Способ вневакуумной электронно-лучевой обработки

 

Изобретение относится к электронно-лучевой обработке, в частности к наплавке электронным пучком в атмосфере воздуха или инертного газа износостойких порошковых покрытий.. Оно может быть использовано в черной металлургии для упрочнения и защиты поверхностей металлических изделий. Целью изобретения-является повьшение производит ельности и качества процесса обработки путем увеличения ширины и равномерности оплавления. Для этого воздействуют на пучок электронов, выведенных в область /повышенного давления , периодически изменякнцимся во времени полем напряженностью 11000- 140000 А/м. Магнитное поле, наложенное на пучок в газе или воздухе, заставляет электроны пучка отклоняться от прямолинейного движения. Чем больше напряженность магнитного п оля,тем больше угол отклонения электронного пучка..При сканировании пучка увеличивается йирина области обработки поверхности изделий до амплитуды сканирования и соответственно возрастает ширина оплавления. Плотность мощности электронного пучка выбирают в пределах от 10® до 10 Вт/м для (/ С снижения рассеяния электронов в зовой среде. 7 ил,, 4 табл. га

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 1) 4 В 23 К 15/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3967059/31-27 (22) 13.09.85 (46) 07.08.87. Бюл. № 29 (71) Научно-производственное объединение "Тулачермет" (72) Л.П.Фоминский (53) 621.791.72 (088.8) (56) Горбунов В.А. и др. Особенности нагрева металлической пластины нераз. вернутым пучком электронов с энергией 800-1500 кэВ мощностью до 70 кВт..

Сварочное производство. 1979, № 1, с. 10-12.

Фоминский А.П. и др. Особенности оплавления поверхностей и покрытий пучком электронов. — Сварочное производство, 1984, ¹- 4, с.25-27. (54) СПОСОБ ВНЕВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ (57) Изобретение относится к электронно-лучевой обработке, в частности к наплавке электронным пучком в атмосфере воздуха или инертного rasa износостойких порошковых покрытий.

Оно может быть использовано в черной металлургии для упрочнения и защиты поверхностей металлических изделий.

Целью изобретения является повышение производительности и качества процесса обработки путем увеличения ширины и равномерности оплавления. Для этого воздействуют на пучок электронов, выведенных в область, повышенного дав. ления, периодически изменяющимся во времени полем напряженностью 11000140000 А/м. Магнитное поле, наложенное на пучок в газе или воздухе, заставляет электроны пучка отклоняться от прямолинейного движения. Чем боль. ше напряженность магнитного поля,тем больше угол отклонения электронного пучка..При сканировании пучка увеличивается Ширина области обработки поверхности изделий до амплитуды сканирования и соответственно возрастает ширина оплавления. Плотность мощности электронного пучка выбирают в пределах от 10 до 10 Вт/м для снижения рассеяния электронов в газовой среде. 7 ил., 4 табл.

1328114

Изобретение относится к электрон- но"лучевой обработке, в частности к наплавке электронным пучком в атмосфере воздуха или инертного газа из

5 носостойких порошковых покрытий, и может быть использовано в черной металлургии для упрочнения и защиты поверхностей металлических изделий.

Цель изобретения — повышение про- .10 изводительности и качества процесса обработки путем увеличения ширины и равномерности оплавления.

На фиг. 1 показана осциллограмма изменения во 15 магнитного поля; на фиг. 2 — валики оплавленной поверхности обрабатываемой детали, выполненные с шагом t на фиг ° 3 — разрез А-А на фиг. 2; на фиг. 4 — валики оплавленной поверх- 20 ности детали, выполненные с перекрытием; на фиг. 5 — разрез Б-Б на фиг. 4; на фиг. 6 — принципиальная схема установки для вневакуумной электронной обработки; на фиг. 7— электромагнит, отклоняющий электронный пучок от оси электронно-лучевой пушки.

Способ состоит в воздействии на пучок электронов, выведенных в об- 30 ласть повышенного давления, периодически изменяющегося во времени поля напряженностью 11000-140000 А/м.

