Передающая телевизионная трубка

 

Класс 21> .. 32

Лв 146760

ССС 1>

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группи Л«86

А. Л. Нефедьев

ПЕРЕДАЮЩАЯ ТЕЛЕВИЗИОННАЯ ТРУБКА

Заявлено 4 апреля 1960 г. за М 66!734!26 в Комитет по делам изобретений и открв;тий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ЛЪ 9 за 1969 и.

Известны передающие телевизионные трубки для систем с однострочным разложением.

Описываемая трубка отличается от известных тем, что мишень ее выполнена в виде диэлектрической решетки, покрытой фотовольтаическим полупроводниковым слоем, «)то повышает чувствительность трубки и у меньшает выжигание мишени.

На черте>ке изображена схема описываемого устройства.

Чишень 1 трубки выполнена в виде решетки из параллельных полосок диэлектрика, натянутых на жесткую основу. Решетка покрыта тлолупроводником, имеющим ярко выраженный фотовольтаический эффект. Один конец всех полосок полупроводникового покрытия соприкасается с металлической полоской, которая служит для подачи исходного потенциала мишени, Мишень освещается через объектив 2. При освещении отдельных элементов мишени электрическое поле перед ними определяется суммой напряжения внешнего источника и фотоэлектродвижущей силой, Если соотвстствуюгцим образом выбрать знак фотоэлектродвижущей силы, то часть электрона луча трубки, образуемого электронным прожектором 8, отклоняющеи катушкой 4 и фокуснрующей катушкой 5, пройдет через щели решетки мишени 1 и будет уловлена коллектором 6. Ток с коллектора 6 протекает по сопротивлению нагрузки 7. Так как электрон луча на полупроводнике не осаждается, то выжигание мишени практически отсутствует. Чувствительность прибора может быть увеличена путем применения фотовольтаических слоев повышенной чувствительности.

Предмет изобретения

Передающая телевизионная трубка для систем с однострочным пазложением, отличающаяся тем, что, с целью повышения чув№ 146760 ствительности трубки и уменьшения выжигания мишени, мишень трубки выполнена в виде диэлектрической решетки, покрытой фотовольтаическим полупроводниковым слоем.

Составит ;Ih Г. А, Емельииов

Редактор Н. С. Кутафина

Техред T. Г1. Курилко Корректор П. А. Евдокимов

Типографии ЦБТИ, Москва, Петровка, )4.

11одп. к пеи. 23.IV-62 г. Формат бум. 70Х108 /,„

Зак. 4158 Тираж 800

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий ири

Москва, Центр, М. Черкасский пер.

Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 кои.

Совете Министров СССР д. 2/6.