Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и упрощение накопителя. Накопитель информации на ЦМД содержит немагнитную подложку 1, на поверхности которой расположена магнитоодноосная пленка 2, на поверхности которой расположены первый 3 и второй 4 слои проводника, разделенные слоя ми диэлектрика 5. В слоях проводника вьшолнен канал продвижения Щ-Щ в 66 I/ виде смещенных по слоям проводника рядов отверстий 6. В первом слое выполнен генератор ЦМД в виде параллельной краю слоя 3 проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомного и высокоомного участков. В месте соединения участков у шины имеется вывод на несмежной со слоем проводника стороне, соединенный с электродом генератора. В проводниковой шине с обеих сторон от вывода имеются пазы, а концы шины соединяются со слоем проводника. Первый электрод управления соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод соединен с первым слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и об- , щим электродом. Для вьтолнения участка шины с повышенным сопротивлением по сравнению с низкоомным участком в. нем выполнены отверстия. Датчик ЦМД расположен в конце канала продвижения ЦМД и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и играющего роль расширителя ЦМД. 2 ил. с & (Л фуг. 7

СО)ОЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (5D 4 С 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4099493/24-24 (22) 28 ° 07,86 (46) 23.12.87. Бюл. Н 47 (71) Институт электронных управляющих машин (72) Т.А.Бедертдинов (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент США ((4162537, кл, G 11 С 19/08, опублик. 1979.

Bell Syst. Tech. Jour., 1979, 58, Р 6, pt 2, р. 1453. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и упрощение накопителя.

Накопитель информации на Ц1Я содержит немагнитную подложку 1, на поверхности которой расположена магнитоодноосная пленка 2, на поверхности которой расположены первый 3 и второй

4 слои проводника, разделенные слоя ми диэлектрика 5. В слоях проводника выполнен канал продвижения ЦМД в виде смещенных по слоям проводника рядов отверстий 6. В первом слое вы- полнен генератор ЦМД в виде параллельной краю слоя 3 проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомного и высокоом ного участков. В месте соединения участков у шины имеется вывод на не смежной со слоем проводника стороне, соединенный с электродом генератора.

В проводниковой шине с обеих сторон от вывода имеются пазы, а концы шины соединяются со слоем проводника.

Первый электрод управления соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод

Ж соединен с первым слоем проводника со стороны низкоомного участка шины.

Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и общим электродом. Для выполнения участка шины с повышенным сопротивлением по сравнению с низкоомным участком в. нем выполнены отверстия. Датчик

ЦМД расположен в конце канала продвижения Ц1Д и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и играющего роль расширителя ЦМД. 2 ил.

61625

13

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.

Цель изобретения — снижение потребляемой мощности и упрощение накопителя.

На фиг. 1 и 2 показана. конструкция накопителя.

Накопитель информации на ЦМД содержит немагнитную подложку 1, на поверхности которой расположена магнитоодноосная пленка 2, на поверхности последней расположены первый

3 и второй 4 слои проводника, разделенные слоями диэлектрика 5. В слоях проводника выполнен канал про/движения ЦМД в виде смещенных по слоям проводника рядов отверстий 6. В первом слое выполнен генератор ЦМД в виде параллельной краю слоя 3 проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных ниэкоомного

7 и высокоомного 8 участков ° В месте соединения участков у шины имеется вывод 9 на несмежной со слоем проводника стороне, соединенный с электродом 10 генератора. В проводниковой шине с обеих сторон от вывода имеются пазы 11 и 12, а концы шины соединяются со слоем проводника.

Первый управляющий электрод 13 соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод 14 соединен с первым. слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и общим электродом. Для выполнения участка 8 шины с повышенным сопротивлением по сравнению с участком 7 в нем выполнены отверстия 15. Датчик 16 ЦМЦ расположен в конце канала продвижения ЦМД и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и являющегося расширителем.ЦМД. На участке 7 выполнен дополнительный паз 17.

Накопитель работает следующим образом.

При продвижении ЦМД по каналу первый и второй управляющие электроды возбуждаются переменным током, сдвинутым по фазе в разных слоях на

i/4 периода. В канале продвижения

ЦМД при этом возникают движущиеся магнитостатические ловушки, которые продвигают ЦМД. Считывание ЦМД производится датчиком ЦМД обычным образом с использованием магниторезистивного эффекта. Для генерации

ЦМД электрод 10 возбуждается током генерации, который протекает через низкоомный участок шины, первый слой проводника к общему электроду 14.

Присоединение общего электрода 14 к первому слою проводника со стороны низкоомного участка шины 7 и соединение этого участка со слоем проводника позволяет устранить вихреобразное протекание тока через весь первый слой, что могло бы вызвать сбой в работе других узлов устройства.

За счет выполнения дополнительного паза 11 точка генерации ЦМД вынесена от края в глубь шины и находится в точке максимальной плотности тока около торца дополнительного паза.

Далее ЦМД продвигается каналом, образованным отверстиями 6. Дополнительные отверстия 15 в участке шины увеличивают сопротивление участка шины до его.значения в слое 3, чем устраняется вертикальная компонента магнитного поля на границе слоя 3 и проводниковой шины.

Формула изобретения

Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий немагнитную подложку с расположенной на ней магнитоодноосной пленкой, на поверхности которой расположены разделенные слоем диэлектрика первый и второй слои проводника, в которых выполнен канал продвижения цилиндрических магнитных доменов в виде смещенных по слоям проводника рядов отверстий, генератор цилиндрических магнитных доменов, выполненный в виде параллельной краю первого слоя проводника проводниковой шины, состоящей из последовательно соединенных низкоомного и высокоомного участков с выводом на несмежной со слоем проводника стороне в месте соединения низкоомного и высокоомного участков шины, в последнем из которых выполнен смежный с выводом паэ, первый управляющий электрод, общий и второй управляющий электроды, соединенные с вторым слоем проводника, а также датчик цилиндрических магнитСоставитель Ю.Розенталь

Техред M..Дидык Корректор С.Черни

Редактор В.Петраш

Тираж 588 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6297/52

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4 з 1361625

4 ных доменов, отличающийся слоем проводника, общий электрод тем, что, с целью снижения потребляе- соединен с первым слоем проводника мой мощности и упрощения накопителя, со стороны низкоомного участка пров ниэкоомном участке проводниковой

5 водниковой шины, а первый управляющий шины выполнен смежный с выводом до- электрод соединен с первым слоем полнительный паэ, ниэкоомный участок проводника со стороны высокоомного проводниковой шины соединен с первым участка проводниковой шины.