Магнитное поле, наложенное на пучок в газе или воздухе, заставляет электроны пучка отклоняться от прямолинейного движения. Чем больше напряженность магнитного поля, тем больше угол отклонения электронного пучка. При периодическом изменении 40 магнитного поля во времени угол отклонения пучка изменяется также периодически, в результате пучок сканирует с частотой изменения магнитного поля, При этом направление ска- 45 нирования пучка перпендикулярно си-. ловым линиям магнитного поля, следовательно, перпендикулярно направлению перемещения изделия. При сканировании пучка увеличивается ширина области обработки поверхности изделия до амплитуды сканирования и соответственно возрастает ширина оплавления поверхности изделия, перемещаемого под пучком. Это приводит к улучшению качества покрытия за счет повышения однородности толщины оплавленного или .наплавленного слоя и уменьшения неровностей его поверхности.

Поскольку электроны пучка. сильно рассеиваются в газовой среде, то плотность мощности пучка релятивистских электронов выбирают в пределах от 10 до 10 Вт/м, при которых становится возможным осуществлять сканировайие пучка без значительной расфокусировки (рассеяния) его

Верхний предел предлагаемого интервала амплитуды напряженности магнитного поля определяется тем, что при напряженности более 140000 А/м пучок электронов данной энергии отклоняется магнитным полем на слишком большой угол при заданном расстоянии от выпускного устройства до облучаемого изделия. Это ведет к тому, что при больших углах отклонения пучок падает на поверхность изделия наклонно и фокусное пятно (зона нагрева) сильно размазывается у краев полосы облучения, что ведет к меньшему нагреву этих мест по сравнению с серединой плоскости изделия. Кроме того, при напряженности поля более

140000 А/м происходит сильная расфокусировка электронного пучка в газе из-за того, что при повороте в столь сильном магнитном поле радиус поворота оказывается мал и длины пробега электронов в пучке, имеющем конечный диаметр, оказываются существенно разными у внешнего и внутреннего (по отношению к радиусу поворота) краев пучка. Это тоже ведет к неоднородности распределения мощности пучка при сканировании по поверхности изделия, а в результате — к неравномерности наплавки.

Нижний предел предлагаемого интер. вала амплитуды напряженности магнитного поля определяется тем, что при напряженности менее 11000 А/м пучок электронов данной энергии (0,4

1,5 МэВ) отклоняется магнитным полем на слишком малый угол, не обеспечивающий достаточную амплитуду сканирования пучка по поверхности изделия, большую двух диаметров пучка. Амплитуда сканирования пучка по поверхности иэделия зависит как от угла сканирования, так и от расстояния от выпускного отверстия до облучаемой поверхности изделия. Но с увеличением этого расстояния увеличивается диаметр пучка из-за рассеяния его в газовой среде и соответственно уменьшается плотность мощности в

1328114

25

35

55 пучке, которую нерационально уменьшать ниже 10 Вт/м . Поэтому рассто9 якие от выпускного отверстия до облучаемой поверхности ограничено этим условием. При таких ограничениях и с учетом того, что амплитуда сканирования не должна быть меньше двух диаметров пучка (иначе теряется смысл сканирования и выявляется неоднородность наплавки по ширине полосы), экспериментальна найдено,что амплитуда, напряженности магнитного поля не должна быть меньше 11000 А/м.

Наиболее целесообразно изменять напряженность магнитного поля по,ли. нейному закону с нулевой длительностью заднего фронта. При этом осциллограмма магнитного поля имеет пилообразную форму (фиг.1), а пучок "рисует на поверхности изделия ряд параллельных друг другу прямолинейных отрезков дорожки оплавления, расположенных под углом к направлению движения изделия (фиг.2). Ширина дорожки оплавления равна диаметру пучка или несколько меньше него из-за того, что плотность мощности у краев пучка меньше, чем в его центре. Шаг расположения отрезков дорожки оплавления t определяется скоростью Ч пе.ремещения изделия с частотой f сканирования пучка. Если шаг t больше диаметра пучка а, то на поверхности изделия валики расплавленного металла не сливаются. При этом отсутствует сплошность полосы покрытия. Такое покрытие может быть рекомендовано с целью повышения износастойкости поверхности изделия. Она обеспечивает экономию наплавочнога порошка и энергии по сравнению со сплошными покрытиями.

