Составной транзистор

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интегральных схемах . Целью изобретения является достижение максимально возможного интегрального коэффициента усиления составного транзистора. Необходимым условием правильной работы является попарное равейство резисторов 5 и 15, 12 и 13, идентичность конструкции транзисторов 1 и 14 по второму эмиттеру , а также транзисторов 8 и 9. Транзистор 6 работает в управляемом активном режиме и регулирует ток эмиттера транзистора 1 в строгом соответствии с его интегральным коэффициентом усиления, выводя его на участок характеристики В (Jj),где интегральный коэффициент усиления этого транзистора будет максимальньм. 1 ил. (Л со 00 со со ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (51) 4 Н 03 F 1/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3825790/24-21 (22) 14.12 ° 84 (46) 15.09.87; Бюл. М 34 (72) М.О. Ботвинник, Ю.Н. Еремин и М.П. Сахаров (53) 621.318(088.8) (56) Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-М.: Сов. радио, 1980, с. 290, рис. 9.1.а.

Там л(е, рис. 9. 1.б. (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интегральных схемах. Целью изобретения является достижение максимально возможного интегрального коэффициента усиления составного транзистора. Необходимым условием правильной работы является попарное равейство резисторов 5 и 15, 12 и 13, идентичность конструкции транзисторов 1 и 14 по второму эмиттеру, а также транзисторов 8 и 9.

Транзистор 6 работает в управляемом активном режиме и регулирует ток

r эмиттера транзистора 1 в строгом соответствии с его интегральным коэффициентом усиления, выводя его на участок характеристики В (71), где интегральный коэффициент усиления этого транзистора будет максимальным. 1 ил.

7995

Максимально возможный интегральный коэффициент усиления транзистора

1 и составного транзистора в целом можно реализовать путем выбора систе

5 мой регулирования величины тока управляемого генератора, при котором уменьшение падения напряжения на резисторе 5 (т.е. рост коэффициента

ip усиления) транзистора 1 вызывает пропорциональный прирост тока управляемого генератора до тех пор, пока это уменьшение не прекратится (выход на плоский участок зависимости В/1).

15 Система регулирования состоит иэ двух каналов: опорного канала, образованного транзисторами 9, 10 и 14 и резисторами 11, 13 и 15; выходного канала, состоящего из транзисторов

2р 8 и 1 (по второму эмиттеру) и резисторов 12 и 5.

Необходимыми условиями правильной работы системы является попарное равенство резисторов 5 и 15, 12 и 13, 25 идентичность конструкции транзисторов

1 (по второму эмиттеру) и 14, а также 8 и 9.

Так как базы и эмиттеры транзисторов 8 и 9 объединены и оба транзисто30 ра работают в активном режиме, то через резисторы 12 и 13 обоих каналов протекают одинаковые токи,, равные

Иип — И Яю — ЗИэ

35 где И„„ ло

И эт

Ток, протекающий по входному резистору 5, является базовым током транзистора 1, эмиттерный ток которого состоит из трех составляющих: базовый ток транзистора 2; ток управляемого генератора тока, образованного транзистором 6 и резистором 7, на базу которого подается управляемое опорное напряжение; ток второго эмиттера транзистора 1, протекающий по выходному каналу управляемого источника опорного напряжения, состоящего иэ резистора 12 и транзистора 8.

Следовательно, падение напряжения на резисторе 5 зависит от этих трех составляющих эмиттерного тока транзистора 1.

s3

Кроме того, напряжение на коллекторе транзистора 9 постоянно и равно

2 И„ . Резистор 11 обеспечивает постоянство тока через транзистор 10.

Напряжение на коллекторе транзистора 8, являющееся управляемым опорным напряжением, равно где И вЂ” падение напряжения на резисЯБ торе 5 эа счет протекания баэового тока транзистора 1;

1 133

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в

1 аналоговых интегральных схемах.

Цель изобретения — достижение максимально возможного интегрального коэффициента усиления составного транзистора. На чертеже представлена принципиальная схема составного транзистора.

