Способ определения линейных параметров многополюсника

 

Изобретение относится к технике радиоизмерений и обеспечивает повышение точности за счет устранения погрешностей, обусловленных паразитными элементами резисторов. Способ заключается в том, что на один вход исследуемого многополюсника (ИМИ) 5 через последовательно включенный резистор 2 подают синусоидальньш сигнал от источника 1 синусоидального сигнала. К другим входам ИМП 5 подключаются параллельно резисторы 3. На всех входах ИМП 5 измеряют комплексные напряжения U11 UjiПри отсутствии ИМП 5 и поочередном подключении последовательно к каждому резистору 3 источника ЭДС измеряют диагональные и недиагональные компоненты Up.- , Upp- матрицы опорных напряжений Up. Затем при поочерёдном подключении образцового резистора последовательно к каждому резистору 3 и источнику ЭДС измеряют напряжение . на нем - компонент вектора калибровочных напряжений Uj. Операции измерений напряжений на ИМП 5, опорных и калибровочных напряжений осуществляются по N раз.Данные измерений используются для определения коэф.матрицы по формулам. Ц5и этом з читываются систематические поправки дпя определения точных значений коэф. матрицы ИМП 5. Резисторы 2,3 и образцовый резистор подключаются через контактное приспособление 6. 2 ил. с $ (Л 00 м СА

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1317370 А1 (50 4 G 0 R 27 32

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3578025/24-09 (22) 06.01.83 (46) 1.5.06.87. Бюл. Р 22 (71) Воронежский политехнический институт (72) И.А.Мирошник, Н.А.Шкурина, А.А.Рындин и В. Г.Мистюков (53) 621.317.341 (088.8) (56) Альтман Дж.Л. Устройства сверхвысоких частот. М.: Мир, 1970, с. 5878.

Мирошник И.А. Измерение волновых параметров рассеяния многополюсньтх элементов в радиодиапазоне. Известия

ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1977, т.ХХ, N 5, с.86-89. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ

ПАРАМЕТРОВ МНОПИЮЛЮСНИКА (57) Изобретение относится к технике радиоизмерений и обеспечивает повышение точности за счет устранения погрешностей, обусловленных паразитными элементами резисторов., Способ заключается в том, что на один вход исследуемого многополюсника (ИМП) 5 через последовательно включенный резистор 2 подают синусоидальный сигнал от источника 1 синусоидального сигнала. К другим входам ИМП 5 подключаются параллельно резисторы 3.

На всех входах ИМП 5 измеряют ком плексные напряжения U-, U - - . .При

Н Ф,JI отсутствии ИМП 5 и поочередном подключении последовательно к каждому резистору 3 источника ЭДС измеряют диагональные и недиагональные компоненты П ., U„;; матрицы опорных на- пряжений Uð. Затем при поочередном подключении образцового резистора последовательно к каждому резистору

3 и источнику ЭДС измеряют напряжение

П . на нем — компонент вектора калибровочных напряжений Ug. Операции измерений напряжений на ИМП 5, опорных и калибровочных напряжений осуществляются по N раз.Данные измерений используются для определения коэф.матрицы по формулам. При этом учитывают" ся систематические поправки для определения точных значений коэф. матрицы

ИМП 5. Резисторы 2,3 и образцовый резистор подключаются через контактное приспособление 6. 2 ил.

По

2 —.— — (—.— — — 1 ) Uo,"! U о,.

M.. =11

У 1<, Уо

U tt t i (-- — — — 1)

Uoi

U„„

По"

О„;

M"—

It У !с, — Уо

Uoti (—.-- — — 1) У%.

U 0«. (- — 1 - — 1)g Y .

Uo"

Uîjj !) 0j

fc

1 131

Изобретение относится к технике радиоизмерений и.может использоваться для измерения матриц линейных параметров транзисторов, интегральных схем и других многополюсников.

Цель изобретения — повьппение точности эа счет устранения погрешностей, обусловленных паразитными элементами резисторов.

На фиг, 1 и 2 изображены структурные электрические схемы устройств для осуществления предлагаемого способа.

Устройства для осуществления предлагаемого способа содержат источник

1 синусоидального сигнала, резисторы

2 и 3, образцовый резистор 4 и исследуемый многополюсник 5.

Способ осуществляют следующим образом.

Для измерения вектора калибровочных напряжений собирают устройство в соответствии с фиг. 1. При подключении источника через резистор

2 к образцовому резистору 4, к которому подсоединяется контактное приспособпение 6, предназначенное для соединения i-ro входа исследуемого многополюсника 5, обладающего матрицей У проводимости, и резистора 3 к выходу контактного приспособления 6, предназначенного для подсоединения

j-ro входа исследуемого многополюсника 5, измеряют компоненты Бо; вектора U калибровочных напряжений.Данные измерения проводят М раз.

7370 2

Данные измерений используют для определения коэффициентов матриц линейных параметров исследуемого многополюсника, причем результаты калибровки измерительного приспособления в виде составляющих векторов напряжений 0„ и матрицы напряжений U, а также данные калибровки пробника измерительного прибора, а именно значе10 ние его входной проводимости на заданной частоте измерений используют для определения систематических поправок, посредством которых определяют точные значения коэффициентов

15 матрицы исследуемого многополюсника путем нахождения коэффициентов матрицы:

Y D ((M) — (M ) ), 20 где Р— скалярная матрица с диагональным элементом, равным 2;

M u Mo — матрицы, диагональные и недиагональные коэффициенты которых определяют по формулам

Uoit

2 (—; — — 1)

1- О1

По" — у„(--.--- — 1 ) По

40 о"

45 M о)t где д и

U.