Для обеспечения сплошности покрытия необходимо брать шаг t меньше диаметра пучка ct . При этом отдельные отрезки дорожек оплавления перекрываются своими краями и сливаются в сплошную полосу оплавления, ширина которой b равна амплитуде сканирования пучка по поверхности изделия (фиг.4 и 5). С уменьшением шага t увеличивается степень перекрытия соседних дорожек плавления и уменьшается неоднородность толщины оплавленного слоя и неровность его поверхности. Однако при этом возрастают энергозатраты на оплавление и уменьшается производительность процесса из-за того, что в зонах перекрытия дорожек материал покрытия приходится переплавлять пучком дважды. . Повышение однородности толщины оплавления или наплавленного слоя и устранение неровностей (гребенчатости) ега поверхности достигается, когда частоту сканирования пучка берут в пределах от 1 до 2 величин и = 2Ч/а, где f — частота (Гц), а — дйаметр пучка, V — скорость перемещения поверхности изделия (м/с), которую ре.комендуется брать в пределах от 1 до

4 величин расчетной скорости обработки, опрделяемой полуэмпирической формулой Ч = Р/43 ° 10 Ь, где P - мощность пучка (кВт), Ь вЂ” ширина полосы оплавления (м), равная амплитуде сканирования пучка па поверхности изделия. Коэффициент 43 10 имеет размерность кВт с/м .

За нижней границей предлагаемого интервала частоты f поверхность наплавленного покрытия перестает быть гладкой и на ней проявляются гребенчатые неровности, А при достижении верхней границы предлагаемого интер-. вала частоты толщина оплавленного слоя становится одинаковой во всех точках оплавленной поверхности и дальнейшее повышение частоты уже не ведет к улучшению однородности толщины, но ведет к повышению энергозатрат и снижению производительности.

Установка для осуществления предлагаемога способа обработки (фиг.б) состоит из ускорителя 1 электронов и устройства 2 вывода пучка электронов из вакуумной системы ускорителя в воздух или газ. Это устройство имеет многоступенчатую систему откачки воздуха или газа из канала, соединяющего вакуумную систему ускорителя с атмосферой. Многоступенчатая система,откачки снабжена вакуумными насосами

3, каждый из которых подсоединен к одной из ступеней системы откачки.

Все ступени системы откачки отделены друг от друга медными диафрагмами

4 с отверстием в них для прохождения остросфокусированного пучка электронов. Последняя диафрагма 5 отделяет последнюю ступень откачки от атмосферного воздуха. В диафрагме 5 также имеется отверстие диаметром 1

1,5 мм для выпуска пучка в атмосферу. Под устройством 2 для вывода пучка в воздух установлено устройство

1328114

6, выполненное в виде тележки для перемещения изделия 7 относительно пучка с регулируемой скоростью, Расстояние от выпускного отверстия в диафрагме 5 до поверхности изделия

7 составляет 40-150 мм (регулируемое). Под диафрагмой 5 (между ней и поверхностью изделия 7) размещен электромагнит 8, обмотка которого подключена к источнику 9 тока, гене- 10 рирующему электрический -ток, периодически изменяющийся во времени по пилообразному закону с нулевой длительностью заднего фронта, частота которого может регулироваться. Между диафрагмой 5 и электромагнитом 8 размещен ферромагнитный экран 10, в котором имеется отверстие для прохождения пучка, выполненное соосно с отверстием в диафрагме 5. Электромагнит 8 установлен так, что зазор между его полюсами расположен соосно с отверстиями в диафрагме 5 и экране

10, а вертикальные плоскости полюсов расположены перпендикулярно направлению перемещения иэделия 7 поперек пучка. Один из возможных вариантов выполнения электромагнита 8 показан на фиг. 7.

Электромагнит состоит из двух Шобразных ферромагнитных магнитопроводов и двух катушек, намотанных на боковые ветви магнитопроводов. Катушки подключены к источнику 9 тока.

