Транзисторный ключ

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении наносекундных генераторов импульсов. Устройство содержит транзисторы 1.1-1.N с резисторами 2.1-2.N в цепях коллекторов и 3.1- 3.N в цепях эмиттеров, конденсаторы 4.1-4.N, диоды 5.1-5.N, выходную шину 6, входную шину 7, общую шину 8, генератор 9 управляющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора 9, источник 11 питания и нагрузку 12. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия транзисторного ключа, выполненного по предложенной схеме путем уменьшения времени переключения транзисторов. 2 ил. (Л г J-/ 1-1 V J-AT -о Фи9. 1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 H 03 K 17 60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4006095/24-.21 (22) 06.01.86 (46) 30.06.87., Бюл. У 24 (72) А. И. Мошкунов и В. А. Шутов (53) 621.382(088,8) (56) Глазенко Т. А. Импульсные полупроводниковые усилители в электроприводах. — М.-Л.: Энергия, 1965, с. 34, рис. 20.

Коссов О. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. — М.-Л.: Энергия, 1964, с. 98, рис ° 4-2.

„SU 1320888 А 1 (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использова-. но при построении наносекундных генераторов импульсов. Устройство содержит транзисторы 1.1-1Л с резистора ми 2.1-2.N в цепях коллекторов и 3.13.N в цепях эмиттеров, конденсаторы

4.1-4 N, диоды 5.1-5.N, выходную шину 6, входную шину 7,, общую шину 8, генератор 9 управляющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора 9, источник 11 питания и нагрузку

12. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия транзисторного ключа, выполненного по предложенной с схеме путем уменьшения времени нереЖ ключения транзисторов. 2 ил.

1 13

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении наносекундных генераторов импульсов.

Цель изобретения — повышение быстродействия за счет уменьшения времени переключения транзисторов.

На фиг. 1 представлена схема транзисторного ключа; на фиг. 2 — диа- ., граммы токов, протекающих через один из транзисторов транзисторного ключа.

Транзисторный ключ содержит И транзисторов 1-1...1-И, И коллекториых резисторов 2-1...2-И, N эмиттерных резисторов 3-1...3-N, И конденсаторов 4-1...4-И и И диодов 5-1...5-И, причем коллектор каждого транзистора

1-1...1-N через соответствующий коллекторный резистор 2-1...2-N подключен к выходной шине 6, а эмиттер каждого транзистора 1-1...1-И соединен с первым выводом соответствующего эмиттерного резистора 3-1.. .З-N, каждый конденсатор 4-1...4-И включен параллельно. соответствующему эмиттерному резистору 3- 1...3-N второй вывод первого эмиттерного резистора 3l соединен с входной шиной 7 и через первый диод 5-1 с общей шиной 8, которая подключена к базе последнего

1-N, база каждого предыдущего транзистора 1-1...1-(И-l) соединена с вторым выводом соответствующего эмиттерного резистора 3-2...3-N и через соответствующий диод 5-2...5-N подключена к общей шине 8.

На фиг. 1 также изображены генератор 9 управляющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора

9 управляющих импульсов, источник 11 питания и .нагрузка 12.

Транзисторный ключ работает следующим образом.

В момент времени t (фиг. 2) импульс генератора. 9, имеющий отпирающую полярность, вызывает в течение времени С (фиг. 2) протекание управляющего тока между управляющей шиной 7 и общей шиной 8 по цепи последовательно соединенных конденсаторов 4-1...4-N и база-эмиттерных переходов транзисторов 1-1...1-N.

При этом диоды 5-.1...5-N закрыты, ток в коллекторах транзисторов 1-1... ...1-N отсутствует, а конденсаторы заряжаются до напряжения U» . Максимальная длительность С„ (фиг. 2) импульса I„ генератора 9 ограничи20888 2 вается временем диффузии 7 неосновй ных носителей к коллекторцому переходу транзисторов 1-1...1-N. В базах транзисторов 1-1...1-N к моменту времени t, накапливается заряд неосновных носителей Q, I t В момент С, начинает протекать ток через коллекторные переходы транзисторов 1-1 ° ..1-N, а в нагрузке 12 форf0 мируется выходной импульс ° При этом коллекторные токи транзисторов

1-1...1-N замыкаются на общую шину

8 через базовые выводы и соответствующие открытые диоды 5-2...5-N.

1 Эмиттерные переходы транзисторов

l-1...1-И заперты напряжением заряженных конденсаторов 4-1...4-И Uý ъаа

В период времени от tääî t (фиг.. 2) коллекторные переходы транзисторов

20 1-1...1-N открыты. По мере рассасывания избыточного заряда неосновных носителей коллекторные переходы в момент времени С з смещаются в обратном направлении и к моменту С„ транзисторы 1-1...1-N запираются. Конденсаторы 4-1...4-N разряжаются через резисторы 3-1...3-И, и транзисторный ключ возвращается в исходное состояние.

Быстродействие данного транзисторного ключа вьппе, чем у известных транзисторных ключей, за счет уменьшения переключения транзисторов.

Формула из обретения

Транзисторный ключ, содержащий

N транзисторов, И коллекторных резисторов, N эмиттерных резисторов, входную и общую шины, коллектор каж4О дого транзистора через соответствующий коллекторный резистор подключен к выходной шине, а эмиттер каждого транзистора соединен с первым выводом соответствующего эмиттерного ре45 зистора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введены N конденсаторов и

N диодов, причем каждый конденсатор включен параллельно соответствующему эмиттерному резистору второй вывод первого эмиттерного резистора соединен с входной шиной и через первый диод с общей шиной, которая подключена к базе последнего транзистора, ба55 за каждого предыдущего тРанзистоРа соединена с вторым выводом соответствующего эмиттерного резистора и через соответствующий диод подключена к общей шине.

1320888

Составитель Д. Иванов

Редактор М. Дылын Техред В.Кадар Корректор Л. Пилипенко

Заказ 2667/56

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 сэ

Тираж 901 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5