Формирователь импульсов записи
И.- обретемие относится к области электронной и вычислите.тьной техники и предиа: ,иачено д;|я иснользования в электрически програм 1ируем1 1х заг омир1аю1цих устройствах , использующих инжекцию горячи.х носителей для заниси информации в ячейки памяти накопителя. Цель изобретения - повышение эффективности программирования за счет стабилизации амплитуды импульса записи. Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов записи введены токозадающий и опорный транзисторы, включенные последовательно, причем сток и затвор токозадаюшего транзистора соединены с шиной записи, затвор и сток опорного транзистора соединены с управляющим и плавающим затворами запоминающего транзистора, исток опорного транзистора соединен с шиной нулевого потенциала. 1 ил. 00 со со О5 ел гчэ
C0)03 СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5Б4 G 11 С5 02
ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 129711-1 (21) 4О64307, 24-24 (22) 28.03.86 (46) 23.09 87. Бюл. М 35 (72) В. Г!. Сидоренко, Н. Б. Груданов
l1 А. A. Хору>кий (53) 681.327,66 (088.8) (56) Авторское спи lcòc I bcTBo СССР ,х,< !297114, кл. 6 11 С 5,/02, 1985. (54) ФО! МР! POBATL ., (h ИМПУЛЬСОВ
ЗА!1ИСИ (57) Изобретение относи гся к области элекTроиной и вычислительной техники и предназначено.гля использования в электрически программирхемы; запоминаюьциx устройст„„BU„„1339651 A 2 вах, использующих инжекцию горячих носителей для записи информации в ячейки памяти накопителя. Цель изобретения — повышение эффективности программирования за счет стабилизации амплитуды импульса записи. Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов записи введены токозадающий и опорный транзисторы, включенные последовательно, причем сток и затвор токозадающего транзистора соединены с шиной записи, затвор и сток опорного транзистора соединены с управляющим и плавающим затворами запоминающего транзистора, исток опорного транзистора соединен с шиной нулевого потенциала. 1 ил.
133965!
Форму.)a 77зобр(. Т(нин
Изобретение Относи) !H )E э,)CJ(Tf)OH HO)t ) ( нике, предназначено для использования в электрически программируемых ЗУ, ис)юльзI> )ощих 1! Ilжекциlo горячих носliTc.!сй для записи информации в ячейки памяти накопителя, и является усовершенствованием изобретен)ия llo 2BT. св. О 1297114.
Це>1! )о изобретения являстся lioBI IIIIE íèñ эффективнос )I программирования за счсT стабилизаци: амплитуды импульса записи.
На чертеже представлен формирователь импульсов записи.
Формирователь импульсов записи содержит транзистор 1 записи, сток которого подкл)очен к шине 2 записи, исток соединен с общей числовой )пипой 3, а затвор соединен с затвором и истоком транзистора 4 тока смс)цения, последовательно с которым вклю)сн клк>чс)30й транзистор 5, меж,!у п)иной 2 записи и ill))HOH 6 пул(вого I)oTcilциала, нагрузо Ill)>IH транзистор 7, транзисгор 8 выоорки и второй кл)очевой трын3истор 9, включенные последовательно мсiKду шиной 1О питания и шиной 6 нулевого
Tp )юдложкой 22110 1HII2)o)1IE трынзи(тора 12, а эмиттер подклк>чается к )нине 4 отрицателы)oго напряжения смещения или к )пине 6 нулсвогo потенциала, управля)ощие в.(оды 15 и 6, а также токозада)ощий транзистор 17 и опорный транзистор 18, включснпыс последовательно, сток и затвор токозадающсго транзистора 17 подключены к ши)и 2 записи, затвор и сток опорного транзистора 18 П ОД К 1 К) >)P I I I>I К ) П Р 2 132 Я IO 11 С чl М 3 Я т В О P ч З Я П 0— минающего транзистора 12, плавающий затвор которого соединеH с управляющим затвором, исток опорного транзистора 18 I)0;i,— ключен к шине 6 нулевого потенция )il. Формирователь работает следующим образом. При ПОДы>)с Bf>ICOIEOBO.B) I>THOÃO пап рЯЖ(ния (С)рр) на шину 2 записи чсрез токозада)ощий транзистор 17 пр() гекаст ток, обеспечива)оп!