Пучок электронов проходит между по- 35 люсами электромагнита, в зазоре между центральными ветвями магнитопровода.

Установка работает следующим об40 разом.

Пучок электронов, генерируемый ускорителем 1, выходит из вакуумной системы ускорителя в устройство 2 для вывода пучка электронов и движется вдоль ее оси, показанной на фиг. 4 штрихпунктирной линией.

Проходя через отверстия в диафрагмах

4, разделяющих ступени откачки, пучок попадает в области все большего давления газа (все худшего вакуума), а после прохождения через отверстие в медной диафрагме 5 попадает в атмосферный воздух или защитный газ.

Воздух или газ непрерывно натекает в ступени откачки устройства 2 через эти отверстия в диафрагмах. Затем он откачивается непрерывно действующими насосами 3. Попадая в атмосферный воздух или газ, из-за рассеивания пучок электронов начинает постепенно увеличиваться в диаметре. Но поскольку длина полного пробега релятивистских электронов в воздухе составляет

1 м и более, то на расстоянии до

100-150 мм от выпускного отверстия в диафрагме 5 пучок остается еще достаточно концентрированным для осуществления оплавления порошковых покрытий. Проходя через зазор между полюсами электромагнита 8, пучок электронов подвергается воздействию магнитного поля и отклоняется им в направлении, перпендикулярном направлению силовых линий магнитного поля и направлению движения электронов пучка. При этом угол отклонения оси пучка от первоначального направления тем больше, чем больше напряженность магнитного поля. И при изменении напряженности магнитного поля по периодическому закону угол отклонения пучка также изменяется по периодическому закону. В результате пучок сканирует в направлении, перпендикулярном направлению движения тележки

6 с частотой f равной частоте изменения тока, питающего электромагнит 8.

При работе электромагнита 8 создаваемое им поле рассеяния может достигать диафрагмы 5, если отсутствует магнитный экран 10. В этом случае пуI чок подвергается воздействию магнитного поля уже в пределах отверстия в медной диафрагме 5 и начинает сканировать, еще не выйдя из этого отверстия. При этом сканирующий пучок электронов сплавляет края отверстия и увеличивает его размеры в направлении сканирования, превращая круглое отверстие в эллипсное. Через увеличивающееся отверстие в диафрагме 5 усиливается натекание воздуха или газа в вакуумную систему установки, что вызывает необходимость устанавливать более мощные насосы 3 для откачки воздуха. Для избежания этого устанавливают между электромагнитом 8 и диафрагмой 5 тонкий ферромагнитный экран 10, препятствующий попаданию магнитного поля на диафрагму 5. В качестве ферромагнитного экрана 10 можно использовать стальную пластину с отверстием в ней для прохождения пучка. Экран 10 особенно необходим при работе с пучком электронов сравнительно низких (до 1 МэВ) энергий, 1328114 которые сильно отклоняются даже в слабых магнитных полях, Пример 1. На установке (фиг.6) осуществляют упрочнение поверхности пластин толщиной 10 мм из металлов, указанных в табл. 1, путем оплавления их в атмосферном воздухе пучком электронов, генерируемым ускорителем

ЭлВ-3 ° Ускоритель позволяет регулировать энергию электронов в пределах

0,4-0,7 МэВ. Пластину каждого металла укладывают на тележку, перемещаемую под ускорителем поперек пучка со скоростью V. Расстояние от выпускного отверстия в диафрагме до поверхности обрабатываемой пластины устанавливают равной 1. На пучок электронов в воздухе между диафрагмой и поверхностью пластины накладывают магнитное поле, периодически изменяющееся во времени по линейному закону с частотой f. Для этого на электромагнит, размещенный между диафрагмой и поверхностью изделия, подают пилообразный ток, Изменением амплитуды тока устанавливают в зазоре между полюсами электромагнита заданную амплитуду напряженности магнитного поля

Н. Сечение полюсных наконечников составляет 20 20 мм..Между электро.магнитом и диафрагмой устанавливают ферромагнитный экран из стальной пластины толщиной 1 мм. В результате обработки пластины за один проход тележки образуются валики оплавления с шириной Ь, равной амплитуде сканирования пучка.

