Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов

 

Изобретение относится к области электронной промышленности, в частности к составу для очистки поверхностей полупроводниковых материалов, и может быть использовано в электротехнической, приборостроительной и других отраслях. Цель - удаление покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключение возможности повторного загрязнения поверхности. Состав содержит компоненты в следующем соотношении , мае. %: аминоспирт 1,2-4,5; олеиновая кислота 1,1-3,2; глицерин 1,5-9,5; соль акриловой или метакриловой кислоты 0,05-0,1; вода остальное. Состав позволяет очищать поверхности с покрытием из пиццеина или воска, содержание в составе соли акриловой или метакриловой кислоты предохраняет очищаемую поверхность от повторного загрязнения при очистке от воска и пиццеина. 1 табл. с о

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК g 4 В 23 К 35/24

А

/ Ф г.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ f " . у/

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (54) СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к области электронной промышленности, в частности к составу для очистки поверхностей полупровод(21) 4152015/31-27 (22) 08.10.86 (46) 15.04.88. Бюл. № 14 (71) Специальное конструкторско-техноло гическое бюро Донецкого физико-техниче ского института АН УССР (72) В. И. Павлов (53) 621.791.3 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 912457, кл. В 23 К 35/24, 1979.

„„SU„„1388237 А1 никовых материалов, и может быть использовано в электротехнической, приборостроительной и других отраслях. Цель — удаление покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключение возможности повторного загрязнения поверхности. Состав содержит компоненты в следующем соотношении, мас. с: аминоспирт 1,2 — 4,5; олеиновая кислота 1,1 — 3,2; глицерин 1,5 — 9,5; соль акриловой или метакриловой кислоты

0,05 — 0,1; вода остальное. Состав позволяет очищать поверхности с покрытием из пиццеина или воска, содержание в составе соли акриловой или метакриловой кислоты предохраняет очищаемую поверхность от повторного загрязнения при очистке от воска и пиццеина. 1 табл.

1388237

Соль акриловой или метакриловой кислоты 0,05 — 0,1

Вода Остальное

Для очистки детали с покрытием из пиццеина или воска ее помешают на 3 — 5 мин в нагретый до 80 — 85 С состав, ополаскивают 0,5 — 1 мин в нагретом до 80 — 85 С чистом составе, после чего остатки состава удаляют струей воды и сушат детали. После очистки в составе и отмывки поверхность детали полностью н равномерно смачивается водой. В результаге на сухих деталях отсутствуют натеки и пятна «захватывания», допущенного прикасанием к детали до отмывки остатков состава.

Содержание компонентов в составах по примерам и результаты определения их моюшей способности при очистке кремния от пиццеина приведены в таблице.

Содержание компонентов, мас.% (вода — остальное до 100) Моющая способность, у .о

Пример

ГлицеСоль

Амино — Олеино— рин спирт вая кислота акриловой или метакриловой кислоты

0,1

1,2

1,5

7,1

1,6

1,4

1,9

0,1

2,4

0,05

2,0

2,8

0,08

2,2

2,8

3,0

2,6

3,0

6,0

0,08

0,05

4,5

3,2

9,5 вторного загрязнения при очистке от воска и пиццеин».

Испо.-ьз". «,«::.; - предлагаемого состава позвол ет " "... :, зодстве полупроводниковых прибери:-: .."., заться от использования пожаро-взрывоо:.гасных и токсичных растворителей и снизить брак, возникающий от повторного загрязнения поверхности.

Формула изобретения

Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов, содержащий аминоспирт, олеиновую кислоту, глицерин и воду, отличающийся тем что с целью

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к составу для очистки поверхностей полупроводниковых материалов, и может быть использовано в электротехнической, приборостроительной и других отраслях.

При изготовлении полупроводниковых приборов на поверхность полупроводника наносят покрытия из пиццеина или воска, которое удаляют на последующих операциях.

Цель изобретения — удаление покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключение возможности повторного загрязнения поверхности.

Состав содержит компоненты в следуюшем соотношении, мас. :

Аминоспирт 1,2 — 4,5

Олеиновая кислота l,1 — 3,2

Глицерин l,5 — 9,5

В составах по примерам 1 и 2 использован моноэтаноламин, в составах 3 и 4 — диэтаноламин, в 5 и 6 — триэтаноламин. В составах 1 и 6 использован акриловокислый натрий, в остальных — метакриловокислый калий. Увеличение содержания компонентов в составах сверх указанного в примере 6. не приводит к возможности снижения температуры или времени очистки; эти параметры увеличиваются при снижении концентрации компонентов, указанной в примере l. Таким SS образом, введение в известный состав соли акриловой или метакриловой кислоты предохраняет очи Шаемую поверхность от по99,96

99,97

99,99

99,99

99,99

99,99

1388237

l,2 — 4,5

l,1 — 3,2

1,5 — 9,5

0,05 — О,1

Остальное

Составитель Л. Абросимова

Редактор С. Лисина Техред И. Верес Корректор И. Эрдейн

Заказ 1516/18 Тираж 921 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113036, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 удаления покрытий с поверхности полупроводниковых материалов и исключения возможности повторного загрязнения поверхности, он дополнительно содержит соль акриловой или метакриловой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас. о :

Аминоспирт

Олеиновая кислота

Глицерин

Соль акриловой или метакриловой кислоты Вода

Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов Состав для очистки поверхностей полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к лужению и пайке, в частности к паяльным пастам для навесного монтажа элементов гибридных интегральных схем

Изобретение относится к облает пайки, в частности к составам для удаления графита перед пайкой чугуна, Целью изобретения является сокращение времени подготовки поверхности под пайку и уменьшение выделения вредных веществ в окружающую атмосферу

Изобретение относится к пайке, в частности к составу пасты для пайки , применяемой при монтаже изделий радиоэлектроники

Изобретение относится к пайке, в частности к составу пасты, применяемой для монтажа изделий радиоэлектроники

Изобретение относится к области пайки, в частности к способу пайки силицированного графита со сталью

Изобретение относится к области пайки, в частности к составу флюса для пайки и лужения меди

Изобретение относится к области пайки, в частности к составам пасты для пайки радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области пайки , в частности к способу удаления остатков хлоридно-боридных флюсов после пайки

Изобретение относится к области сварки, в частности к присадочным материалам, применяемым при дуговой сварке под флюсом, преимущественно при стыковой однопроходной сварке

Изобретение относится к пайке, в частности к составу, применяемому для получения покрытий, наносимых на рабочие органы, работающие в условиях интенсивного (особенно абразивного) изнашивания
Изобретение относится к пайке и может быть использовано для автоматической пайки металлических деталей в восстановительной атмосфере в различных отраслях машиностроения
Изобретение относится к пайке металлов, в частности к пайке деталей различной конфигурации из углеродистых и легированных сталей с использованием пастообразных составов и может быть использовано при изготовлении паяных конструкций в машиностроении при пайке деталей в печах с восстановительной газовой средой
Изобретение относится к диффузионно-твердеющим пастам на основе галлия и может быть использовано в электронике, машиностроении и строительстве, например, для создания неразъемных соединений
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при изготовлении абразивного алмазного инструмента на металлической связке
Наверх