Способ измерения спектра поглощения магнитного материала для носителя информации

Авторы патента:

АВЕРКИН АНАТОЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ

ДМИТРИЕВ ВИТАЛИЙ ПАВЛОВИЧ

УСОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров магнитных материалов в производстве магнитных накопителей информации. Способ основан на воздействии на магнитный материал переменным магнитным пол ем путем размещения магнитного материн-) ла в колебательном контуре с зависящим от амплитуды колебаний реактивным сопротивлением и возбуждением в контуре колебаний с удвоенной резонансной частотой контура, и на реги- :трации поглощения материалом ; нерГ1Ш магнитного поля в зависимости от напряженности постоянного магнитного . поля амплитудным детектированием колебаний контура на его резонансной частоте, в результате чего (существенно повышается информативность способа. i СЛ

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) 1511 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3940440/24-24 (22) 01 ° 08.85 (46) 15.02.87. Бюл. У 6 (72) А.Н.Аверкин, В.П.Дмитриев и Н,Н.Усов (53) 681.327 (088.8) (56) Малоземов А., Слонзуски Дж. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. M.:

Мир, 1982, с. 70.

Чечерников В.И. Магнитные измерения, изд-во МГУ, 1969, с.318-326. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СПЕКТРА ПОГЛО.ЩЕНИЯ МАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и .может быть использовано для контроля параметров магнитных материалов в производстве магнитных накопителей информации. Способ основан на воздействии на магнитный материал переменным магнитным полем путем размещения магнитного матерна. ла в колебательном контуре с зависящим от амплитуды колебаний реактивным сопротивлением и возбуждением в контуре колебаний с удвоенной резонансной частотой контура, и на регистрации поглощения материалом энергии магнитного поля в зависимости от напряженности постоянного магнитного поля амплитудным детектированием колебаний контура на его резонансной I частоте, в результате чего существенно повьппается информативность способа.

С:

0421

Составитель В.Костин

Техред ll.0лейник Корректор Л.Пилипенко

Редактор К.Волощук Заказ 7910/52 Тираж 611 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

1 129

Изобретение относится к вычисЛйтельной технике и может быть использовано в производстве запоминающих устройетв для контроля материалов, используемых в устройствах магнитной памяти, например феррит-гранатовых пленок.

Целью изобретения является повышение информативности способа измерений.

Способ апробирован в радиоспектрометре, содержащем колебательный контур с собственной средней частотой резонанса 100 МГц, в который введен нелинейный элемент емкостного характера вЂ” варикап, возбуждаемый от генератора на частоте 200 МГц, источник постоянного магнитного поля, изменяемого по величине и ориентации по отношению к исследуемому объекту, двухкоординатный вольтметр-самописец для записи магнитного спектра: на вход Х

1подается сигнал от датчика величины постоянного магнитного поля, на вход

-Y â€ сигнал от амплитудного детектора, также входящего в состав устройства и подключенного к колебательному контуру.

Исследуемыми объектами были эпитаксиальные феррит-гранатовые структуры с доменосодержащими магнитными пленками, расположенными с одной (односторонние структуры) или с обеих сторон подложки (двухсторонние структуры), а также структуры с имплантированными или напыленными пермаллоевыми слоями продвижения доменов. Информативность способа и точность устройства, реализующего способ, таковы, что позволяют по записанным спектрам определять не только поля коллапса, насыщения, анизотропии и т.п. для каждого из слоев, но и выявлять и количественно оценивать более тонкие эффекты: сигналы от имплантированных слоев, магнитострикционные эффекты от основных доменосодержащих слоев, а также от слоев имплантированных, сигналы, связанные с перестройкой доменных стенок (структуры Блоха и Нееля), определять коэффициент вязкого трения, намагниченность насыщения.

Формула изобретения !

Способ измерения спектра поглощения магнитного материала для носителя информации, основанный на воздействии на магнитный материал постоянным магнитным полем и переменным магнитным полем и на регистрации поглощения материалом энергии магнитного поля. в зависимости от напряженности постоян25 ного магнитно"о поля, о т л и ч а ювЂ” шийся тем, что, с целью повышения информативности способа, воздействие на магнитный материал переменным магнитным полем осуществляют путем размещения магнитного материала в колебательном контуре с зависящим от амплитуды колебаний реактивным сопротивлением и возбуждением в контуре колебаний с удвоенной резонанс ной частотой контура, а регистрацию

35 поглощения материалом энергии магнитного поля в зависимости от напряженности постоянного магнитного поля осуществляют амплитудным детектированием колебаний контура на его резо40 нанс. ой ч о,

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминакяцих устройствах , в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены

Накопитель информации для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1287230

Реверсивный магнитный регистр сдвига // 1283855

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств переработки и хранения информации на плоских магнитных доменах (ПМД).Целью изобретения является повьшение информационной плотности и упрощение ре .версивного магнитного регистра сдвига

Накопитель информации // 1275542

Изобретение относится к области вычислительной техники и быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов // 1275541

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств и цилиндрических магнитных доменов (ЦМД)

Устройство для обнаружения и исправления ошибок в доменной памяти // 1275540

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Переключатель цилиндрических магнитных доменов // 1275539

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦВД)

Накопитель для запоминающего устройства // 1275538

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации,Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо

Устройство встроенного функционального контроля для доменной памяти // 1275537

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть 1спользовано при построении запоми1ающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Устройство управления буферным накопителем для доменной памяти // 1275536

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть 63У пользовано при построении запоминаюпщх устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)