Результаты измерения геометрических размеров наплавленных валиков приведены в табл. 1, в которой приведены также и результаты экспериментов по износостойкости, Износостойкость поверхности изделия до и после оплавления определяют на машине Шкода-Савина. После испытаний на поверхности образцов контролируют глубину лунок.

Износостойкость поверхности определяют как отношение E = z/h, где zпуть трения, h — глубина вытертой лунки, мм. При этом соблюдают условие h + 3, где 8 — толщина оплавленного слоя. Результаты испытаний приведены в табл. 1.

Пример 2. Осуществляют обработку поверхности пластин толщиной

6 мм из стали Ст 3 путем наплавки сплошного порошкового покрытия. Для

15

25

35 этого на зачищенную поверхность пластины насыпают ровным слоем порошок, характеристика и состав которого даны в табл. 2 и 3. Слой порошка разравнивают скребком до получения однородного по толщине слоя с гладкой и равной поверхностью. Пластину укладывают на тележку, .перемещаемую под ускорителем. Энергию электронов регулируют в пределах 0,8-1,5 МэВ. Облучение осуществляют в атмосферном воздухе. Расстояние от выпускного отверстия в диафрагме до поверхности пластины выбирают равным 1. На пучок в воздухе между диафрагмой и поверхностью пластины накладывают магнитное поле напряженностью Н, периодически изменяющееся во времени по линейному закону с частотой f. Между электромагнитом и диафрагмой устанавливают ферромагнитный экран из стальной пластины толщиной 1,5 мм. В результате обработки на поверхности пластины образуется наплавленный валик, имеющий ширину, равную амплитуде сканирования пучка.

Результаты экспериментов сведены в табл. 2, Пример 3. Осуществляют обработку поверхности пластин толщиной

4 мм из стали Ст.3 и из меди путем наплавки отдельных дорожек порошкового покрытия, образующего износостойкое рифление на поверхности пластины.

Все операции обработки осуществляют аналогично примеру 2, с тем отличием, что шаг сканирования выбирают больше диаметра пучка и в установке отсутствует ферромагнитный экран. Это приводит к увеличению натекания воздуха .в вакуумную систему установки через отверстие в диафрагме и к необходимости увеличения производительности и мощности насосов в 1,5 раза по срав. нению с производительностью примера 2, Пример 4. Осуществляют обработку поверхности пластин из дюралюминия марки Д16Т толщиной 20 мм путем наплавки-на них отдельных дорожек порошкового покрытия, образующего износостойкое рифление на поверхности пластины. Все операции осуществляют аналогично примеру 3, с тем отличием, что в установке между диафрагмой и электромагнитом размещают ферромаг-. нитный экран из стали толщиной 1 мм, а зону обработки на пластине непрерывно обдувают струей защитного га9 13281 за — аргоном, с расходом 3 мз /ч. В результате обработки на поверхности изделия образуются валики, показанные на фиг. 2.

В табл. 4 приведены результаты обработки пластин согласно примерам

3 и 4.

Из табл. 1 и 2 видно, что при выходе за граничные значения амплитуды -1p напряженности магнитного поля Н резко растет неоднородность толщины слоя оплавления или наплавки. Здесь под неоднородностью толщины слоя понимается отношение ширины краевых участ- 15 ков полосы оплавления, имеющих уменьшенную по сравнению со средним участком толщину, к ширине всей полосы оплавления, выраженное в X.- При выходе за верхнее граничное значение 20 скорости тележки () 4Ч ) резко растет неоднородность толщины оплавленного слоя. При выходе за нижнее граничное значение скорости тележки (« 1V ) не происходит дальнейшего улучшения ка- 25 чества поверхности, но черезмерно возрастает величина проплавления в металле подложки и растут удельные энергозатраты обработки. При выходе за нижнее граничное значение интерва- 3р ла частоты сканирования (« 1f. ) по- .

