывают коэффициент поглощения, о т л к ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерений за счет учета влияния поверхностного рассеяния и возможности определения коэффициента пог1286966

Н вЂ” толщина образца в направлении хода луча. ной образцом к падающей

Составитель И.Никулин

Редактор Е,Копча Техред Л.Олейник КорректорГ.Решетник

Эаказ 7706/43 Тираж 776 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и .открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,