Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов

 

№ 133238

Класс Яд, ), с-, :.л с"., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подпасная гр1, ппа. Лг 161

Э, М. Титова, М. Я. Дашевский и Б. К. Воронов

ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заяв tello !О икгия 1!)59 г. за ¹ 660776122 в Копиист но «елам изобретений и откргятий нри Совсп Министров CCCI

Оиубликоваио в «Бюллетене изобретении» ¹ 21 за 1960 г.

Р1звсстный метод Чохра IbcKoi.o, применяемый в практике для получения полупроводниковых веществ, нс обеспечивает равномерное распределение примесей, а следовательно, п электролитических свойств по длине кристалла, что затрудняет массовое изготовление полупроводниковых приборов со стаопльными и воспроизводимыми характеристиками.

Описываемая конструкция тигля обеспечивает постоянство концентрации примесей в расплавс и равномерное распределение их по длине кристалла.

На чертеже изображен тигель, об цпй вид.

Тигель выполняется в впдс дву. сообщающихся сосудов 1 и 2, соединенных трубкой 3. Во внутренний сосуд 1 помещается навеска материала с примесью в нужной концентрации, которая должна быть равна заданной концентрации в выращивасмом кристалле, поделенной на коэффициент распределения. Во внешний тигель помещается чистый материал или материал с примесями выбранной концентрации. Соединительная трубка 8 имеет такую длину п диаметр, при которых можно пренебречь днффузнсй примеси из внутреннего сосуда во внешний. Поддержание постоянной концентрации примеси в расплавс достигается подпиткой материалом из внешнего тигля. Размеры сообщающихся сосудов H пх соотношение определяются по формуле, в зависимости от природы лсгирующей примеси.

Путем соответствующего подбора формы внешнего тигля осуществляется программное питание расплава при получении кристалла с участками, содержащими различнос, но заданное количество примеси.

Предмет изобретения

Тигель для вытягивания монокрпсталлов полупроводниковых материалов, выращиваемых по способу Чохральского, от л ич аю щи и с я тем, что, с целью обеспечения постоянной концентрации примеси в расплаве, он выполнен в виде жестко соединенных и расположенных один в другом сообщающихся сосудов.

Формат бум. 70+108 /iq Объем 0,17 и. л.

Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 r. — 3 ког,.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Подп. к печ. 17.XI-60 г

Зак. 9579

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Редактор Н. Л, Леонтьева Техред А. A. Кудрявицкая Корректор В. Фомина

Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству, для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к области выращивания тугоплавких кристаллов методом Чохральского

Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов

Изобретение относится к получению монокристаллов диэлектриков и полупроводников направленной кристаллизацией путем вытягивания слитка вверх из расплава и может найти применение в производстве полупроводниковых и электрооптических монокристаллических материалов

Изобретение относится к области выращивания крупногабаритных монокристаллов с использованием двойного тигля и подпитки расплава исходным материалом

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических соединений и их твердых растворов в виде слитка с заданным наперед распределением состава по длине слитка (концентрационно-профилированных слитков) и может найти применение в производстве монокристаллов

Изобретение относится к холодному тиглю для плавки и кристаллизации неорганических соедин-ений методом гарнисажа и обеспечивает увеличение размеров монокристаллов
Наверх