P являются неровности поверхности наплавленного слоя и увеличивается неоднородность его толщины, а при выходе за верхнее граничное значение предлагаемого интервала частоты сканирования (>2f ) наблюдается плохое сплавление наплавляемого порошка с подложкой.

При использовании предлагаемого gp ,способа по сравнению с известным повышается производительность наплавления или оплавления поверхностей изделий за счет того, что увеличивается ширина полосы оплавления, по)О

14 лучаемой за один проход изделия под ускорителем, и отпадает необходимость в многократных возвратно-.поступательных перемещениях изделия под ускорителем, из которых одно перемещение является рабочим, а второе (в обратном направлении) холостым, Технологические возможности спосо ба расширяются за счет появления возможности получать полосу наплавки заданной ширины, имеющую гладкую поверхность или, наоборот, имеющую рифленую поверхность с заданным (регулируемым) шагом рифления.

Кроме того, при использованиипредлагаемого способа повышается однородность толщины оплавленного или наплавленного слоя и уменьшаются неровности его поверхности за счет повышения ширины полосы оплавления и исключения образования выпуклых менисков на ее поверхности.

Формула изобретения

Способ вневакуумной электроннолучевой обработки поверхностей изделий пучком электронов с энергией 0,4а

1,5МэВ,отличающийсятем, что, с целью повышения производительности и качества процесса обработки путем увеличения ширины и равномерности оплавления, на пучок электронов воздействуют магнитным полем с напряженностью, периодически изменяющейся во времени по пилообразному закону с нулевой длительностью заднего фронта, а силовые линии магнитного поля направляют перпендикулярно оси пучка и вдоль направления перемещения обрабатываемой поверхности, причем амплитуду напряженности магнитного поля выбирают от 11000 до

140000 А/м.

1328114

a à6ëèöà 1

Нокаэатели пластия, наготовленных иэ

Фиэико-механические свойства пластин тали 45 пределами едлагаемого тнрвала в предлагае>е>х интервалах

0,7 0,5 0,4

0,7

0>7 0,7 О 40

0 4 0 5 0,7

28 20 40

Энергия электронов,К, Мэб . Нощность пучка, Р> кВт

30 28

Амплитуда напрякенности магнитного поля Н, кА/м

11 IS 38 6

50 50

50 60

9 4

60 60

4 4

Диаметр пучка а, мм

Вй>рина полосы оплавления, b мм

25

20 11!

2 11 25

5 4 4 2 3 7

21 16 8 12

70 67 60

375 35 5>9

3,7

Расчетная величина Ч,см/с

Скорость телекки V> cM/с

8 2!

32 70

75

Расчетная величина f>> !и

Частота сканирования f, Гц

mal сканиронания с> мм

100 50 70

100

170 100 60

3 168 2

1,7

l,6 3

1,5

Толщина слоя оплавления S

>tH

0,2 0,25 0,35

0,3- 0,4

0,4 0 35 0,2

0,15

Неоднородность толщины слоя оплавления вдоль полосы оплавления а8

0,1 0,05 О,!5 0,02 О, IS 0,12 0,05 0>1 0>12

Неровность поверкности

&Ч> мм

0>0 0,0 . 0,0 0>0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0

Неоднородность толщины слоя оплавления по нирине полосы оплавления, Х

45 40 16 16 16 16 25 55 50

Яэносостойкость поверхности Е

0>005 0>005 0>005 0>005 0>002 0>004 0>004 0 ° 005 0,004 до оллавления после оплавления

О, 009 О>001 0,01 0,0!2 0,008 0,005 0,01 0,008 0,004

Дистанция облучения, 1, мм . 50 чугуяа сталя титан стали стали

СЧ32- 1Х1ВН9Т ного 45 IХ I889T

52 сплава

ВТ3-1

38)6 38 6 38 6 3! 10 ° 38 6

25 25

3,7 3,7 !

