Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

 

Изобретение относится к технологии изготовления изделий электронной техники и может быть использовано при изготовлении оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Цель изобретения - снижение токов утечки конденсаторов - достигается путем изменения последовательности проведения операций и замены процесса нанесения слоя металла платиновой группы с пиролитического разложения на электрохимическое осаждение. При этом осаждение слоя металла платиновой группы под действием электрического поля позволяет как создать водопоглощающий слой, локализованный на границе раздела оксид - двуокись марганца, так и нанести более толстые слои платинового металла на обладающие повышенной проводимостью слабые места, распределеннные по поверхности оксида, которые в большой степени ответственны за проникновение водорода в диэлектрический слой. 4 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления изделий электронной техники и может быть использовано при изготовлении оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Целью изобретения является снижение токов утечки конденсаторов путем изменения последовательности проведения операций и замены процесса нанесения слоя металла платиновой группы с пиролитического разложения на электрохимическое осаждение. Осаждение слоя металла платиновой группы под действием электрического поля позволяет как создать сплошной водородопоглощающий слой, локализованный на границе раздела оксид двуокись марганца, так и нанести более толстые слои платинового металла на обладающие повышенной проводимостью слабые места (например, утонения), распределенные по поверхности оксида, которые в большой степени ответственны за проникновение водорода в диэлектрический слой. Примеры реализации способа изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Пример 1. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4 номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л родия. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой напряжения 50 В в течение 5 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности пленки осаждается слой родия. В табл. 1 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, изготовленных предлагаемым и известным способами. Из табл. 1 видно, что конденсаторы, изготовленные предлагаемым способом, имеют значительно меньшие токи утечки (в 7 раз) на переменном токе, чем конденсаторы, изготовленные известным способом, при сохранении остальных электропараметров. Пример 2. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4А номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л рутения. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой напряжения 50 В в течение 5 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности оксидной пленки осаждается слой рутения. В табл. 2 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, полученных предлагаемым и известным способами. Пример 3. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4А номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л палладия. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой 30 В в течение 3 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности оксидной пленки осаждается слой палладия. В табл. 3 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, полученных предлагаемым и известным способами. Режимы испытаний: температура 35oC, переменный ток промышленной частоты, амплитуда напряжения 5 В. Результаты испытаний: средние значения электропараметров конденсаторов приведены в табл. 4. Приведенные выше примеры и результаты испытаний (см. табл. 4) оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных данным способом, доказывают, что не только для родия, но и для других металлов платиновой группы справедливы в целом условия осаждения, и переход от одного металла к другому изменяет лишь конкретный режим осаждения.

Формула изобретения

Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий спекание объемно-пористых анодов из вентильных металлов, их оксидирование, нанесение полупроводникового слоя путем пиролитического разложения и слоя металла платиновой группы, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, нанесение слоя металла платиновой группы проводят перед нанесением полупроводникового слоя путем электрохимического осаждения в течение 3 5 мин.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет увеличить точность испытаний и расширить частотный и динамический диапазон задаваемых воздействий

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет расширить функциональные возможности путем обеспечения измерения функции трех параметров

Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для измерения коэффициента увеличения поверхности травленой фольги на формовочных и травильных агрегатах

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям , основанным на принципе диффузионной кинетики, предназначено для измерения механических сигналов различного характера и может использоваться в сейсмологии , акустике и позволяет увеличить чувствительность и точность измерения путем обеспечения возможности увеличения напряжения источника питания

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в производстве электрохимических накопителей энергии большой емкости
Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Изобретение относится к производству электролитических конденсаторов

Изобретение относится к производству электролитических конденсаторов
Изобретение относится к области разработки электролитических конденсаторов на основе двойного электрического слоя, которые могут быть использованы в современной энергетике, автомобилестроении и т.д
Изобретение относится к области разработки электролитических конденсаторов на основе двойного электрического слоя, которые могут быть использованы в современной энергетике, автомобилестроении и т.д

Изобретение относится к производству электрохимических накопителей энергии, в частности к производству электрохимических конденсаторов и иных аналогичных перезаряжаемых накопителей энергии

Изобретение относится к производству электрохимических накопителей энергии, в частности к производству электрохимических конденсаторов и иных аналогичных перезаряжаемых накопителей энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве электролитических конденсаторов
Наверх