1i о

1

Uol

U0!

Затем собирают устройство в соответствии с фиг. 2, для чего отсоединяют образцовый резистор 4 от i-входа и измеряют диагональные и недиаго-. нальные компоненты U р;, и U 0П матрицы опорных напряжений U . .При каждом

О подключении источника 1 к очередному

i.-входу контактного приспособления измеряют одну диагональную компоненту вектора U u N-1 недиагональных его компонент, причем операции повторяют о! раз по числу входов.

Для определения компонент матрицы полюсных напряжений собирают устройство по фиг. 2 путем подключения,исследуемого многополюсника с матрицей

Y проводимости к соответствующим входам контактного приспособления. Процесс измерений диагональных и недиагональных компонент П.- и 0 ; мат1 рицы напряжений аналогичен процессу измерения матрицы напряжений Uo.

2U 01" П о, ; (- — — —— 1) У

00!! Utti 1

)Y — (— — — — 1)) .

j U 1 оj индексы входов исследуемого многополюсника; диагональный элемент матрицы напряжений U для входа диагональный элемент матрицы напряжений U для входа элементы вектора напряжений !!1, для входов

1 И

13173

М и

Y о

UJI

0 I f о11 где т D f(M) — (M ) 55 элемент матрицы напряжений U который соответствует напряжению на входе j при подключении источника ЭДС к входу проводимость образцового резистора для вхо- . да проводимость образцово- 10

ro резистора для входа j; входная проводимость измерительного прибора; диагональный элемент 15 матрицы напряжений U для входа j недиагональный элемент матрицы U,который соответствует напряжению 20 на входе j при подключении источника ЭДС к входу

Формула изобретения

Способ определения линейных параметров многополюсника, включающий подачу синусоидального сигнала на один из входов исследуемого много- gp полюсника при подключении к нему последовательно, а к остальным входам — параллельно, резисторов и измерение комплексных напряжений U --,, 4

ji на всех входах исследуемого мно-З5 гополюсника, отличающийся тем, что, с целью повьппения точности за счет устранения погрешностей;обус- . ловленных паразитными элементами резисторов, дополнительно измеряют на- 4р пряжения U0. на каждом из резисторов в отсутствии исследуемого многополюсника при поочередном подсоединении к каждому из резисторов последовательно источника ЭДС, измеряют 45 напряжения U; на образцовом резисторе при поочередном подключении его последовательно к каждому из резисторов и.источнику Э ДС, а линейные параметры исследуемого многополюсника оп-5О ределяют путем нахождения коэффициентов матрицы: где D — скалярная матрица с диагональным элементом, равным 2;

Мо — матрицы, диагональные и недиагональные коэффициенты которых определяются по формулам

1-1 ti 11 Oii

2 (— — — — 1)

0 п 1 о1

Uei

У 1„. Y 1)

1 о1 1 о

U1i Oii

2 --;- -- (- -- — — 1 ) Y WUii Uoi k kl (Y „Ug) (1 о 1 )), И " О„; О;

13 011

2(- — — -- — 1 )

U 01

I о е (20ор Up;;

1) т

Uî«1) о k)

l oj

1,; и

oj и 1 — индексы входов исследуемого многополюсника;

U;. — диагональный элемент матрицы напряжений U для входа

Оо;; — диагональный элемент матрицы напряжений U для о входа

U; — элемент вектора напряжений U для входа

U о — элемент вектора напряжений U< для входа

U 1-1 .— элемент матрицы напряжений U, который соответствует напряжению на входе j при подключении источника ЭДС к входу

Т»„. — проводимость образцового резистора для входа

У 1,. — проводимость образцового !

) резистора для входа

Y . — входная проводимость измерительного прибора; — диагональный элемент

)1 матрицы напряжений U, для входа j

U " — диагональный элемент матoi 3 рицы напряжений Ui, для входа

Uäj, — недиагональный элемент матрицы U,,который соответствует напряжению на входе 1 при подключении источника ЭДС к входу

Составитель Р.Кузнецова

Редактор А.Ренин Техред М.Ходанич Корректор H,Муска

Заказ 2418/40 Тираж 730 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35» Раушская наб., д.4!5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород» ул. Проектная,4

Способ определения линейных параметров многополюсника Способ определения линейных параметров многополюсника Способ определения линейных параметров многополюсника Способ определения линейных параметров многополюсника 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоизмерительной технике

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к технике фазовых измерений и может быть использовано для измерения относительных фазовых сдвигов двух процессов и для получения двух сигналов, сдвинутых один относительно другого по фазе на заданную величину

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к области измерений в электронике СВЧ

Изобретение относится к способам определения неоднородностей электрофизических и геометрических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле состава и свойств твердых покрытий в химической, лакокрасочной и других отраслях промышленности

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике и обеспечивает расширение диапазона измеряемых величин и упрощение конструкции
Наверх