Устройство для измерения напряженности магнитного поля

 

Изобретение относится к магнитным измерениям. В устройство для измерения напряженности магнитного по-г ля в качестве магнитооптического элемента берут набор магнитных пленок 2 с различной величиной поля однородного зарождения и располагают его между анализатором 3 и поляризатором 1, на котором имеется шкала , что упрощает конструкцию устройства и снижает его габариты. 1 ил. ч ч ч ч ч 00 СХ) О5 I 1x1 I I I

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (19) (11) (51)4 G 01 R

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3786416/24-21 (22) 04.09.84 (46) 30.10.87.Бюл. Ф 40 (71) СимФеропольский государственный университет им.М.В,Фрунзе (72) С.В.Дубинко, А.Д.Крамарь, Н.А.Грошенко и И.К.Пухов (53) 621.317.44 (088.8) (56) Чеперников В.И. Магнитные иэме1)ения. МГУ, 1969.

Авторское свидетельство СССР

У 842652, кл. С 01R 33/00, 1979. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ (57) Изобретение относится к магнитным измерениям. В устройство для измерения напряженности магнитного по ля в качестве магнитооптического элемента берут набор магнитных пле нок 2 с различной величиной поля однородного зарождения и располагают

его между анализатором 3 и поляризатором 1, на котором имеется шкала, что упрощает конструкцию устройства и снижает его габариты. 1 ил.

6О

ЗО

) (1) Q()+Q) 35

D — толщина пленки.

1 13487

Устройство относится к средствам магнитных измерений и предназначено для измерения напряженности постоянных и импульсных магнитных полей.

Целью изобретения является упрощение конструкции с одновременным снижением габаритов, что дает возможность производить магнитные измерения в труднодоступных местах мало- ð го объема, На чертеже показана схема устройства.

Устройство включает поляризатор

1, магниточувствительный элемент, . 15 содержащий набор магнитооптических плецок 2, анализатор 3 и шкалу, нанесенную на поляризатор и проградуированную в единицах напряженности магнитного поля, причем используют- 2п ся магнитные одноосные пленки, доменная структура которых может наблюдаться с помощью магнитооптического эффекта (например, пленка ферритгранатов1. 25

Каждая пленка характеризуется величиной поля однородного зарождения, значение которого определяется формулой

К A 1 / z где Q = (— — — — )

2ПМ 2ПМ

К вЂ” константа одноосной анизои тропии магнитной пленки;

M — намагниченность насыще5 ния магнитной пленки;

А — константа обмена магнитной пленки; которая качественно отличается от лабиринтной ДС, Переход ДС от лабиринтной к ДС, соответствующей однородному зарождению, происходит при строго определенных значениях. внешнего магнит— ного поля, приложенного в плоскости элемента. После прекращения действия поля на элемент, ДС соответствуюmàÿ однородному зарождению, остается в пленке и может переходить в другую только при воздействии поля, приложенного перпендикулярно плоскости образца, равному полю насыщения. Наблюдение ДС осуществляется с помощью магнитооптического эффекта.

При изменении конфигурации ДС от лабиринтной в ДС, соответствующей однородному зарождению, измеряют величину напряженности внешнего магнитного поля, так как моменту однородного зарождения соответствует определенное значение напряженности поля.

Таким образом, под действием внешнего магнитного поля лабиринтная ДС пленки, обладающей определенным по величине полем однородного зарождения, переходит в доменную структуру поля однородного зарождения, качественно отличающуюся от лабиринтной

ДС. Зная величину поля однородного зарождения, присущую каждой магнитной пленке, входящей в магниточувствительный элемент, можно определить цену деления шкалы, нанесенной на поляризатор в единицах напряженности магнитного поля.

Предлагаемое устройство может быть использовано для допускового контроля изготовляемых магнитных

50

Устройство работает следующим образом.

Для измерения магнитного поля в объем исследуемого поля вносится магниточувствительный элемент, состоящий из набора магнитооптических пленок. Каждая пленка, входящая в элемент, обладает определенной величиной поля однородного зарождения.

Измерение поля происходит по изменению характера доменной структуры (ДС). В исходном состоянии пленки обладают лабиринтнбй ДС, после воздействия исследуемого поля на элемент, его ДС переходит в ДС, соответствующую однородному зарождению, систем, у которых доступ к точкам измерения обычными методами затруднен, при этом полученная информация о напряженности поля может сохраняться элементом на неограниченное время.

Формула изобретения

Устройство для измерения напря— женности магнитного поля, содержащее магниточувствительный элемент. в виде магнитооптической пленки, ана» лизатор, поляризатор, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью снижения габаритов с одновременным упрощением конструкции, в устройстз 1348760

4 во введена шкала, нанесенная на по- чиной поля однородного зарождения е ляризатор, а в качестве магнитоопти- при этом магнитооптический элемент ческого элемента используется набор расположен между анализатором и помагнитных пленок и различной вели- ляризатором.

Составитель В.Шульгин

Редактор Ю.Середа Техред Л.Сердюкова Корректор Н.Король

Заказ 5186/45. Тираж 729 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР пб делам изобретений и открьгтий

113035, Москва, Ж-35> Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4