Устройство для определения максимумов яркости в изображении

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (19) (11) (5D 4 G 06 К 9/00

" с ".,; 1е

„И

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

t и

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

{21) 3891048/24-24 (22) 26,04 ° 85

46) 07.09,87. Бюл. N- 33

71) Харьковский политехнический институт (72) А, С, Черепаха (53) 621,327.)2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 814126, кл, G 06 К 9/00, 1972, Авторское свидетельство СССР

У 1062734. кл. G 06 К 9/00, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМУМОВ ЯРКОСТИ В ИЗОБРАЖЕНИИ (57) Изобретение относится к некогерентным оптическим устройствам обработки информации и предназначено для использования в системах автоматизации производственных процессов.

Целью изобретения является повышение точности устройства-, Конфигурация подключения проводящих электродов 1 и 2 обуславливает эквивалентную схему в виде множества параллельно соединенных резисторов. При большой и Я кратности (10 .. 10 ) изменения сопротивления слоя -3 фотопроводника с .изменением освещенности появляющееся при освещении малого участка одно малое сопротивление шунтирует всю цепь, что характеризует наличие максимума излучения в заданном (контролируемом) поле. 3 ил.

1336059

Изобретение относится к некогерентным оптическим устройствам обработки информации и предназначено для использования в системах автоматизации производственных. процессов.

В частности, пространственный пиковый детектор предназначен для обнаружения максимумов освещенности заданного уровня в изображении объекта.

Цель изобретения †. повышение точ-. ности устройства, На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; иа фиг, 2 — зависимость сопротивления слоя фотопроводника от площади освещенной поверхности; на фиг. 3 — зависимость погрешности из-. мерения максимальной освещенности в иэображении от процента заполнения приемной поверхности максимумом освещенности, Устройство содержит проводящие . электроды 1 и 2 и слой 3 проводника.

Устройство работает. следующим образом, Конфигурация подключения проводящих электродов, представленных на фиг, 1, обусловливает эквивалентную схему в виде множества параллельных резисторов. При большой кратности

ro (10 -10 ) изменения сопротивления слоя фотопроводника с изменением освещенности, появляющееся при освещении малого участка, одно малое сопротивление шунтирует всю цепь, что характеризует наличие максимума излучения в заданном (контролируемом) поле.

При кратности сопротивлений

Rg 6

10 зависимость сопротивления

R от площади освещенной поверхности характеризует зависимость, приведенная на фиг. 2, где вертикальная ось характеризует сопротивление R, горизонтальная — отношение площади S, освещенной поверхности к полной площади S приемной поверхности,, Сопротивление такого пространственного пикового детектора изменится не более, чем на 1,51 относительно темнового сопротивления Rт при изменении плошади S светового пятна 0 5100Х относительно полной площади $ приемной поверхности.

Так как слой фотопроводника 3 вы-. полнен со сверхлинейной фотопроводимостью, To R режиме малых освещенкостей (1-20 Лк) при изменении освещенности Е в 2 раза сопротивление R слоя фотопроводника изменится в 7-8 раз. В результате этого погрешность измерения 8, вносимая равномерной по площади $ -$ приемной поверхности фоновой освещенностью Е,, составляющей 50 от измеряемой освещенности

)р Е, изменяется от нуля до 0,27. при изменении площади S- -освещенного участка, составляющей от 100. до 0,5Х полной площади Sg.

С помощью предложенного устрой15 ства возможно измерение максимальной яркости (освещенности) в.локальных участках поля, При измерении освещенности в локальных участках-, характеризующих

20 максимумы излучения объекта, погрешность измерения максимальной освещен ности в локальных участках связана с отношением площади этого участка S к полной площади S приемной поверх25 ности и обычно связана с неполным за-. полнением приемной поверхности измерителя изображением локального контролируемого участка, Зависимость погрешности d измерения максимальной

ЗО освещенности в изображении объекта от . процента заполнения приемной поверхности максимумом освещенности характеризует зависимость, приведенная на фиг, 3, Предельная пространственная разрешающая способность пространственного пикового детектора определяется

Ф расстоянием между строками и шириной строки меандра, зависит от

4р технологических возможностей, обеспечиваемых оборудованием, и достигает единиц .микрон. При максимальной полной площади приемной поверхности, Ь составляющей 5-6 см, предельная пространственная разрешающая способб ность составляет 3 10 -5 10 элементов на приемную поверхность или

1,7 х 10 -7.10 линий на сторону, 3 2

50 формула изобретения

Устройство для определения максимумов яркости в изображении, содержащее диэлектрическое основание, на

55 котором расположен слой фотопроводника оптическую плутоновую маску и проводящие электроды, о т л и ч а— ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности устройства, проводя1336059 водника, а оптическая плутоновая мас. ка расположена над проводящими электродами.

, (4

Составитель А. Глотов

Редактор С. Патрушева Техред В.Кадар Корректор В. Бутяга

Заказ 4049/47 Тираж 672. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4. шие электроды выполнены в виде двух встречно расположенных гребвнок, которые расположены на слое фотопроdo (%) 01

OiS иг.2 а

Фиг. Э . фю