Накопитель запоминающего устройства системы зд

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающи.х устройства.х системы ЗД. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности. Для этого в накопителе , состоящем из дву.х нолноразрядных групп матриц, адресные провода проводят через запоминаюп;ие сердечники первой группы матриц согласно, а второй встречно друг другу. При обращении к информации , хранящейся в запоминак)ни1х сердечниках матриц второй группы, полярность одного из адресных токов меняется на обратную . Разрядные токи подаются в провода матриц только одной группы. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК д11 4 G 11 С 5 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А8ТОРСНОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4113563/24-24 (22) 13.06.86 (46) 15.03.88. Бюл. № 1О (72) О. A. Алексеев (53) 681.327.66 (088.8) (56) Шигин А. Г., Дерюгин А. А. Цифровые вычислительные машины. — М.: Энергия, 1976, с. 51 — 55.

Там же, с. 149 — 151. (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА СИСТЕМЫ ЗД (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в

„„SU„„1381590 А1 запоминающих устройствах системы ЗД.

Целью изобретения является снижение потребляемой мощности. Для этого в накопителе, состоящем из двух полноразрядных групп матриц, адресныс провода проводят через запоминающие сердечники первой группы матриц согласно, а второй встречно друг другу. При обращении к информации, хранящейся в запоминающи сердечниках матриц второй группы, полярность одного из адресных токов меняется на обратную. Разрядные токи подан>тся в провода матриц только одной группы. 1 ил.

188159(1

) (1((< „й, «, :.ии " 1..! (> (t !,< i, «(),Ч Гt"<(и (I <>t < К<)f)()t к«() <1 «,»к.>

3ики:< It) (|4!(I «,,< к:> И! I1<««„.<В <и< >и«,<о к:» < Г< ««..< (и< .!(;<)< и <0Г)р «ни<< и t»v, ы) ий ! l 3<(3 > Л(< гк«и + < (< ;;и < () <фи«< с ко< и(и,t«j) H I i « i, Г Уik(i 0()t) 1, ) лл. (I()0<кTK« I (И:>Обретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в з3номинак)щих уiтройствах.

Цель изобретения — — снижение потребляемой мощности.

113 чертеже представлена схема H3KOtll< те:! H.

1(f1K0IIItTiль содержит матрицу 1, за(и>мина!о!ци. ((р (ptt>iktKOB, один из заноминак) и(их ссрд(- lllltKOB 2 м;1.!.риц(1, один из адресн(,!х 11()0130(ОИ,3, прошинак)щих сердечники

НО с Грок;(м (координата Х(, Один из адресных нрово loB 4, прошивающих сердечники Ilt) с го,!б((ам (координата 1<(. ОстальHhl(. i ер,(с !Ники, 3äðpñíhlp и разрядньн

ПРОВО,LH II(. Ilt)K i <;>НЫ.

113 ко!! и е,(ь (.м костt>K) х II-ра (рядн ы х

С,<(<(5 (0010И И 3 ДBX Х I f) >, !!1:!<> !1 М31(iti«

11;1 ож(н н я л(,11 ) и ц. ! 5 f ) и 1 k l < >1 < I; () < > 1 3 () .1 1 . 3 Ill ! (k l И i" i it T hi 3 ;i < l ) <

ll()0lllkil<3K) I i (j).lt IItIIKkI l5 каждой М;1<

< риц« t tf <. Ill < (!рt)l! !3 н(«)шивак>т в каж .(ОЙ . I () f1i(t, "() it Ill l

М;<1: ktl! <)Ikt I K. I IO Н itl I<1

< Р. I!ill i < (,Р

kI(), ;< I3 if « ) и I f) i, IltIЫ i>i Гj)t I lt0;(j) t I, 1() <> I <

I13к«:.: < .. р3601;>ет i it (ун)щим )б(3 <, I„<„«, ;. l . H ° ll . t .1 Ãj)!!it iitl<

lt(1i I l < .:, )OI30.(it rbt l(0(t<) !II ,!11Н)1«Я Ii,!„I i < > ll 000!и(1 < 1 131 I<)liiklл fl3 ll f,,! ..t !itlh Г:ii. I!,t t, P()Tiже I j)t,I<(k<)tkl I <;и;I .:„ !1,1 li Ill(),ll<, it 1; И Я II<), 1 ) 1 О Ю <(! 1 lt 1 I 0 f ) 1>! t 0 (< е lit l k l !< < < f0 It () е лl !1 Г и > ill it Il K > l If < t <,, . I11 1, I)i C> <;: ) . ° K) ill!i Х < ;! !С :! : К

><3l jtkl Ikt . « It I <>kt . I)>!IIIЬ< I !Kоliit

1, i l j <, t f I I l<

Н !)1!< !,t 3 . < I <,I I! ., «, It !I lill > ((>< и! тОк(<в i,1< 10 i :i ««, 5 ., «i! t

< ложное. (Iри направлениях нолутоков, обеснечивакнцих неремагничивание и сердечников первой группы матриц, ноля, создаваемые этими полутоками в Г(сердечниках

5 второй гр(пны матриц накопителя комнен< ирл и)т друг друга.

Таким образом, при обращении к Г(< ердечникам 2 одной группы матриц Н3Конителя и сердечников 2 второй группы .,1;прин накопителя не псрсм ti ничиваются и> следовательно, информация в них нри этом не разрушается и Hp требует регенерации.

:)ля обращения к н-разрядному слову ,lðóãoé группы матриц IIHKÎIIHTpля ktd(lp3Bлсни(одного из полутоков изменяют на

15 Ifp01 kilted)IIO.toiKHop и<> огношению к направ,!еник> еi î нри обр((щении к II(>рвой групнс м;1; рнц накопителя. I 1()kt этом обеснечивак)1 си ус IQBHH для !li j)(M31 ничивания 11 ((рдечников 2 второй группы л(атриц, а (t)i ГОЯ:(ИЕ (P()ÄP

I Ij)kf <3IIH(. и и реliнсf)311HH информации

l 0Kft 3;> !if)pl;l подан)тс>1 в соответствук) щие (,!(ряды только одной выбранной группы

Л<;< I f)ii! I l<(i KOI>ИT(1 Я. ((ри с tktf I II3 if!lift информация <. !итывается

I « I3t>IAj)3нн0му адресу !ОГ!(,ко с одной выб:. 1, !! О!< I j)(ll llhl матРи ц Il(l KollkIT(лЯ.

QO (I Ik!(IIH 3ель для зc!HОминак)löpãо устрoйcT

I,,! (И(It .,ihl ЛД, сo P()iKÇHI,НЙ i(,13(. IIO.Ix разрядными проводами

I> к;<;1,.! )й магрицс, и Ilдр< сными нроводал(и

il0 С;) I!5 I("! «УIOIttktht i I ()ОК;1 1 И (Го I(! !(3%!, )<.((((<0<)i<((if<(я т«м, !тО, с целью OíHHKåIl I(. IОН 110tl (klO("Гн, За (1<)МИНЗКЭ(ЦИ(!

руll м ггрицы прошиты

;< tji(сI:ымн нрово.!3ми (01113(но, 3 второй

«, I < (. t l I I 0, (j > «(! ) < Г Л .