Запираемый тиристор
Запираемый тиристор, содержащий четырехслойную p-n-p-n структуру, состоящую из катодного и анодного эмиттеров, узкой и широкой баз, а также металлических электродов к ним, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих токов и напряжений, узкая база выполнена секционной с расстоянием между секциями, не превышающим удвоенную ширину широкой базы, а в приповерхностной части широкой базы вдоль и посередине между секциями узкой базы, а также с внешней стороны периферийных секций сформированы связанные между собой дополнительные области того же типа проводимости, что и широкая база с концентрацией примеси, превышающей концентрацию примеси в широкой базе не менее чем на порядок, причем соседние секции узкой базы, дополнительные области и края расположенных на них металлических электродов расположены на расстоянии, обеспечивающем смыкание областей пространственного заряда центральных p-n-переходов в объеме широкой базы под дополнительными областями, и выход области пространственного заряда на поверхность широкой базы за внешней границей периферийных дополнительных областей при напряжении, меньшем напряжения пробоя центрального p-n-перехода.
