Излучательная многопроходная гетероструктура

 

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница Δ ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением

где А - параметр с размерностью длины;

p и τ - концентрация основных носителей и время жизни неосновных носителей, относящиеся к излучающему слою;

P ₀ и τ₀ - те же параметры для дополнительного слоя;

L_эф - эффективная диффузионная длина неосновных носителей в излучающем слое;

К - постоянная Больцмана;

Т - абсолютная температура,

отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода, дополнительный слой выполнен из компенсированного материала со степенью компенсации примесей не менее 90% и концентрацией их в пределах 10¹⁷ - 10¹⁹ см^-3, толщина его и излучающего слоя больше диффузионной длины L₀ неосновных носителей в дополнительном слое и равна параметру А в указанном соотношении.