Устройство, которое содержит двухэмиттерный транзистор 1, один иэ эмиттеров которого соединен с базой транзистора 2, а база соединена с входной шиной 3. Эмиттер транзистора

2 подключен к выходной шине 4. Кол— лекторы транзисторов 1 и 2 подключены к шине питания. Вход 3 подключен через резистор 5 к шине питания. База транзистора 2 соединена с коллектором транзистора 6, эмиттер которого через резистор 7 соединен в общей шиной, а база — с коллектором транзистора 8, эмиттер которого в свою очередь соединен с эмиттерсм транзистора 9 и с общей шиной. Базы транзисторов 8 и 9 соединены и подключены к эмиттеру транзистора 10, который через резистор 11 соединен с общей шиной. Коллектор транзистора 8 через резистор

12 соединен с вторым эмиттером транзистора 1.

Коллектор транзистора 9 соединен с базой транзистора 10 и через резистор 13 — с эмиттером транзистора 14, база которого через резистор 15 соеди иена с шиной питания, к которой подключены также коллекторы транзисторов 10 и 14.

Составной транзистор работает следующим образом. напряжение источника питания» падение напряжения на резисторе 15 от протекания базового тока при токе эмиттера, равном 1; падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора при прямом смещении; сопротивление резистора 13.

IR

Кв Ип а5 Эбт1 т1

3 1337995

И вЂ” падение напряжения на пере- к э6 » ходе база-эмиттер транзис- в тора 1; и

IR — падение напряжения на ре- р

12 эисторе. 5

Так как составляющая тока по второ- н му эмиттеру транзистора 1 и ток эмит- ч тера транзистора 14 равны и равны ре- в зисторы 15 и 5, то напряжение на кол- т лекторе транзистора 8 близко к уров- 10 в ню 1 Иэт и меньше его на величину па- и дения напряжения на резисторе 5 от в составляющих токов эмиттеров этого ш транзистора, протекающих в базу тран- з эистора 2 и управляющих генератором 15 р тока на транзисторе 6 и резисторе 7. с

Следовательно транзистор 6 работа- з ет в управляемом активном режиме и п регулирует ток эмиттера транзистора е

1 в строгом соответствии с его инте- 20 б гральным коэффициентом усиления, вы- е водя его на участок характеристики т

В (Т ), где интегральный коэффициент э усиления этого транзистора максималь- р ный. 25 ш

Формула изобретения соединен с эмиттером седьмого транзистора, база которого через шестой резистор соединена с шиной питания, коллекторы шестого и седьмого транзисторов соединены с шиной питания.

Составитель Ю. Романовский

Техред И.Попович КоРРектоР Г. Решетник

Редактор М. Дылын

Заказ 4141/52 Тираж 901

BHHHTIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раусшкая наб., д. 4/5

Подписное

Произволе гвенно †полиграфическ предприятие, г. Ужгород, ул. Про ктная, 4

Составной транзистор, содержащий 30 первый и второй п-р-п-транзисторы, коллекторы которых подключены к шине питания, база первого транзистора под4 лючена к входной шине, и через перый резистор к шине питания, его ервый эмиттер соединен с базой втоого транзистора, эмиттер второго ранзистора соединен с выходной шиой, отличающийся тем, то, с целью достижения максимально оэможного интегрального коэффициена усиления составного транзистора, него введены третий, четвертый, ятый, шестой и седьмой транзисторы, торой, третий, четвертый, пятый и естой резисторы, причем первый транистоб выполнен двухэмиттерным, втоой эмиттер через второй резистор оединен с коллектором третьего транистора и базой четвертого, эмиттер оследнего через третий резистор содинен с общей шиной, а коллектор — с азой второго транзистора, база третьго транзистора соединена с базой пяого транзистора и эмиттером шестого, миттеры третьего и пятого транзистоов соединены с общей шиной, эмиттер естого транзистора через четвертый резистор соединен с общей шиной, коллектор пятого транзистора соединен с базой шестого и через пятый резистор