ий падение напряжения на опорном тря)гзисторс 8. которое эквивале)гп)о величине напряжения на плава:ощсм затворе запоминак. щего транзистора в запис2)1ном состоянии, г. е. при условии пали)ия на плавающем затворе отрицательного заряда эл(ктронов. Напряжение с опорного транзистора 18 подастся )12 3 правляк>щий затвор запоминающего тпанзисторя 12, пл»вающий затвор которого сос (H)fc» с управЛЯ)ОП(ИХ), И, Т2КИМ ООРЯЗОМ, В СТРУКТ» PE :32поминаю)цего транзистора 12 создаются уса о в и я, идентичные усл ови я м, и мек) п(и м мсc То в реальном запоминаю)цсм трянзисTopE., находящемся в записанном состоянии, которос характеризуется минимальной величиной и»2 пряжения лавинного пробоя (Г..;; ) . Если ны управляющие входы 15 и !6 подаются напряжения высокого уровня, примерно, равныс величине ныпря)кения питания на !Пине l0, транзистор 8 выборки и второй клк>чевой транзистор 9 переходят в открыпгос состояние, таким образом, затвор первого к.IK)чевого транзистора 5 подключается к шине 6 н35!с))ого потенциала через последовательно включенныс транзисторы 8 и 9. При этом 10 IIE рвый ключевой транзистор 15 закрыт и f ii) затворы транзисторов 1 и 11 через транзисгор 4 тока смещения передается няпряжс)flic записи с шины 2. Транзистор 11 открыB2Eтся и на стоковую область згпомипа)ollf(о гр.)нзисгор,i 12 II(.рс (E. )ся нячря.кение, примерно рав)юс разности напряжения :3i) fIIIC H2 шине 2 и IlopÎI0)30)0 )апряжсиия трянзисто!)а 1 i Г„,, -Г ) . .В случае, lcoi;! 2 .!ыннос напряжение превышает величину папря>кения Ii>BHII)lol î пробоя стокового 2Q р-и-перехода, срабатывает цепь отрицательной обратной связи, выполненной на оиполярном транзисторе 13 и-р-п-типа. В результате, напря>кепис ня затворе транзистора 1! (>гp2)IH JHf3 1(. ) (я I)2 уpol3)IC, «ос«пе Ilfвыюп!ем перс 12>)х напряжения. равш>го 1.,» на сток ранзисторы 12, а, с,)едоватсльf)o, и ня Общу)о числовую )f)J)))x 3 )срез транзистор 3аписи 3 передастся напряжение Г. » . В процессе +opitftpOB2))ft5) I .÷IIóëücoB записи, как псрвого импульсы, тяк и последую)цих, ы также в пределах длитсльнocTи кilæäîãо импульса flàïðÿ>Kcíèå í2 нля!3аюп!см затворе транзистора 12 Ос)ысò(я нс))змеиным и модуляция напряжения лавинного пробоя стокового f)-)l-пс рсходы Отс,ствует, таким образо)), )а Об)цуK) чис, lol)у!o I))it)Ik 3 IIO. (2)OT(. 5) Jt I f)3,) Ь l>l:32) IH li с !ioстоянной амплитудой. ПредЛяГясМОЕ )ВКЛ)оч)СНИС )ОКО:)ЫЯЫ)онц Г() транзистора 17 ll опорного транзистора !8 Обсспсчивасг слябу)o зависимость )3сличи:)ы ()IIoplloI напря>кения f3;!,oñò2òî÷íî широком 4(3 ди;)назоне )3змснс ния напряжения записи ня пи) е 2, а также 01 13сличины I!01)ol()fiof ) l2 IIP5I5KCfI It5I. Формирователь импульсов записи Ilo 2BТ. ci). Хо 1297114. оти)(но)оший сн тем, «) o. c цслшо повышения эффективности програ>1ч l Н Р О В Я Н И Я 3 Ы С ч) С 1 С 1 2 O H Г) И 3 Я Ц И И;) Х! П, 1 Итуды импульсы записи, в формирователь импульсов записи звед(ны токозыдаю)ций и опорный транзисторы, включенные послсдоB ITåëüffo, причем сток и затвор токозыдяюше).о транзистора соединены с шиной записи, затвор и сток опорного транзистора соединены с управляк>щим и плавающим) затворами запоминающего транзисторы. исток Опорного транзистора соединен с )ниной )) i)åf3o) 0 пот IIIIH2 12 формирователя. 1З,39!151 Составитель А. Ершова Редактор Н.;1азаренко Texpeä И. Верес Коррсктор Г. сгистник Заказ 4229/43 Тираж 589 (!одписнос ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изоорстений II ткрытии ! 3035, Москва, 7К вЂ” 35, Раугиская наб.. л. 4 5 ПроизводствеHHQ-полиграфическое предприятие, г. Ужгород. !л .1!росктная. !
