Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода

 

Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце буферного диэлектрического слоя, определяющего размер зазора между электродами, нанесение второй пленки сверхпроводящего материала, формирование в ней второго сверхпроводящего электрода, удаление контактной маски, нанесение пленки материала перемычки и формирование перемычки между электродами в области зазора, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров мостиковых переходов, буферный диэлектрический слой формируют путем электрохимического анодирования торца первого электрода, а перед нанесением пленки материала перемычки полируют поверхность структуры пучком ионов инертного газа, направленным под углом 2-12° к поверхности подложки с энергией ионов 50-500 эВ.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ускори-

Изобретение относится к криоэлектронным устройствам, позволяет повысить чувствительность и упростить изготовление измерительного устройства путем введения второго генератора накачки и промежуточного LC-контура, имеющего резонансную частоту, равную разности частот генераторов накачки

Изобретение относится к материаловедению

Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов

Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе

Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов

Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона

Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости

Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п

Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот
Наверх