2 8

60 40

100 50

1,2 1,6

14

1328114 л О е

МЪ ° 0 е In ф g 0Ч 00 0Ч 0Ъ о о

О

0Ъ МЪ

° е о л

ФЧ

0Ъ Ю о о о о е е е

° Я ф ф ф Я ФЧ ЧЪ О In О е О е о е о л

0Ъ Ю 0Ъ 0Ч

° g g g 0 Я 00 ICl Д In 0Ч ° О О

ЧЪ о л в Ф О Оъ О е е е е

° - Р g g 0 g 0Ч ICC О О 0Ч О О

<Ч е

МЪ

CV о е о о о о ъ

* е о о о еЪ сп е

О ФЧ

ФЧ е е 0 во е ю е

Ф D Ф о л ю

Ih е ь е о Ч е о

0Ъ 0Ъ е о

0Ъ ео о е л о е

0Ъ 0Ч мЪ

D о о е

* о

1Ч о

ЧЪ сп о 0 о л мЪ

0Ч .

In In

СЧ

-т ю о е е е

D т иъ л е е е

0Ъ

0Ч

° °

Ю е и е Я

° » о а о

Ю D

СЧ

ЧЪ е

o In In in In

In. л (Ъ о

0Ъ О е е о о (О е

МЪ е

0 О о о

0Ъ 0Ъ о о

00 О е

О 0Ъ

0Ъ о

o a

СЧ е

0Ъ е

In Ю Cl

ФЧ

0Ъ

0Ъ О

6Ъ CO е4 е ю е о

СЧ

<Ч 09 еЪ О е е

o . о

00 Ю е е о In . - о еФ

ФЮ е о

° Ч

Оч О Е

° Ф Ф

Р е

Че С0 к

У е 0 х

1(Ф

) 6

I. .

111

0 1

И Ъ0 (R I (i

1! ,3 "3 i, .I

5 а

5 1

Йу

)Ь

Й1 301

1б

1328114

Таблица 3

Hop owox с Ni Сг Mn V Al Ti В

3 1,5 й,о

1,8

8 O

2,5

t,5

1,0

0,4-1,5

2,5-3,3 3-5

2 7-31

2,8-4,2!

0,О3

O,З5

НРН70930 2,0

Осн.

Oi07

28-33

12-15

ПНР85Р15

0,07

t 0

ПН55Т45

0,2

0,07

43-47

Таблица 4

Показатели в предлагаемых интервалак

Параметры

Дроралюминий Д!6Т

Сталь Ст.3

Медь

Металл пластины

Наплавляемый поровок

Энергия электронов Е, КэВ

Монность пучка Р, кВт

Сормайт

t,2

1,2 1,2

1>2

1,2

1 ° 2

t 5

1,2

1,2

40 40 40 40

40

50

Амплитуда напрякенности магнитного поля Н, кА/м 99

99 99 99

140

118

118

99

Дистанция облучения 1, мм

Диаметр пучка а, мм

60

70 70 70 70

60

4 4

3,8

3,8

3,8

Амплитуда сканирования Ь,мм 50

50 50 50

50

50

1 ° 86 !,86 1,86 1,86

10 20 30 30

5 10 15 15

10 10 10 !$

10 20 30 20

t ° 5 1,4 t,2 1,0

1О 10 1О 08

Расчетная величина Чр,см/с

Скорость телекки Ч, см/с

5,1

1,86

1,86

2,3

3,5

20

20

Расчетная величина Йр, Гц

Частота сканирования f, Гц

Яаг сканирования t, мм

Толцииа слоя наплавкн 3, мм

16,7

10,$

10,5

20

10!

16,7

8,35 20

20 t 5

1,0,1,3

1 ° 5

1 ° 7

Высота слоя валлавкн q, мм

0,9

0,6

0,7

ВТ8-26

ПГ-УС 25

Сормайт

HP-Х1889

HKP-2

ПРН85Ю15 ПРХ1889 HKP-2 ПЖР-2 ПРН70Р30

)328114

РигЗ

Фиг. Г

1328114

Направление сианиробании

Фиг. 7

Составитель Г. Квартальнова

Редактор С.Пекарь Техред Л.Сердюкова Корректор А.Зимокосов

Заказ 3433/16 Тираж 974 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,4