Устройство коррекции диаграммы направленности апертурной антенны

 

Изобретение обеспечивает формирование ненулевого минимума поля между основным и первым боковым лепестками ДН в вертик. плоскости. Устр:во содержит апертурную антенну 2 и диэл. линзу (ДЛ) 1, установленную в ее раскрыве. ДЛ 1 имеет толщину. определяемую соотношением t(x) tg(Cos у(x/L) +1), где L - вертик, размер апертуры; t 2 Л- F /21Г-/ - мнн относительная глубина минимума; у - коэф., равный 6 - 10. Благодаря такому выполнению ДЛ 1 падающая на нее плоская электромагнитная волна, сформированная апертурной антенной 2, приобертает 1} азову1о модуляцию вдоль координаты X по закону q (x) CosJp(x/L). В результате скорректированная ДН алертурной антенны 2 в дальней зоне имеет ненулевой минимум поля между основным и первым боковым лепестками, что повышает устойчивость работы системы связи. 1 ил. с (Л Со 00 4 СО СП M;

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО).1ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 4 Н Ol Q 15/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

ЩЧ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3913357/24-09 (22) 04, 07. 85 (46) 15, 09. 87. Бюп. 1(34 (72) В.Г,Ямпольский (53) 621 ° 396.677 (088.8) (56) Кюн P. Микроволновые антенны.

11.: Судостроение, 1967, с. 227-228, (54) УСТРОЙСТВО КОРРЕКЦИИ ДИАГРАММЫ

НАПРАВЛЕННОСТИ АПЕРТУРНОЙ АНТЕННЫ (57) Изобретение обеспечивает формирование ненулевого минимума поля между основным и первым боковым лепестками ДН в вертик. плоскости. Устр-. во содержит апертурную антенну 2 и диэл. линзу (ДЛ) 1 установленную в ее раскрыве. ДЛ 1 имеет толщину, определяемую соотношением t(õ)

t, (Cos F (х/L) +1), где L — вертик. размер апертуры; to = 2 9" Г„„„ /2Ф К

1; F — относительная глубина минимума; (— коэф., равный 6

10, Благодаря такому выполнению ДЛ

1 падающая на нее плоская электромагнитная вопна, сформированная апертурной антенной 2, приобертает фазовую модуляцию вдоль координаты Х по закону (р(х) = 2F„ „ Cosg(x/?.), В результате скорректированная ДН апертурной антенны 2 в дальней зоне имеет ненулевой минимум поля между основным и первым боковым лепестками, что повышает устойчивость работы систем) связи. 1 ил .

1337954

На выходе диэлектрической линзы 1 электромагнитная волна приобретает фаэовую модуляцию вдоль координаты х по з акону

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в х

cos f—

С (х) = 2F„

Формула изобретения

Устройство коррекции диаграммы направленности апертурной антенны работает следующим образом, На диэлектрическую линзу 1 падает плоская электромагнитная волна, формируемая апертурной антенной 2, Диэлектрическая линза 1 имеет толщину определяемую из соотношения

t(x) = t,(cos$- + 1), 25 где

Е—

Г мнн

Составитель В.Хандамиров

Редактор А,Огар Техред В.Кадар Корректор А,Тяско

Заказ 4136/50 Тираж 625 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †полиграфическ предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 системах связи.

Цель изобретения — формирование

5 ненулевого минимума поля между основным и первым боковым лепестками диаграммы направленности в вертикальной пл о с ко сти, На чертеже представлена структур- 10 ная схема устройства коррекции диаграммы направленности апертурной антенны.

Устройство коррекции диаграммы направленности апертурной антенны 15 содержит ди зле ктри че скую линз у 1, установленную в раскрыве апертурной антенны 2, 2@F„, /2i E — 1; диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической линзы 1; рабочая длина волны; вертикальная координата вдоль апертуры; вертикальный размер апер гуры; ко эффициент, равный 6-10; относительная глубина миниму- 40 ма. в результате скорректированная диаграмма направленности апертурной антенны 2 в дальней зоне имеет ненулевой минимум поля между основным лепестком и первым боковым лепестком, что повышает устойчивость работы системы связи, использующих апертурные антенны со скорректированной диаграммой направленности, Устройство коррекции диаграммы на-, правленности апертурной антенны, содержащее диэлектрическую линзу, установлеНную в раскрыве апертурной антенны,отличающееся тем, что, с целью формирования ненулевого минимума поля между основным и первым боковымлепестками диаграммынаправленности в вертикальной плоскости, толщина t диэлектрической линзы выбрана из соотношения х

t (x) = t, (Cos Z| — + 1), го 2 Рмин / " 7E 1)

E — диэлектрическая проницаемость материала; рабочая длина волны х — вертикальная координата вдоль апертуры;

L — вертикальный размер апертуры; коэффициент, равный 6-10;

à — относительная глубина минимума.